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IPB100N04S2L-03

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 300W 20V 163nC@ 10V 1个N沟道 40V 3mΩ@ 10V 100A 6nF@ 25V TO-263 贴片安装 10mm*9.25mm*4.4mm
供应商型号: Q-IPB100N04S2L-03
供应商: 期货订购
标准整包数: 1000
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPB100N04S2L-03

IPB100N04S2L-03概述

    IPB100N04S2L-03 和 IPP100N04S2L-03 产品技术手册

    1. 产品简介


    IPB100N04S2L-03 和 IPP100N04S2L-03 是一款由Infineon Technologies生产的OptiMOS® 功率晶体管。这两款产品属于N沟道逻辑电平增强型MOSFET,广泛应用于汽车和工业控制等领域。其主要特点包括高可靠性、低导通电阻和高温操作能力,使其在各种严苛环境中表现卓越。

    2. 技术参数


    关键参数如下:
    | 参数 | 符号 | 条件 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    ||
    | 漏极连续电流 | \(ID\) | TC=25°C, VGS=10V | A | - | 100 | 100 |
    | 漏极脉冲电流 | \(I{D,\text{pulse}}\) | TC=25°C | A | - | 400 | - |
    | 击穿电压 | \(V(BR){DSS}\) | VGS=0V, ID=1mA | V | 40 | - | 40 |
    | 阈值电压 | \(V{GS(th)}\) | VDS=VGS, ID=250μA | V | 1.2 | 1.6 | 2.0 |
    | 导通电阻 | \(R{DS(on)}\) | VGS=4.5V, ID=80A | mΩ | 2.9 | 3.2 | 4.4 |
    | 热阻抗 | \(R{thJC}\) | - | K/W | - | 0.5 | - |
    | 热阻抗 | \(R{thJA}\) | 引脚连接 | K/W | - | 62 | - |
    | 极限温度范围 | \(Tj\), \(T{stg}\) | - | °C | -55 | 175 | 175 |

    3. 产品特点和优势


    IPB100N04S2L-03 和 IPP100N04S2L-03 的显著特点包括:
    - N沟道逻辑电平增强型MOSFET:适用于多种驱动电路,易于实现。
    - 汽车级认证(符合AEC Q101标准):确保在汽车应用中的稳定性和可靠性。
    - 环保材料封装:无铅绿色包装,符合环保要求。
    - 超低导通电阻(典型值2.9 mΩ):降低了功耗,提高了能效。
    - 100%雪崩测试:增强了产品可靠性和耐用性。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 汽车电机控制
    - 工业电源转换器
    - 可再生能源系统中的功率管理
    使用建议:
    - 确保正确的热设计,特别是在高电流情况下,以防止过热损坏。
    - 使用合适的栅极电阻来控制开关速度,从而减少损耗。
    - 在设计过程中考虑到电磁干扰(EMI),选择适当的滤波器和其他保护措施。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该产品适用于广泛的电路设计,包括高压和高速开关应用。
    - 技术支持:Infineon提供了详尽的技术文档和支持服务,可通过官方网站获取进一步的信息和技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:产品过热
    - 解决方案:增加散热片或采用更高效的散热方案,确保良好的热管理。

    - 问题2:导通电阻偏高
    - 解决方案:检查接线和接触点是否良好,调整驱动电压至推荐值。

    7. 总结和推荐


    总体评估:
    - 优点:IPB100N04S2L-03 和 IPP100N04S2L-03 是理想的高性能N沟道MOSFET,具备优异的导通特性和可靠性,适合用于汽车和工业控制等领域。
    - 推荐:强烈推荐用于需要高性能、可靠性和宽温度范围的场合。Infineon的技术支持和优质服务也是一大亮点,使得这一产品成为市场上极具竞争力的选择。

IPB100N04S2L-03参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 300W
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 6nF@ 25V
配置 独立式
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 40V
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@ 10V
栅极电荷 163nC@ 10V
Id-连续漏极电流 100A
长*宽*高 10mm*9.25mm*4.4mm
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级

IPB100N04S2L-03厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPB100N04S2L-03数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPB100N04S2L-03 IPB100N04S2L-03数据手册

IPB100N04S2L-03封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10000+ $ 3.1 ¥ 25.823
30000+ $ 2.79 ¥ 23.2407
50000+ $ 2.48 ¥ 20.6584
100000+ $ 2.325 ¥ 19.3672
库存: 10000
起订量: 10000 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10000
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型号 价格(含增值税)
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