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ISP25DP06LMXTSA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon P沟道MOS管, Vds=60 V, 1.9 A, SOT-223封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: UA-ISP25DP06LMXTSA1
供应商: 海外现货
标准整包数: 1000
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) ISP25DP06LMXTSA1

ISP25DP06LMXTSA1概述

    ISP25DP06LM OptiMOSTM Small Signal Transistor

    1. 产品简介


    ISP25DP06LM 是一款采用 SOT-223-4 封装的P通道MOSFET,专为工业应用设计。它具有低导通电阻(RDS(on))和优良的雪崩耐受性。适用于各种高电压控制电路,广泛应用于通信设备、电源管理、汽车电子等领域。

    2. 技术参数


    - 封装类型: SOT-223-4
    - 引脚定义:
    - Drain (漏极): Pin 2, 4
    - Gate (栅极): Pin 1
    - Source (源极): Pin 3
    - 最大额定值:
    - 漏源击穿电压 (VDS): -60 V
    - 漏极连续电流 (ID): -1.9 A @ VGS=-10 V, TA=25 °C
    - 最大耗散功率 (Ptot): 5.0 W @ TS=25 °C
    - 电气特性:
    - 导通电阻 (RDS(on)): 最大 250 mΩ @ VGS=-4.5 V, ID=-1.7 A
    - 输入电容 (Ciss): 420 pF @ VGS=0 V, VDS=-30 V, f=1 MHz
    - 输出电容 (Coss): 60 pF @ VGS=0 V, VDS=-30 V, f=1 MHz
    - 反向转移电容 (Crss): 15 pF @ VGS=0 V, VDS=-30 V, f=1 MHz
    - 热特性:
    - 热阻 (RthJS): 25 °C/W
    - 结到外壳热阻 (RthJA): 70 °C/W

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻 (RDS(on)): ISP25DP06LM 具有非常低的导通电阻,在 VGS=-4.5 V 条件下 RDS(on) 最大仅为 250 mΩ,这使其在需要高效能的应用中表现出色。
    - 高可靠性: 所有产品均通过 100% 雪崩测试,确保了其在极端条件下的可靠性能。
    - 逻辑电平驱动: 作为增强型 MOSFET,ISP25DP06LM 可以用标准的逻辑电平进行驱动,简化了系统设计。
    - 环保合规: 无铅电镀,符合 RoHS 和无卤素标准(根据 IEC61249-2-21),适用于对环保有要求的应用场景。

    4. 应用案例和使用建议


    ISP25DP06LM 在多种高电压控制电路中有着广泛应用。例如,在通信电源模块中,它可以用于低压差线性稳压器(LDO)或开关电源(SMPS)的输出级,提供高效的电源转换。在使用过程中,建议注意散热管理,以避免过高的温度影响性能。对于长期运行的应用,可以通过增加散热片或改进 PCB 设计来提高散热效率。

    5. 兼容性和支持


    ISP25DP06LM 与市场上主流的 SOT-223 封装标准兼容,可以方便地替换其他同类型号的产品。Infineon 提供全面的技术支持和售后服务,用户可以通过 Infineon 的官方网站获取详细的技术文档、开发工具和参考设计,同时还可以联系技术支持团队解决使用过程中的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: ISP25DP06LM 的最大额定连续漏极电流是多少?
    - A: 在 VGS=-10 V, TA=25 °C 条件下,最大额定连续漏极电流为 -1.9 A。
    - Q: ISP25DP06LM 是否适合高温环境使用?
    - A: ISP25DP06LM 的工作温度范围为 -55 °C 至 150 °C,因此可以在广泛的温度范围内稳定工作。但高温环境下应注意散热管理,以避免过热损坏。
    - Q: 如何改善 ISP25DP06LM 的散热效果?
    - A: 可以通过增加散热片或优化 PCB 布局来改善散热效果。确保良好的热传导路径,以便将热量快速散发出去。

    7. 总结和推荐


    ISP25DP06LM 作为一款高性能的 P 通道 MOSFET,具备出色的导通电阻和可靠的雪崩耐受性。其优异的电气特性和兼容性使其成为工业应用中的理想选择。我们强烈推荐这款产品,特别是对于需要高效能和良好稳定性的应用场景。如果您对 ISP25DP06LM 或其他相关产品有任何疑问,欢迎随时联系 Infineon 的技术支持团队。

ISP25DP06LMXTSA1参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
配置 独立式
Id-连续漏极电流 1.9A
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 1.8W(Ta),5W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 420pF@30V
Rds(On)-漏源导通电阻 250mΩ@ 1.9A,10V
FET类型 1个P沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 270µA
栅极电荷 13.9nC@ 10 V
通道数量 1
通用封装 SOT-223-4
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

ISP25DP06LMXTSA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

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ISP25DP06LMXTSA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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2000+ $ 0.1688 ¥ 1.4141
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