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IRLR3636PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 143W(Tc) 16V 2.5V@ 100µA 49nC@ 4.5 V 1个N沟道 60V 6.8mΩ@ 50A,10V 50A 3.779nF@50V DPAK 贴片安装
供应商型号: ET-1698302
供应商: 海外现货
标准整包数: 5
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRLR3636PBF

IRLR3636PBF概述

    HEXFET® Power MOSFET: IRLR3636PbF 和 IRLU3636PbF 技术手册

    产品简介


    HEXFET® Power MOSFET 是一款高性能的功率场效应晶体管(Power MOSFET),主要用于电源转换和电机驱动等领域。具体型号为 IRLR3636PbF 和 IRLU3636PbF,适用于多种应用场景,如直流电动机驱动、开关电源、不间断电源(UPS)和高频电路等。

    技术参数


    以下是两款 MOSFET 的技术规格和性能参数:
    - 额定电压 (VDSS):60V
    - 静态漏源导通电阻 (RDS(on)):典型值 5.4mΩ,最大值 6.8mΩ
    - 连续漏电流 (ID):
    - 在 25°C 时,硅限流:99A
    - 在 100°C 时,硅限流:70A
    - 脉冲漏电流 (IDM):最大值 396A
    - 最大耗散功率 (PD):25°C 时 96W
    - 栅极至源极电压 (VGS):最大值 ±16V
    - 反向恢复峰值电压 (dv/dt):最大值 0.95V/ns
    - 工作和存储温度范围 (TJ, TSTG):-55°C 至 +175°C

    产品特点和优势


    IRLR3636PbF 和 IRLU3636PbF 具有以下特点和优势:
    - 逻辑电平驱动优化:适合逻辑电平驱动,降低系统复杂度。
    - 低静态漏源导通电阻:在 4.5V 栅极电压下,静态漏源导通电阻非常低。
    - 优异的 RQ 性能:在 4.5V 栅极电压下表现优异。
    - 增强的栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐受性:提高整体可靠性。
    - 全面的雪崩特性测试:确保在极端条件下的可靠性。

    应用案例和使用建议


    这些 MOSFET 广泛应用于各种电力应用中,例如:
    - 直流电动机驱动:可以提供高效的驱动控制,减少能耗。
    - 开关电源中的同步整流:显著提高效率,特别是在硬开关和高频应用中。
    - 不间断电源:增强系统的可靠性和稳定性。
    使用建议:
    - 确保安装时引线布局合理,以避免过热问题。
    - 使用适当的散热措施,例如散热片或强制风冷,以维持正常工作温度。
    - 在应用中使用瞬态热阻抗图来计算合适的脉冲宽度和占空比。

    兼容性和支持


    这两种 MOSFET 具有良好的兼容性,可用于标准 PCB 尺寸的焊接。Infineon 提供详细的焊料技术和应用笔记,以帮助正确安装。此外,Infineon 还提供了详尽的技术支持和维护服务,确保客户能够顺利使用这些器件。

    常见问题与解决方案


    以下是常见的问题及其解决方案:
    - 问题:设备过热
    - 解决方案:检查系统散热设计,适当增加散热片或改进风道设计。
    - 问题:启动电流过大
    - 解决方案:通过调整栅极电阻和负载配置,优化启动过程。
    - 问题:反向恢复电流异常
    - 解决方案:检查电路中其他元件的兼容性和匹配情况,确保所有元件的工作状态良好。

    总结和推荐


    IRLR3636PbF 和 IRLU3636PbF 在多个方面表现出色,具备卓越的耐热性和可靠性。适用于高效率和高频应用场合。由于其优良的设计和制造工艺,推荐在需要高效率和稳定性的应用中使用这些 MOSFET。

IRLR3636PBF参数

参数
Id-连续漏极电流 50A
栅极电荷 49nC@ 4.5 V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 16V
Vds-漏源极击穿电压 60V
通道数量 1
最大功率耗散 143W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 100µA
Rds(On)-漏源导通电阻 6.8mΩ@ 50A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.779nF@50V
配置 独立式
6.73mm(Max)
6.22mm(Max)
2.52mm(Max)
通用封装 DPAK
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 散装,管装

IRLR3636PBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRLR3636PBF数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRLR3636PBF IRLR3636PBF数据手册

IRLR3636PBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ $ 1.9405 ¥ 16.3003
500+ $ 1.5674 ¥ 13.166
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