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IPB35N10S3L-26

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 71W 20V 1.2V 30nC@ 10V 1个N沟道 100V 26.3mΩ@ 10V 35A 2.07nF@ 25V TO-263 贴片安装,黏合安装 10mm*9.25mm*4.4mm
供应商型号: IPB35N10S3L-26
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPB35N10S3L-26

IPB35N10S3L-26概述

    IPB35N10S3L-26 OptiMOS™-T Power Transistor 技术手册解析

    1. 产品简介


    IPB35N10S3L-26 OptiMOS™-T Power Transistor 是一款由 Infineon Technologies 生产的高效能N沟道增强型场效应晶体管(FET)。该产品通过了汽车等级AEC Q101认证,适用于各种汽车和工业应用。OptiMOS™-T系列以其出色的热性能和低导通电阻(R DS(on))著称,特别适合于需要高效率、高功率密度的应用场景。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 条件 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |

    | 连续漏极电流 | I D | TC=25°C, V GS=10V | A | - | 35 | - |
    | 脉冲漏极电流 | I D,pulse | TC=25°C | A | - | 140 | - |
    | 漏源击穿电压 | V(BR)DSS | V GS=0V, I D=1mA | V | - | 100 | - |
    | 零栅极电压漏极电流 | I DSS | V DS=80V, V GS=0V, T J=25°C | μA | - | 0.01 | 0.1 |
    | 栅源泄漏电流 | I GSS | V GS=20V, V DS=0V | nA | - | - | 100 |
    | 漏源导通电阻 | R DS(on) | V GS=4.5V, I D=35A | mΩ | - | 24.8 | 32.2 |
    | 热阻抗 | R thJC | - | K/W | - | 2.1 | - |
    其他参数请参见完整技术手册中的详细信息。

    3. 产品特点和优势


    - 高性能:IPB35N10S3L-26具有低至24.8mΩ的R DS(on),提供卓越的导电性能,从而实现高效率。
    - 可靠性:通过了AEC Q101汽车认证,确保在严苛环境下也能稳定运行。
    - 环保:产品符合RoHS标准,是绿色、环保的选择。
    - 坚固耐用:100%冲击测试,峰值回流温度高达260°C,确保产品在恶劣条件下也能正常工作。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电动汽车和混合动力汽车中的电机驱动系统
    - 工业控制设备中的电源转换
    - 高频开关电源中的开关元件
    使用建议:
    - 在设计电路时,考虑到IPB35N10S3L-26的低R DS(on)特性,可以有效降低损耗并提高整体效率。
    - 使用适当的散热措施,以保持器件在最佳工作温度范围内。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该产品广泛适用于各种基于MOSFET的应用中。
    - 支持:Infineon Technologies 提供全面的技术支持和售后服务,确保客户能够充分利用该产品的优势。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 无法达到预期的电流输出 | 检查连接线路是否完好,确保正确的栅极电压。 |
    | 温度过高 | 使用适当的散热措施,如加装散热片或风扇。 |
    | 寿命缩短 | 确保工作环境符合产品要求,避免过载使用。 |

    7. 总结和推荐


    IPB35N10S3L-26 OptiMOS™-T Power Transistor 是一款具备高可靠性和高性能的N沟道增强型场效应晶体管。凭借其卓越的导电性能、严格的环境适应能力和绿色制造,该产品非常适合应用于汽车、工业控制等领域。强烈推荐在需要高效能和稳定性高的场合中使用此产品。
    如有任何疑问或需要进一步技术支持,请联系 Infineon Technologies 的客户服务部门。

IPB35N10S3L-26参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 26.3mΩ@ 10V
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.2V
最大功率耗散 71W
Vds-漏源极击穿电压 100V
Id-连续漏极电流 35A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.07nF@ 25V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 30nC@ 10V
长*宽*高 10mm*9.25mm*4.4mm
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装,黏合安装
应用等级 汽车级
包装方式 卷带包装

IPB35N10S3L-26厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPB35N10S3L-26数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPB35N10S3L-26 IPB35N10S3L-26数据手册

IPB35N10S3L-26封装设计

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500+ ¥ 8.3421
1000+ ¥ 8.203
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