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IR2110SPBF

产品分类: 栅极电源驱动器
产品描述: 25ns 2 3.3V 150ns 20V 6V,9.5V Non-Inverting IGBT,MOSFET,N沟道 17ns 半桥 2A,2A SOIC-16 贴片安装
供应商型号: IR2110SPBF
供应商: 国内现货
标准整包数: 10
INFINEON TECHNOLOGIES 栅极电源驱动器 IR2110SPBF

IR2110SPBF概述

    电子元器件技术手册:IR2110/IR2113 高侧和低侧驱动器

    1. 产品简介


    IR2110/IR2113 是一款由 Infineon Technologies 设计的高电压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器。该器件包含独立的高侧和低侧参考输出通道,非常适合用于需要高压和高频操作的应用场景。它们可以用于驱动功率 MOSFET 或 IGBT,广泛应用于电机控制、电源转换等领域。

    2. 技术参数


    - 工作电压范围:
    - 高侧浮动供应电压:(IR2110)-0.3 至 525V;(IR2113)-0.3 至 625V
    - 高侧浮动输出电压:VS - 0.3 至 VB + 0.3V
    - 低侧固定供应电压:-0.3 至 25V
    - 逻辑供电电压:-0.3 至 VSS + 25V
    - 输出特性:
    - 最大驱动电流:±2A
    - 输出延迟时间:(IR2110)10ns(典型值);(IR2113)20ns(典型值)
    - 上升/下降时间:25ns(典型值)
    - 支持电压范围:
    - 逻辑输入电压:VSS - 0.3V 至 VDD + 0.3V
    - 工作环境:
    - 工作温度范围:-40°C 至 125°C
    - 存储温度范围:-55°C 至 150°C

    3. 产品特点和优势


    - 浮置通道设计:为电荷泵操作提供支持,使得器件可以在高达 500V 或 600V 的电压下正常运行。
    - 耐负瞬态电压:可以容忍负瞬态电压,提高了器件的可靠性。
    - 抗 dV/dt 干扰:具备高抗 dV/dt 性能,适用于多种复杂电磁环境。
    - 逻辑兼容性:兼容标准 CMOS 或 LSTTL 输出,输入电压低至 3.3V。
    - 同步延迟匹配:输出驱动具有匹配的传播延迟,便于在高频应用中使用。
    - 内置过压保护:通过内部电路实现过压保护,提高系统的安全性和可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    IR2110/IR2113 驱动器广泛应用于电机控制、开关电源和逆变器等领域。例如,在电动机控制应用中,可以将该器件用于驱动高侧和低侧 MOSFET,实现高效的能量转换。在具体应用时,建议根据实际需求选择合适的供电电压和频率,确保最佳性能。
    使用建议:
    - 在高频应用中,考虑到高侧和低侧延迟匹配的特点,可以选择较小的栅极电阻以减少延迟误差。
    - 确保所有供电电压稳定且在规定的范围内,避免电压突变导致器件损坏。

    5. 兼容性和支持


    - 封装形式:
    - 14 引脚 PDIP
    - 16 引脚 SOIC
    - 兼容性:与标准 CMOS 和 LSTTL 输出兼容,易于集成到现有系统中。
    - 技术支持:Infineon Technologies 提供详尽的技术文档和应用指南,帮助客户更好地理解和使用该器件。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:电源电压不足导致器件无法正常工作。
    - 解决方案:检查电源电压是否在规定范围内(VCC, VBS, VDD),必要时调整电源电压。
    - 问题:器件发热严重,影响性能。
    - 解决方案:检查散热设计是否合理,增加散热片或使用风扇辅助散热。
    - 问题:延迟时间超出预期。
    - 解决方案:调整栅极电阻,优化电路布局,减少信号传输路径。

    7. 总结和推荐


    IR2110/IR2113 是一款高性能的高侧和低侧驱动器,适合于需要高压和高频工作的场合。其出色的电气特性和可靠性使其成为许多工业应用的理想选择。如果需要驱动高侧和低侧 MOSFET 或 IGBT,并对性能有较高要求,强烈推荐使用这款器件。同时,Infineon 提供的全面技术支持和文档将有助于用户更好地掌握和使用该产品。

IR2110SPBF参数

参数
下降时间 17ns
栅极类型 IGBT,MOSFET,N沟道
驱动数量 2
最小工作供电电压 3.3V
最大工作供电电压 20V
最大高压侧电压-自举 500V
输入类型 Non-Inverting
逻辑电压 - VIL,VIH 6V,9.5V
最大传播延迟时间 150ns
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) 2A,2A
驱动配置 半桥
通道类型 -
上升时间 25ns
10.5mm(Max)
7.6mm(Max)
2.65mm(Max)
通用封装 SOIC-16
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 散装,管装

IR2110SPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IR2110SPBF数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 栅极电源驱动器 INFINEON TECHNOLOGIES IR2110SPBF IR2110SPBF数据手册

IR2110SPBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 5.375
1000+ ¥ 5.074
5000+ ¥ 4.945
10000+ ¥ 4.859
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