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IPB081N06L3 G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 79W 20V 2.2V 22nC@ 4.5V 1个N沟道 60V 8.1mΩ@ 10V 3.7nF@ 30V TO-263-3 贴片安装,黏合安装 10mm*9.25mm*4.4mm
供应商型号: 726-IPB081N06L3G
供应商: Mouser
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPB081N06L3 G

IPB081N06L3 G概述

    OptiMOS™3 Power Transistors 技术手册

    产品简介


    OptiMOS™3 是一款高性能的 N 沟道逻辑电平功率晶体管,适用于高频开关及同步整流。该系列产品广泛应用于直流到直流(DC/DC)转换器中,具备出色的栅极电荷与导通电阻乘积(FOM),能够有效提升系统效率。这些产品具有无铅电镀,符合RoHS标准,并通过JEDEC认证,保证了其可靠性和广泛的应用适应性。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 60 V
    - 漏极连续电流 \( ID \): 50 A
    - 脉冲漏极电流 \( I{D,pulse} \): 200 A
    - 雪崩能量 \( E{AS} \): 43 mJ
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ±20 V
    - 最大功耗 \( P{tot} \): 79 W(当 \( TC = 25^\circ C \)时)
    - 工作和存储温度 \( Tj, T{stg} \): -55 ... 175°C
    - 热特性
    - 结至壳热阻 \( R{thJC} \): 1.9 K/W
    - 结至环境热阻 \( R{thJA} \):
    - 最小面积:62 K/W
    - 最小散热面积为6 cm²时:40 K/W
    - 电气特性
    - 击穿电压 \( V(BR)DSS \): 60 V
    - 栅阈值电压 \( V{GS(th)} \): 1.2 ... 2.2 V
    - 栅源泄漏电流 \( I{GSS} \): 1 ... 100 nA
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \):
    - \( V{GS}=10 V, ID=50 A \): 6.7 ... 8.1 mΩ
    - \( V{GS}=4.5 V, ID=25 A \): 9.4 ... 14 mΩ
    - 动态特性
    - 输入电容 \( C{iss} \): 3700 ... 4900 pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 690 ... 920 pF
    - 反向传输电容 \( C{rss} \): 31 pF
    - 开启延迟时间 \( t{d(on)} \): 15 ns
    - 关闭延迟时间 \( t{d(off)} \): 37 ns

    产品特点和优势


    - 高频开关优化:OptiMOS™3 专为高频率开关设计,特别适合用于同步整流,提高系统的整体效率。
    - 低导通电阻:在典型工作条件下,其导通电阻 \( R{DS(on)} \) 低至 6.7 mΩ,使得功耗极低。
    - 优秀的栅极电荷特性:栅极电荷总值 \( Qg \) 低至 22 nC,有助于降低开关损耗。
    - 100% 雪崩测试:确保了产品在极端条件下的可靠性。
    - 环保材料:无铅电镀,符合RoHS标准,且符合IEC61249-2-21关于无卤素的规定。

    应用案例和使用建议


    - DC/DC 转换器:OptiMOS™3 广泛应用于 DC/DC 转换器中,提升转换效率。例如,在一个典型的降压转换器设计中,OptiMOS™3 可以显著降低功耗并提高输出精度。
    - 太阳能逆变器:由于其出色的高频开关性能和低导通电阻,OptiMOS™3 可用于太阳能逆变器中,提高系统效率和可靠性。
    - 工业电机控制:在工业电机控制应用中,OptiMOS™3 的高效能可以减少发热,延长系统寿命。
    使用建议:
    - 确保电路设计符合最大额定值的要求,特别是在高温环境中,要注意散热。
    - 对于高频开关应用,合理配置栅极电阻,以优化开关时间和功耗。

    兼容性和支持


    - 封装:OptiMOS™3 提供多种封装选项,包括 TO263-3、TO220-3 和 TO262-3,满足不同的安装需求。
    - 厂商支持:Infineon Technologies 提供全面的技术支持和维护服务,包括在线文档、技术支持热线和应用指南。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 开关过程中过热导致失效。
    - 解决方案: 检查散热设计是否充分,确保在高功率应用中使用适当的散热器。
    - 问题2: 输出电流不稳定。
    - 解决方案: 检查电路连接和负载情况,确保负载稳定且不超出额定范围。
    - 问题3: 开关噪声过高。
    - 解决方案: 使用合适的滤波器和缓冲电路,减小噪声干扰。

    总结和推荐


    OptiMOS™3 功率晶体管是一款高效、可靠的电子元件,适用于多种高要求的应用场合。其低导通电阻、优秀的高频开关特性和广泛的适用温度范围使其在市场上具有很高的竞争力。我们强烈推荐在高频开关、DC/DC转换器和太阳能逆变器等应用中使用这款产品。

IPB081N06L3 G参数

参数
最大功率耗散 79W
Rds(On)-漏源导通电阻 8.1mΩ@ 10V
通道数量 1
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V
栅极电荷 22nC@ 4.5V
Id-连续漏极电流 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.7nF@ 30V
Vgs-栅源极电压 20V
长*宽*高 10mm*9.25mm*4.4mm
通用封装 TO-263-3
安装方式 贴片安装,黏合安装
包装方式 卷带包装

IPB081N06L3 G厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPB081N06L3 G数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPB081N06L3 G IPB081N06L3 G数据手册

IPB081N06L3 G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 1.863 ¥ 15.7424
10+ $ 1.4145 ¥ 11.9525
100+ $ 1.0303 ¥ 8.7062
500+ $ 0.8737 ¥ 7.3829
1000+ $ 0.7106 ¥ 6.0049
2000+ $ 0.65 ¥ 5.4921
5000+ $ 0.629 ¥ 5.3146
库存: 700
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型号 价格(含增值税)
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