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IPW60R055CFD7XKSA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管 CoolMOS™ CFD7系列, Vds=600 V, 38 A, TO-247封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: 2916150
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPW60R055CFD7XKSA1

IPW60R055CFD7XKSA1概述

    # 600V CoolMOS™ CFD7 SJ MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本信息
    600V CoolMOS™ CFD7 SJ MOSFET 是英飞凌推出的高电压超级结MOSFET,具有集成快速体二极管。作为CoolMOS™ 7系列的一部分,它完成了该系列的技术演进。这款MOSFET是应用于高功率开关电源(SMPS)中谐振拓扑的理想选择,特别适合服务器、通信和电动汽车充电站等应用场景。
    主要功能
    - 高电压(600V)操作能力
    - 集成快速体二极管
    - 减少栅极电荷(Qg)
    - 改善关断行为
    - 显著降低反向恢复电荷(Qrr)高达69%
    应用领域
    - 高功率服务器电源
    - 通信系统电源
    - 电动汽车充电桩

    技术参数


    | 参数 | 值 |

    | 电压 | 600V |
    | 额定电流 | 15A 至 70A |
    | 最大电阻(RDS(on))| 15mΩ 至 75mΩ |
    | 反向恢复电荷(Qrr)| 低至15nC |
    | 栅极电荷(Qg) | 低至50nC |
    | 工作温度范围 | -55°C 至 175°C |

    产品特点和优势


    特点
    - 快速体二极管
    - 超低反向恢复电荷(Qrr)
    - 改善反向二极管dv/dt和di/dt鲁棒性
    - 最优的FOM(RDS(on) x Qg 和 Eoss)
    - 最佳RDS(on)/封装组合
    - 卓越的硬换相鲁棒性
    - 谐振拓扑中的最高可靠性
    - 卓越的能效与易用性/性能权衡
    - 提升功率密度解决方案
    优势
    - 高效软开关拓扑结构(如LLC和ZVS相移全桥)的最佳性能
    - 显著提升设计效率和可靠性
    - 更高的功率密度

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 在2kW ZVS拓扑中,相较于竞争对手产品,600V CoolMOS™ CFD7实现了高达1.45%的效率提升。
    - 在3kW LLC拓扑中,相较于竞争对手产品,效率提升了0.79%。
    使用建议
    - 为了实现最佳性能,建议使用低栅极电阻(<5Ω),以减少开关损耗。
    - 在选择MOSFET时,需考虑负载电流和工作条件,确保选择合适型号。
    - 在高温环境下工作时,建议采用散热片或热管进行有效的散热管理。

    兼容性和支持


    兼容性
    600V CoolMOS™ CFD7可以与2EDN EiceDRIVER™驱动器家族一起使用,为高功率设计提供优化的系统解决方案。
    支持
    英飞凌提供详尽的产品文档和技术支持,包括技术数据表、应用笔记和常见问题解答。用户可以通过访问官方网站获取更多资源和支持。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关频率过低 | 检查栅极电阻,尝试减小值。 |
    | 温度过高 | 使用散热器或热管,优化热管理。 |
    | 效率低于预期 | 检查电路布局,优化电源路径。 |
    | 反向恢复电荷过高 | 确保使用最新版本的MOSFET。 |
    | 无法达到最大额定电流 | 确认冷却系统正常运行并检查负载情况。 |

    总结和推荐


    综合评估
    600V CoolMOS™ CFD7 SJ MOSFET 凭借其卓越的能效、高可靠性以及出色的功率密度表现,在谐振拓扑和高功率应用中表现出色。相较于竞争对手产品,其在软开关拓扑中的性能尤为出色。
    推荐
    我们强烈推荐此款MOSFET用于需要高效率和高可靠性的高功率电源应用。其卓越的设计和优越的性能使其成为市场上最具竞争力的产品之一。

IPW60R055CFD7XKSA1参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.194nF@400V
通道数量 1
配置 独立式
最大功率耗散 178W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@ 900µA
Vds-漏源极击穿电压 600V
Rds(On)-漏源导通电阻 55mΩ@ 18A,10V
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 79nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 38A
通用封装 TO-247-3
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 管装

IPW60R055CFD7XKSA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPW60R055CFD7XKSA1数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R055CFD7XKSA1 IPW60R055CFD7XKSA1数据手册

IPW60R055CFD7XKSA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 34.7053
10+ ¥ 30.5406
100+ ¥ 29.9854
500+ ¥ 29.9854
1000+ ¥ 29.9854
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