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IPP076N15N5AKSA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道MOS管 OptiMOS 5系列, Vds=150 V, 112 A, TO-220封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: UA-IPP076N15N5AKSA1
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPP076N15N5AKSA1

IPP076N15N5AKSA1概述

    IPP076N15N5 MOSFET 技术手册

    产品简介


    IPP076N15N5 是一款由 Infineon Technologies 生产的 OptiMOSª5 功率晶体管,适用于高频率开关和同步整流。它具有低至 7.6 mΩ 的导通电阻(RDS(on)),最大击穿电压为 150 V,能够在 175°C 的高温下稳定运行。该产品符合 RoHS 和无卤素标准,适合广泛应用在电源转换、电机驱动和照明系统等领域。

    技术参数


    - 基本参数
    - 击穿电压:V(BR)DSS = 150 V
    - 最大导通电阻:RDS(on)max = 7.6 mΩ
    - 连续漏极电流:ID = 112 A
    - 反向恢复电荷:Qrr = 96 nC
    - 动态参数
    - 输入电容:Ciss = 3600 - 4700 pF
    - 输出电容:Coss = 900 - 1200 pF
    - 门至源电荷:Qgs = 21 nC
    - 门至漏电荷:Qgd = 10 - 15 nC
    - 转换电荷:Qsw = 17 nC
    - 总门电荷:Qg = 49 - 61 nC
    - 源漏导通电阻:RDS(on) = 5.9 - 8.4 mΩ
    - 热特性
    - 热阻:RthJC = 0.4 - 0.7 K/W
    - 最小封装热阻:RthJA = 62 K/W
    - 电气特性
    - 阈值电压:VGS(th) = 3.0 - 4.6 V
    - 门阈值电荷:Qg = 49 - 61 nC

    产品特点和优势


    IPP076N15N5 MOSFET 的主要优势在于其出色的导通电阻和门电荷乘积(FOM)指标。其极低的 RDS(on) 使得在高频应用中具有较高的效率,非常适合用于高频率开关应用。此外,它非常耐高温,可以在高达 175°C 的环境下正常工作,提高了其可靠性和稳定性。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例
    - 在一个典型的电源转换电路中,IPP076N15N5 MOSFET 被用作主开关管,实现了高效的能量转换,显著降低了功耗。
    - 在电池充电电路中,IPP076N15N5 能够快速响应电池需求的变化,保持稳定的充电电流。
    - 使用建议
    - 由于其低导通电阻和良好的温度特性,建议在高频应用中使用 IPP076N15N5,以实现更高的能效。
    - 在选择外部栅极电阻时,要确保栅极电荷与所需的开关速度相匹配,避免过度驱动导致的损坏。

    兼容性和支持


    IPP076N15N5 MOSFET 支持 TO-220-3 封装,便于焊接安装。Infineon Technologies 提供全面的技术支持,包括产品选型指南、应用笔记和技术文档等。此外,公司还提供客户热线和技术论坛,方便用户获取帮助和解决问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 开关过程中发热严重。
    - 解决方案: 检查电路设计是否合理,确保栅极电阻合适,同时增加散热片以提高散热效果。
    - 问题: 开关速度慢。
    - 解决方案: 调整栅极电阻,减小栅极电荷,确保驱动信号足够强以加快开关速度。

    总结和推荐


    IPP076N15N5 MOSFET 在功率晶体管领域表现出色,以其低导通电阻、高频率特性和优良的温度稳定性而著称。它非常适合用于高效率电源转换和电机驱动等应用。我们强烈推荐使用 IPP076N15N5 MOSFET,以实现更好的能效和可靠性。

IPP076N15N5AKSA1参数

参数
最大功率耗散 214W(Tc)
配置 独立式
栅极电荷 21nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 7.6mΩ@ 56A,10mΩ
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 150V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.7nF@75V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.6V@ 160µA
通道数量 1
Id-连续漏极电流 112A
长*宽*高 10mm*4.4mm*15.65mm
通用封装 TO-220-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IPP076N15N5AKSA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPP076N15N5AKSA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPP076N15N5AKSA1 IPP076N15N5AKSA1数据手册

IPP076N15N5AKSA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 1.85 ¥ 15.503
100+ $ 1.825 ¥ 15.2935
302+ $ 1.75 ¥ 14.665
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