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IRF100P219

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: IRF100P219
供应商: 国内现货
标准整包数: 400
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRF100P219

IRF100P219概述

    IRF100P219 MOSFET 技术手册

    产品简介


    IRF100P219 是一种采用 TO-247-3 封装的 MOSFET,属于 Infineon 的 StrongIRFET 系列。它具有非常低的导通电阻(RDS(on)),非常适合高开关频率的应用。其主要功能包括低传导损耗、出色的栅极电荷与导通电阻乘积(FOM)以及优化的反向恢复时间(Qrr)。这种 MOSFET 广泛应用于电源转换系统、电机驱动控制以及逆变器等电子设备中。

    技术参数


    以下是 IRF100P219 的主要技术规格:
    - 最大连续漏极电流 (ID):203 A (硅限值),316 A (封装限值)
    - 最高漏源电压 (VDS):100 V
    - 典型导通电阻 (RDS(on)):1.4 mΩ(VGS=10 V,ID=100 A)
    - 最大导通电阻 (RDS(on)):1.7 mΩ
    - 输入电容 (Ciss):12,000 pF
    - 输出电容 (Coss):1,800 pF
    - 反向传输电容 (Crss):80 pF
    - 栅源泄漏电流 (IGSS):100 nA (VGS=20 V, VDS=0 V)
    - 反向恢复时间 (trr):90 ns (VR=85 V, IF=100 A, diF/dt=100 A/μs)
    - 最大雪崩能量 (EAS):464 mJ (ID=100 A, RGS=50 Ω)
    - 工作温度范围 (Tj, Tstg):-55°C 至 175°C
    - 热阻 (RthJC):0.44°C/W
    - 热阻 (RthJA):40°C/W

    产品特点和优势


    IRF100P219 的关键特点和优势包括:
    - 非常低的导通电阻 (RDS(on)):最小值为 1.4 mΩ,有助于减少导通损耗,提高整体效率。
    - 优化的栅极电荷与导通电阻乘积 (FOM):确保快速开关的同时降低功耗。
    - 出色的反向恢复特性 (Qrr):可减少开关过程中的瞬态电压,从而提高可靠性。
    - 高温操作能力:能够承受高达 175°C 的工作温度,确保在恶劣环境下稳定运行。
    - 无卤素材料:符合环保标准(IEC61249-2-21),符合现代电子产品对环保的要求。

    应用案例和使用建议


    IRF100P219 适用于多种应用场景,如高功率转换器、电机控制器和电池管理系统等。在使用时,可以参考以下建议以优化性能:
    - 在设计电路时,考虑其较低的导通电阻和反向恢复特性,尽量减少寄生效应和功耗。
    - 确保散热良好,特别是当负载较大时,可以通过优化 PCB 布局和增加散热片来改善。
    - 针对高频应用,可以通过优化栅极驱动来进一步减少开关损耗。

    兼容性和支持


    IRF100P219 可与其他标准 TO-247 封装的 MOSFET 兼容。Infineon 提供详尽的技术文档和支持服务,确保客户在使用过程中得到充分的技术指导和帮助。此外,Infineon 还提供样品和技术支持,帮助客户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    根据技术手册中的常见问题和解决方案,列出以下几种可能遇到的问题及解决方法:
    - 问题:在高电流应用中导通电阻增加
    - 解决方法:检查电路布局和散热情况,确保 PCB 能够有效散热,避免过热导致导通电阻增加。

    - 问题:反向恢复时间过长
    - 解决方法:优化电路设计,减少驱动信号的上升时间和下降时间,或选择更低 Qrr 的同类产品。
    - 问题:在高温环境下工作不稳定
    - 解决方法:选择合适的散热措施,如加装散热片或优化散热路径,确保器件在高温环境下仍能稳定工作。

    总结和推荐


    综上所述,IRF100P219 是一款性能优异的 MOSFET,适合用于高功率转换和高频应用场合。其低导通电阻、快速开关能力和高温稳定性使其在市场上具备很强的竞争力。强烈推荐使用此产品,并在设计过程中结合具体应用场景和要求进行优化。

IRF100P219参数

参数
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
FET类型 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-247-3
包装方式 管装

IRF100P219厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRF100P219数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRF100P219 IRF100P219数据手册

IRF100P219封装设计

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