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IKB30N65EH5ATMA1

产品分类: IGBT单管
产品描述: 188W 1.65V 独立式 650V 55A TO-263-3 贴片安装
供应商型号: 2986350
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES IGBT单管 IKB30N65EH5ATMA1

IKB30N65EH5ATMA1概述


    产品简介


    IKB30N65EH5 是一款由英飞凌科技生产的第五代高速开关系列绝缘栅双极型晶体管(IGBT),采用先进的TRENCHSTOP™5技术。该产品集成了与其额定电流相匹配的快速反并联二极管,广泛应用于各种功率转换应用中。该器件具备出色的效率表现,在硬开关和共振拓扑结构中表现出色。其主要特点包括:
    - 额定电压为650V;
    - 最大结温可达175°C;
    - 铅-Free铅板电镀,符合RoHS标准;
    - 支持多种应用,包括太阳能逆变器、工业电源供应、焊接设备和充电站等。

    技术参数


    以下是IKB30N65EH5的主要技术规格及性能参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 集电极-发射极电压 | VCE | 650 V |
    | 集电极电流 | IC 30 | 55 | A |
    | 集电极脉冲电流 | ICpuls 90 | A |
    | 二极管正向电流 | IF 40 | 39.5 | A |
    | 二极管脉冲电流 | IFpuls 90 | A |
    | 栅极-发射极电压 | VGES| ±20 ±30 | V |
    | 功率耗散 | Ptot 188 W |
    | 工作结温 | TVJ| -40 +175 | °C |
    | 存储温度 | TSTG| -55 +150 | °C |

    产品特点和优势


    IKB30N65EH5的主要特点如下:
    - 高效率:由于采用了H5技术,IKB30N65EH5在硬开关和共振拓扑结构中具有最佳的能效表现。
    - 低QG:IGBT的栅极电荷较低,有助于减少开关损耗。
    - 全封装:与全电流等级的RAPID1快速反并联二极管集成在一起,提供了更加可靠的解决方案。
    - 高温适应性:最大结温达175°C,使得产品适用于严苛的环境条件。
    这些特性使得IKB30N65EH5成为太阳能逆变器、工业电源供应和焊接设备等高要求应用的理想选择。此外,它还具备出色的可靠性和稳定性,保证了长时间运行的稳定性能。

    应用案例和使用建议


    IKB30N65EH5广泛应用于以下场景:
    - 太阳能逆变器:可以用于太阳能发电系统中的电力转换,提高系统的整体效率。
    - 工业电源供应:适合于需要高效率、低损耗的工业电源供应系统。
    - 金属处理设备:例如焊接设备,能承受高强度的工作负荷。
    - 能源存储系统:可以在储能系统中提供高效的能量管理。
    为了充分发挥其性能,建议在设计电路时考虑以下几个方面:
    - 优化散热设计:由于其额定工作温度高达175°C,良好的散热设计是确保长期稳定工作的关键。
    - 选择合适的驱动电阻:根据负载条件合理设置门极电阻,以减小开关时间和开关损耗。
    - 注意反向恢复特性:在设计电路时需考虑二极管的反向恢复特性,防止过大的反向恢复电流导致的损害。

    兼容性和支持


    IKB30N65EH5与同一系列的其他型号及兼容性良好,可以方便地进行替换和升级。此外,英飞凌提供了详尽的技术文档和Spice模型下载链接(http://www.infineon.com/igbt/),便于用户深入理解和设计相关的应用电路。厂商还提供了全面的支持服务,帮助用户解决在使用过程中可能遇到的技术难题。

    常见问题与解决方案


    以下是用户可能遇到的一些常见问题及其解决方案:
    1. 高温环境下性能下降:确保散热片的设计合理,避免温度过高导致性能下降。
    2. 开关频率不稳定:检查门极驱动信号的质量,确保没有噪声干扰。
    3. 反向恢复时间较长:适当降低工作频率,或者更换具有更短反向恢复时间的二极管。

    总结和推荐


    IKB30N65EH5是一款高性能、高可靠性的高速开关IGBT模块,特别适用于高效率、高要求的应用场合。其卓越的耐高温能力、高效的开关特性和集成的反并联二极管使其在市场上具备强大的竞争力。经过严格的测试验证,该产品在工业应用中表现出色,可显著提升系统性能。
    综上所述,强烈推荐在高效率要求的太阳能逆变器、工业电源供应和焊接设备等应用中使用IKB30N65EH5。英飞凌提供的技术支持和服务也为用户的选型和设计过程提供了有力保障。

IKB30N65EH5ATMA1参数

参数
配置 独立式
集电极电流 55A
最大功率耗散 188W
VCEO-集电极-发射极最大电压 650V
最大集电极发射极饱和电压 1.65V
通用封装 TO-263-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

IKB30N65EH5ATMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IKB30N65EH5ATMA1数据手册

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IKB30N65EH5ATMA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 14.7941
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1000+ ¥ 14.5251
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