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IRFR3607TRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道MOS管, Vds=75 V, 80 A, D-Pak (TO-252AA)封装, 通孔安装
供应商型号: 11M-IRFR3607TRPBF
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRFR3607TRPBF

IRFR3607TRPBF概述


    产品简介


    产品类型:IRFR3607PbF 和 IRFU3607PbF 是高性能的 HEXFET Power MOSFET(功率金属氧化物半导体场效应晶体管)。
    主要功能:
    - 具有优异的栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐压能力。
    - 高精度电容和雪崩安全操作区(SOA)。
    - 增强的体二极管 dv/dt 和 di/dt 能力。
    应用领域:
    - 高效同步整流器在开关模式电源(SMPS)中的应用。
    - 不间断电源系统。
    - 高速功率开关。
    - 硬开关和高频电路。

    技术参数


    - 基本参数:
    - VDSS(漏源电压):75V
    - RDS(on)(导通电阻):典型值为 7.34mΩ,最大值为 9.0mΩ
    - ID(连续漏电流,硅限):80A(最大值 56A)
    - 绝对最大额定值:
    - ID(漏电流,温度 TC=25°C,硅限):80A
    - IDM(脉冲漏电流):未指定
    - PD(最大耗散功率,TC=25°C):140W
    - VGS(栅极-源极电压):±20V
    - dv/dt(峰值二极管恢复):±0.96V/ns
    - 热阻抗:
    - RθJC(结-壳):1.045°C/W
    - RθJA(结-环境,PCB 安装):50°C/W
    - RθJA(结-环境):110°C/W

    产品特点和优势


    IRFR3607PbF 和 IRFU3607PbF 的独特功能和优势在于:
    - 高可靠性:改进的栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐压能力。
    - 精确特性:完全标定的电容和雪崩 SOA。
    - 增强性能:增强的体二极管 dv/dt 和 di/dt 能力。
    这些特性使得它们在工业应用中表现出色,特别是在高效率、高速和高频电路中。产品在恶劣环境下表现出色,具备良好的市场竞争力。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 开关模式电源(SMPS):在这些应用中,IRFR3607PbF 和 IRFU3607PbF 通过提高系统的效率来实现更好的能源管理。
    - 不间断电源系统(UPS):利用其高可靠性,确保在断电情况下提供稳定电源。
    - 硬开关和高频电路:适用于需要快速响应和低损耗的应用场合。
    使用建议
    - 在设计中应考虑热管理措施,以确保 MOSFET 不超过最大允许的结温(175°C)。
    - 使用合适的驱动电路以确保最佳的开关性能,例如,使用栅极电阻(RG)限制开关速度。

    兼容性和支持


    IRFR3607PbF 和 IRFU3607PbF 可与多种 PCB 设计兼容。建议使用 1" 平方的 FR-4 或 G-10 材料制作 PCB,且必须符合应用说明 #AN-994 中推荐的焊点和焊接技术。对于详细的支持信息和维护指导,可以访问制造商的网站。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:系统过热导致性能下降。
    - 解决办法:确保散热片安装良好,并增加额外的冷却措施,如风扇。

    - 问题2:开关频率过高导致振铃现象严重。
    - 解决办法:增加栅极电阻(RG),减缓开关速度,从而减少振铃现象。

    总结和推荐


    综合评估:IRFR3607PbF 和 IRFU3607PbF 是高性能的 MOSFET,在高效率、高速和高频应用中表现出色。这些器件具有出色的可靠性、精确的特性标定以及增强的体二极管能力,使其在多种工业应用中具有显著的优势。
    推荐结论:鉴于其卓越的性能和广泛应用的适用性,我们强烈推荐在需要高效、可靠、高性能 MOSFET 的应用中使用 IRFR3607PbF 和 IRFU3607PbF。

IRFR3607TRPBF参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@ 46A,10V
Id-连续漏极电流 56A
通道数量 1
栅极电荷 84nC@ 10 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.07nF@50V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 100µA
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 140W(Tc)
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 75V
6.73mm(Max)
6.22mm(Max)
2.52mm(Max)
通用封装 2000,TO-252,TO-252-2,TO-252-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IRFR3607TRPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRFR3607TRPBF数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRFR3607TRPBF IRFR3607TRPBF数据手册

IRFR3607TRPBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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