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IPB120N10S4-03

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: Q-IPB120N10S4-03
供应商: 期货订购
标准整包数: 1000
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPB120N10S4-03

IPB120N10S4-03概述

    IPB120N10S4-03 和相关型号技术手册

    1. 产品简介


    IPB120N10S4-03 是一款来自 Infineon Technologies 的 N 沟道增强型功率 MOSFET,适用于需要高电流处理能力和高温稳定性的应用。这些型号(包括 IPI120N10S4-03 和 IPP120N10S4-03)因其出色的热性能和电学特性而广受好评。它们采用 TO263-3-2、TO262-3-1 和 TO220-3-1 封装形式,适用于多种工业、汽车及消费电子产品。

    2. 技术参数


    - 连续漏极电流:120A(TC=25°C),120A(TC=100°C)
    - 脉冲漏极电流:480A
    - 雪崩能量:770mJ
    - 雪崩电流:120A
    - 栅源电压:±20V
    - 功耗:250W(TC=25°C)
    - 工作温度范围:-55°C 至 +175°C
    - 击穿电压:100V
    - 最大导通电阻(SMD 版本):3.5mΩ
    - 热阻抗:0.6K/W(结至壳体),62K/W(结至环境)

    3. 产品特点和优势


    - 高可靠性:AEC-Q101 认证确保其在汽车和其他严苛环境下的稳定性。
    - 环保设计:符合 RoHS 标准。
    - 卓越的电气特性:具有低导通电阻和快速开关特性,有助于提高能效。
    - 高雪崩能力:提供优异的系统可靠性和鲁棒性。
    - 宽工作温度范围:-55°C 至 +175°C,适合极端环境应用。

    4. 应用案例和使用建议


    IPB120N10S4-03 可用于多种高电流应用,如电机驱动、电源转换器和电池管理系统。例如,在电动车辆中,它可用作牵引逆变器的一部分。为了优化其性能,建议使用良好的散热措施,并根据负载需求调整栅极驱动电压。

    5. 兼容性和支持


    这些型号与其他标准电子组件具有良好的兼容性,可以方便地集成到现有系统中。Infineon 提供全面的技术支持和维护服务,以确保用户能够充分利用产品的所有功能。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:过高的工作温度导致功耗增加。
    解决方案:加强散热设计,使用较大的散热片或散热风扇。
    - 问题:开关过程中出现振铃现象。
    解决方案:适当调整栅极驱动电阻,或者添加适当的缓冲电路来减少振铃。

    7. 总结和推荐


    IPB120N10S4-03 是一款极具吸引力的 N 沟道增强型功率 MOSFET,凭借其出色的技术规格和可靠性,特别适合于需要高性能和高可靠性的应用场合。对于寻求高性能解决方案的设计工程师来说,这是一个非常值得推荐的产品。
    推荐指数:★★★★★

IPB120N10S4-03参数

参数
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 -
配置 -
通用封装 TO-263-3
包装方式 卷带包装

IPB120N10S4-03厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPB120N10S4-03数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPB120N10S4-03 IPB120N10S4-03数据手册

IPB120N10S4-03封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10000+ $ 4.2 ¥ 34.986
30000+ $ 3.78 ¥ 31.4874
50000+ $ 3.36 ¥ 27.9888
100000+ $ 3.15 ¥ 26.2395
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