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IRF1324PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=24 V, 353 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: UA-IRF1324PBF
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRF1324PBF

IRF1324PBF概述

    HEXFET® Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    HEXFET® 是一款高性能的N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),专为工业应用设计。它以其卓越的坚固性和高效的电源转换能力而著称。该器件适用于同步整流、不间断电源系统、高速功率开关等多种高要求应用场合。其独特的结构使得在硬开关和高频电路中表现尤为出色。

    技术参数


    以下是HEXFET® 的关键技术规格和性能参数:
    - 电压参数
    - 最大漏源击穿电压(V(BR)DSS):24V
    - 漏极连续电流(ID)
    - TC = 25°C:353A
    - TC = 100°C:249A
    - TC = 25°C(引线限制):1412A
    - 脉冲漏极电流(IDM):195A
    - 电阻参数
    - 静态漏源导通电阻(RDS(on)):典型值 1.2mΩ,最大值 1.5mΩ
    - 电容参数
    - 输入电容(Ciss):7590pF
    - 输出电容(Coss):3440pF
    - 反向传输电容(Crss):1960pF
    - 有效输出电容(时间相关,Coss eff. (TR)):4490pF
    - 有效输出电容(能量相关,Coss eff. (ER)):4700pF
    - 热参数
    - 结到外壳热阻(RθJC):0.50°C/W
    - 结到环境热阻(RθJA):62°C/W
    - 其他
    - 动态门电荷(Qg):160nC - 240nC
    - 门至源电荷(Qgs):84nC
    - 门至漏电荷(Qgd):49nC

    产品特点和优势


    - 增强的坚固性:HEXFET® 在门极、雪崩和动态dV/dt方面具有出色的坚固性。
    - 完全指定的电容和雪崩安全操作区域:全面测试确保器件在极端条件下的可靠性。
    - 增强的体二极管特性:快速恢复能力和低dv/dt特性。
    - 无铅设计:符合环保标准,适用于现代电子产品。

    应用案例和使用建议


    HEXFET® 广泛应用于各种高性能电源转换系统中,例如同步整流、不间断电源系统、高速功率开关、硬开关和高频电路。具体应用包括:
    - 同步整流:在开关模式电源(SMPS)中,HEXFET® 提供高效的电源转换。
    - 不间断电源系统:用于提供稳定可靠的电源输出。
    - 高速功率开关:在需要快速切换的应用中表现出色。
    使用建议:在选择HEXFET® 时,请考虑其额定电流和电压,并注意散热管理以避免过热。建议使用散热片并确保良好的热传导路径。

    兼容性和支持


    HEXFET® 的TO-220AB封装不适合表面贴装应用。Infineon Technologies 提供详尽的技术支持,包括详细的安装指南和维修文档。客户可以通过访问Infineon Technologies 的官方网站获取更多信息和支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何处理过温故障?
    - 解决方案:确保适当的散热措施,如使用散热片和热管。监控温度并在必要时采取措施降低温度。
    - 问题:如何处理电流限制问题?
    - 解决方案:检查门极电阻和驱动电路,确保正确配置以防止电流限制。

    总结和推荐


    HEXFET® 是一款高性能的N沟道功率MOSFET,适用于多种高要求应用。其出色的坚固性、高效的电容特性以及优秀的散热性能使其在市场上具有显著的竞争优势。对于需要高可靠性和高性能电源转换系统的应用,强烈推荐使用HEXFET®。
    请注意,该产品的数据和规格可能会发生更改,务必参考最新版本的手册以获得准确信息。

IRF1324PBF参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 240nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 195A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 24V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 7.59nF@24V
最大功率耗散 300W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 1.5mΩ@ 195A,10V
配置 独立式
FET类型 1个N沟道
10.67mm(Max)
4.83mm(Max)
9.02mm(Max)
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
零件状态 新设计不推荐
包装方式 管装

IRF1324PBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRF1324PBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRF1324PBF IRF1324PBF数据手册

IRF1324PBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 1.3125 ¥ 10.9988
124+ $ 1.3125 ¥ 10.9988
378+ $ 1.3 ¥ 10.894
986+ $ 1.25 ¥ 10.475
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