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IPZA60R120P7XKSA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOSFET 晶体管 + 二极管 CoolMOS P7系列, Vds=650 V, 78 A, TO-247-4封装, 通孔安装, 4引脚
供应商型号: CY-IPZA60R120P7XKSA1
供应商: Avnet
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPZA60R120P7XKSA1

IPZA60R120P7XKSA1概述


    产品简介


    600V CoolMOS™ P7 功率晶体管 IPZA60R120P7
    IPZA60R120P7 是一款高性能的功率 MOSFET,属于 CoolMOS™ 第七代平台产品系列。它基于超级结(Super Junction)原理,由英飞凌科技公司(Infineon Technologies)研发。该产品专门设计用于高压电源 MOSFET,继承了前一代CoolMOS™ P6系列的优点。这款 MOSFET 具备快速开关能力,同时拥有出色的易用性,例如低振铃倾向、优秀的体二极管抗硬开关鲁棒性以及出色的静电放电(ESD)能力。
    应用领域
    - PFC 阶段
    - 硬开关 PWM 阶段
    - 谐振开关阶段
    - 应用包括:个人电脑银盒、适配器、液晶电视、照明、服务器、电信和不间断电源(UPS)

    技术参数


    | 参数 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 备注/测试条件 |
    | :: | :: | :: | :: | :: | :: |
    | VDS @ Tj,max | V | - | 650 | -
    | RDS(on),max | mΩ | - | 120 | -
    | Qg,typ | nC | - | 36 | -
    | ID,pulse | A | - | 78 | -
    | Eoss @ 400V | µJ | - | 4.0 | -

    产品特点和优势


    特点:
    - 多用途硬开关和软开关适用性:由于具有卓越的开关鲁棒性,适用于硬开关和软开关(如PFC和LLC)。
    - 显著降低的开关和导通损耗:有助于提高能效和紧凑性。
    - 出色的 ESD 抗扰度:所有产品的 ESD 保护 >2 kV(HBM)。
    - 更优的 RDS(on)/封装:与竞争产品相比,具备更低的 RDS(on)A(低于1 Ohmmm²)。
    - 全认证:符合 JEDEC 标准,适用于工业应用。
    优势:
    - 易于使用和快速设计:通过低振铃倾向和适用于 PFC 和 PWM 阶段的广泛适用性实现。
    - 简化热管理:由于低开关和导通损耗,降低了热管理难度。
    - 提高功率密度:由于采用较小的足迹和更高的制造质量,支持 ESD 保护 >2 kV。
    - 适用于广泛的功率范围:适合多种应用。

    应用案例和使用建议


    该器件可应用于各种高电压电源转换系统,如个人电脑电源适配器、液晶电视电源、LED 照明系统、服务器电源供应以及通信和 UPS 设备。为了更好地利用其优势,建议:
    - 在并联 MOSFET 时,使用铁氧体磁珠或单独的推挽结构来确保更好的电气性能。
    - 通过合理的布局和散热设计,降低器件温度以延长使用寿命。

    兼容性和支持


    IPZA60R120P7 支持广泛的电路设计,并与其他电子元器件高度兼容。对于详细的使用指导和支持文档,可参考英飞凌的官方网站上的相关链接(见附录 A2)。此外,英飞凌提供了丰富的产品支持服务和技术资源。

    常见问题与解决方案


    问题1:如何减少振铃效应?
    解答: 使用铁氧体磁珠或其他形式的阻尼网络来减少振铃现象。
    问题2:如何处理高温下的温度上升问题?
    解答: 确保良好的热设计和散热管理,例如通过合理放置散热器或液冷系统。
    问题3:如何确保 ESD 抗扰度?
    解答: 遵循 ESD 设计规范,并使用适当的防护电路和布局策略。

    总结和推荐


    总结:
    - 该 MOSFET 在多个方面表现出色,如低损耗、高可靠性、优秀的 ESD 保护和简便的设计流程。
    - 适用于多种高功率应用场合,特别是在要求高效能、紧凑设计的应用中。
    推荐:
    - 强烈推荐使用 IPZA60R120P7 MOSFET,特别是在高效率和紧凑型设计需求严格的环境中。该产品是目前市场上一款极具竞争力的高性能 MOSFET。

IPZA60R120P7XKSA1参数

参数
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 600V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 410µA
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 120mΩ@ 8.2A,10V
Id-连续漏极电流 26A
栅极电荷 36nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.544nF@400V
最大功率耗散 95W(Tc)
通用封装 TO-247-4
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装,管装

IPZA60R120P7XKSA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPZA60R120P7XKSA1数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPZA60R120P7XKSA1 IPZA60R120P7XKSA1数据手册

IPZA60R120P7XKSA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
50+ $ 1.913 ¥ 16.3103
100+ $ 1.8785 ¥ 16.1647
300+ $ 1.8613 ¥ 16.019
500+ $ 1.844 ¥ 15.8734
1000+ $ 1.7923 ¥ 15.1453
5000+ $ 1.7923 ¥ 15.1453
库存: 5711
起订量: 62 增量: 1
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