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IPB097N08N3 G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 100W(Tc) 20V 3.5V@ 46µA 35nC@ 10 V 1个N沟道 80V 9.7mΩ@ 46A,10V 70A 2.41nF@40V TO-263 贴片安装 10mm*9.25mm*4.4mm
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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPB097N08N3 G

IPB097N08N3 G概述


    产品简介


    IPP100N08N3 G、IPI100N08N3 G 和 IPB097N08N3 G 是一款高性能的电力晶体管,属于"%&$!"#™3系列。这类晶体管广泛应用于各种电力控制和转换系统中,如电源管理、电机驱动、光伏逆变器等领域。它们的主要功能是作为电流开关和电压放大器,通过精确控制电流流动来实现高效的电力转换和调控。

    技术参数


    以下是这些电力晶体管的关键技术规格:
    - 最大额定值
    - 集电极-发射极击穿电压:\(V{(BR)CEO} = 100\text{V}\)
    - 最大集电极电流:\(IC = 100\text{A}\)
    - 最大功率耗散:\(P{tot} = 210\text{W}\)(在 \(TC = 25^\circ\text{C}\) 条件下)
    - 热特性
    - 最大结温:\(T{jmax} = 150^\circ\text{C}\)
    - 最小热阻:\(R{thJC} = 0.6\text{K/W}\)
    - 电气特性
    - 典型阈值电压:\(V{GS(th)} = 2.0\text{V}\)
    - 最小输出导通电阻:\(R{DS(on)} = 3.4\text{m}\Omega\)(在 \(V{GS} = 10\text{V}\),\(ID = 150\text{A}\) 条件下)
    - 最大反向泄漏电流:\(I{DSS} = 1\mu\text{A}\)(在 \(V{DS} = 100\text{V}\),\(TJ = 25^\circ\text{C}\) 条件下)

    产品特点和优势


    这些电力晶体管具有以下显著特点:
    - 高电流能力:能够处理高达100安培的连续电流,适用于高功率应用。
    - 低导通电阻:典型值为3.4毫欧姆,确保较低的功耗和较高的效率。
    - 高可靠性:在极端温度条件下表现出色,最高结温可达150°C,适合恶劣环境下的使用。
    - 快速响应:得益于其低阈值电压和高开关频率能力,可以快速切换,提高系统的整体性能。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 光伏逆变器:利用这些晶体管的高效转换能力,可以将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电,供家庭或工业使用。
    - 电机驱动:在电动机调速和控制中,这些晶体管可实现平稳且高效的电流控制,从而提升电动机的性能。
    - 不间断电源系统(UPS):这些晶体管可以在负载波动时提供稳定可靠的电流供应,保护关键设备免受电力中断的影响。
    使用建议
    - 在设计电力转换电路时,确保选择合适的散热装置以维持晶体管的正常工作温度。
    - 采用适当的滤波器来减少开关噪声,保证系统的稳定性。
    - 定期进行维护检查,确保晶体管工作在安全范围内,避免因过载导致损坏。

    兼容性和支持


    这些电力晶体管可以与其他标准的功率电子组件良好兼容,如其他品牌的MOSFET和IGBT。Infineon Technologies提供详尽的技术文档和支持服务,帮助用户顺利集成到他们的设计中。此外,公司还提供了包括软件模拟工具和应用指南在内的多种资源,以方便用户进行设计和调试。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:晶体管出现过热现象。
    - 解决办法:检查散热系统是否有效,必要时增加散热片或风扇,降低环境温度。
    2. 问题:电源效率下降。
    - 解决办法:检查连接线是否有松动或接触不良的情况,调整栅极驱动电压以优化导通电阻。
    3. 问题:无法实现预期的开关速度。
    - 解决办法:检查电源和信号源是否稳定,调整栅极电阻以改善开关特性。

    总结和推荐


    IPP100N08N3 G、IPI100N08N3 G 和 IPB097N08N3 G 系列电力晶体管凭借其卓越的性能和可靠性,在众多电力电子应用中表现出色。它们不仅具备高电流处理能力和低导通电阻,还拥有广泛的温度适应范围和快速的开关速度。因此,强烈推荐这些产品用于需要高性能电力转换和控制的应用场合。用户只需根据具体应用需求选择合适型号,并按照最佳实践进行设计和安装,即可充分发挥其优势。

IPB097N08N3 G参数

参数
最大功率耗散 100W(Tc)
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 35nC@ 10 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.41nF@40V
Rds(On)-漏源导通电阻 9.7mΩ@ 46A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@ 46µA
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
Id-连续漏极电流 70A
Vds-漏源极击穿电压 80V
配置 独立式
长*宽*高 10mm*9.25mm*4.4mm
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
包装方式 散装,卷带包装

IPB097N08N3 G厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPB097N08N3 G数据手册

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