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F4-23MR12W1M1_B11

产品分类: IGBT单管
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标准整包数: 0
INFINEON TECHNOLOGIES IGBT单管 F4-23MR12W1M1_B11

F4-23MR12W1M1_B11概述


    产品简介


    基本介绍
    F4-23MR12W1M1B11 是一款由 Infineon Technologies 生产的 EasyPACK 模块,它采用 CoolSiC™ Trench MOSFET 和 PressFIT/NTC 技术,具有高可靠性、高性能的特点。该模块适用于需要高开关频率、低损耗的应用场合,如高频开关应用、DC/DC 转换器和焊接等领域。

    技术参数


    最大额定值
    - 漏源电压(Drain-Source Voltage): 1200 V
    - 漏极连续电流(Drain Current Nominal): 50 A / 最大断态漏电流(Drain Blocking Current): 100 A
    - 门极源极电压(Gate-Source Voltage): -10 V / +20 V
    特性值
    - 漏源导通电阻(Drain-Source On Resistance):
    - TJ = 25°C: 22.5 mΩ
    - TJ = 125°C: 29.5 mΩ
    - TJ = 150°C: 33.0 mΩ
    - 门极阈值电压(Gate Threshold Voltage):
    - TJ = 25°C: 3.45 V 到 5.55 V
    - 门极电荷(Total Gate Charge):
    - VGS = -5 V / 15 V, VDS = 800 V: 0.124 μC
    - 输入电容(Input Capacitance):
    - f = 1 MHz, TJ = 25°C: 3.68 nF
    - 输出电容(Output Capacitance):
    - f = 1 MHz, TJ = 25°C: 0.22 nF
    - 反向转移电容(Reverse Transfer Capacitance):
    - f = 1 MHz, TJ = 25°C: 0.028 nF
    - 体二极管正向电流(Body Diode Forward Current):
    - TJ = 175°C: 16 A
    其他特性
    - 绝缘测试电压(Isolation Test Voltage): RMS, 50 Hz, 1 分钟内: 3.0 kV
    - 模块漏感(Module Stray Inductance): 10 nH
    - 存储温度(Storage Temperature): -40°C 到 125°C

    产品特点和优势


    F4-23MR12W1M1B11 具备以下几个显著特点:
    - 高电流密度:通过优化设计实现高效能。
    - 低电感设计:有助于减少寄生电感的影响。
    - 低开关损耗:降低整体能耗,提升效率。
    - 集成 NTC 温度传感器:提供实时温度监测。
    - PressFIT 接触技术:提供更可靠的连接方式。
    这些特点使其在高频开关应用、DC/DC 转换器及焊接等领域的表现尤为出色,具备高度的市场竞争力。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    该模块广泛应用于多种电力电子系统,例如:
    - 高频开关电源,用于各种工业和消费电子产品。
    - DC/DC 转换器,在可再生能源、数据中心等领域有广泛应用。
    - 焊接设备,提升焊接效率和质量。
    使用建议
    为了最大化利用该模块的优势,建议在应用时考虑以下几点:
    - 优化电路布局:合理规划 PCB 布局以减少寄生电感。
    - 监控温度:定期检查模块温度,确保其处于安全工作范围内。
    - 正确选择驱动信号:注意门极驱动信号的选择和设计,避免长期过压导致损坏。

    兼容性和支持


    该模块与大多数标准电路设计和驱动器兼容。Infineon Technologies 提供全面的技术支持和客户服务,包括产品文档、应用指南和技术咨询服务。此外,Infineon 还提供了详尽的资料和支持平台,方便用户获取更多资源。

    常见问题与解决方案


    1. 模块发热异常
    - 解决方案:检查散热片安装是否到位,确保良好的热传导。
    2. 模块运行不稳定
    - 解决方案:确认门极驱动信号正确,且无干扰。
    3. 模块电流超出规定范围
    - 解决方案:检查负载电流是否超限,调整负载以符合模块额定值。

    总结和推荐


    总体而言,F4-23MR12W1M1B11 模块是一款性能优异、可靠性高的产品,尤其适合需要高开关频率和低损耗的应用场合。其集成的 NTC 温度传感器和 PressFIT 接触技术为其增加了额外的安全性和便利性。对于需要高性能电力电子解决方案的工程师和设计师,我们强烈推荐使用这款模块。

F4-23MR12W1M1_B11参数

参数
集电极电流 -
最大功率耗散 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 -
最大集电极发射极饱和电压 -
配置 -
通用封装 AG-EASY1BM-2

F4-23MR12W1M1_B11厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

F4-23MR12W1M1_B11数据手册

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F4-23MR12W1M1_B11封装设计

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