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IPA60R280P6

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 32W(Tc) 20V 4.5V@ 430µA 25.5nC@ 10 V 1个N沟道 600V 280mΩ@ 5.2A,10V 1.19nF@100V 通孔安装 10.5mm*4.7mm*16mm
供应商型号: IPA60R280P6
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPA60R280P6

IPA60R280P6概述

    # CoolMOS™ P6 600V Power Transistor

    产品简介


    基本介绍
    CoolMOS™ P6 系列是基于超级结(Super Junction)原理设计的一款高性能功率 MOSFET,由英飞凌科技开发。CoolMOS™ P6 采用了公司长期积累的经验和最新的创新技术,提供所有快速开关的 SJ MOSFET 的优势,同时保持易于使用的特点。其超低的开关损耗和导通损耗使其在各种开关应用中更为高效、紧凑、轻量且散热良好。
    主要功能
    - 极低的损耗:由于非常低的 FOM(比导通电阻 Rdson 和栅极电荷 Qg 之积)和反向恢复能量 Eoss。
    - 高度抗冲击:包括增强的 dv/dt 耐受性和高度抗冲击的电容。
    - 易于驱动:具备标准的栅极驱动要求,无需复杂配置。
    - 无铅镀层:采用无铅电镀和无卤素模具化合物。
    - 工业级认证:符合 JEDEC 标准 J-STD-20 和 JESD22 的工业级应用认证。
    应用领域
    - 功率因数校正(PFC)阶段
    - 硬开关 PWM 阶段
    - 谐振开关阶段
    - 应用于 PC 电源银箱、适配器、LCD/PDP 电视、照明系统、服务器、电信设备及不间断电源(UPS)

    技术参数


    关键性能参数
    | 参数名称 | 单位 | 典型值 | 最大值 |
    ||
    | 栅极-源极电压(静态) | V | ±20 | - |
    | 栅极-源极电压(动态) | V | ±30 | - |
    | 最高工作温度 | °C | 150 | - |
    | 最低工作温度 | °C | -55 | - |
    | 最大连续漏极电流 | A | 8.8 | - |
    | 最大脉冲漏极电流 | A | 39 | - |
    | 反向恢复时间 | ns | 263 | - |
    | 最高漏源击穿电压 | V | 650 | - |
    | 导通电阻 | mΩ | 280 | - |
    | 输入电容 | pF | 1190 | - |
    | 输出电容 | pF | 54 | - |
    | 有效输出电容(能量相关) | pF | 44 | - |
    | 有效输出电容(时间相关) | pF | 182 | - |
    | 门极电荷总和 | nC | 25.5 | - |

    产品特点和优势


    独特功能
    1. 增强的 dv/dt 耐受性:CoolMOS™ P6 在不同电压范围内的耐冲击能力得到了显著提升。
    2. 极低损耗:通过极低的 FOM 和 Eoss,CoolMOS™ P6 大幅降低了能耗,提高整体效率。
    3. 高度抗冲击:非常高的 dv/dt 耐受性和优异的反向恢复性能使得其适用于高压环境下的频繁开关。
    4. 易于驱动:满足标准的栅极驱动需求,使系统集成更加便捷。
    5. 环保材料:采用无铅镀层和无卤素模具化合物,符合环保标准。
    市场竞争力
    CoolMOS™ P6 以其出色的电气性能和可靠性,在高频、高速开关应用中具有显著的优势。特别是在诸如 LCD/PDP 电视、服务器和 UPS 等应用中,其高能效和小体积特性使其成为市场的首选产品之一。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    CoolMOS™ P6 广泛应用于各类开关电源设计中,如 PC 电源银箱、适配器、LCD/PDP 电视、服务器、电信设备及 UPS。其出色的频率响应和快速开关性能特别适合于谐振开关阶段的应用,能够显著减少系统的总体功耗。
    使用建议
    1. 正确的并联配置:在需要并联多个 MOSFET 时,建议在栅极使用扼流圈或者单独的推拉电路,以避免偏置不均。
    2. 热管理:合理设计散热结构,确保 MOSFET 在安全的工作温度范围内运行,特别是对于连续工作时的温度控制。
    3. 正确的驱动电路:确保合适的栅极驱动电阻和信号源选择,以避免过高的栅极电压导致的损坏。

    兼容性和支持


    CoolMOS™ P6 有多种封装形式,包括 PG-TO 247、PG-TO 263、PG-TO 220 和 PG-TO 220 FullPAK。这些不同的封装选项提供了良好的灵活性,适用于不同的应用场合。厂商提供了相关的模拟模型和支持工具,用户可以访问官网获取更多信息。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何正确选择合适的封装?
    - 解答:选择合适的封装需根据具体应用环境,包括散热要求、空间限制等因素综合考虑。可以通过查阅产品手册或联系技术支持获取更多帮助。

    2. 问题:在高频应用中,如何优化驱动电路以获得最佳性能?
    - 解答:可以通过优化栅极电阻值来减小寄生电容的影响,使用合适的驱动电源保证快速开关。具体数值可参考技术手册或仿真模型进行调整。

    3. 问题:如何确保CoolMOS™ P6在高压环境下稳定工作?
    - 解答:需要确保工作电压不超过规定的最大值,并采取必要的热管理措施,如合理的散热设计,以防止过热失效。

    总结和推荐


    综合评估
    CoolMOS™ P6 作为一款高端功率 MOSFET,拥有出色的性能表现和广泛的应用领域。其极低的损耗、优秀的电气特性和抗冲击能力,使其成为高频开关应用中的理想选择。同时,多样的封装形式和良好的兼容性,也使其适应各种复杂的应用环境。
    推荐意见
    综上所述,CoolMOS™ P6 无疑是市场上的一款优质产品,特别适合于需要高效率、小体积、强可靠性的应用场合。强烈推荐给对开关电源设计有较高要求的设计工程师和技术人员。

IPA60R280P6参数

参数
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 280mΩ@ 5.2A,10V
通道数量 1
Id-连续漏极电流 -
栅极电荷 25.5nC@ 10 V
最大功率耗散 32W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.19nF@100V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@ 430µA
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 600V
长*宽*高 10.5mm*4.7mm*16mm
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 散装,管装

IPA60R280P6厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPA60R280P6数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R280P6 IPA60R280P6数据手册

IPA60R280P6封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 7.7505
100+ ¥ 7.406
500+ ¥ 7.119
1000+ ¥ 6.7745
3000+ ¥ 6.5449
库存: 9605
起订量: 10 增量: 0
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