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IRFZ44NSTRLPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N沟道MOS管, Vds=55 V, 49 A, TO-262封装, 表面贴装
供应商型号: 26M-IRFZ44NSTRLPBF
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRFZ44NSTRLPBF

IRFZ44NSTRLPBF概述


    产品简介


    产品类型: 本产品为F530S型场效应晶体管(FET),采用D2Pak封装形式,外形尺寸符合EIA-418标准。
    主要功能:
    - 具有高耐压能力,可在多种电压条件下稳定工作。
    - 拥有低静态导通电阻(RDS(on)),保证在高电流条件下的低功耗。
    - 内置体二极管,可实现反向电压保护及快速恢复功能。
    应用领域:
    - 广泛应用于直流至直流转换器、马达驱动器、电源管理等领域。
    - 特别适用于需要高速开关性能的应用场合,如电池充电电路和逆变器等。

    技术参数


    热阻参数:
    - RθJC(结到外壳热阻):1.5 °C/W
    - RθJA(结到环境热阻):40 °C/W
    绝对最大额定值:
    - 连续漏极电流,VGS = 10V时:ID @ TC = 25°C下为49A;ID @ TC = 100°C下为35A
    - 脉冲漏极电流:IDM 为160A
    - 最大功率损耗,TA = 25°C下为3.8W;TC = 25°C下为94W
    - 门极至源极电压:VGS = ±20V
    - 雪崩电流:IAR = 25A
    - 雪崩能量:EAR = 9.4mJ
    - 峰值dV/dt:dv/dt ≤ 5.0 V/ns
    工作温度范围:
    - 工作温度范围:-55°C 到 +175°C
    - 存储温度范围:-55°C 到 +175°C
    - 焊接温度:在距离外壳1.6mm处为300°C,焊接时间不超过10秒

    产品特点和优势


    优势概述:
    - 低静态导通电阻:RDS(on) ≤ 17.5mΩ,保证在高电流条件下的低功耗。
    - 高雪崩能量:EA = 9.4mJ,适合承受瞬态高压的应用场合。
    - 优秀的散热性能:较低的热阻,确保长时间稳定运行。
    - 紧凑封装:采用D2Pak封装,易于集成,减少外部电路复杂度。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在一个典型的直流至直流转换器设计中,F530S作为开关器件使用,可以提供快速的开关速度和稳定的性能表现。
    使用建议:
    - 在高温环境中工作时,建议采取有效的散热措施,如增加散热片或强制风冷,以保证设备的长期稳定性。
    - 在高频开关应用中,需考虑电路布局以减少寄生电感的影响,例如将栅极驱动线尽量短且宽。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - F530S与其他电子元器件具有良好的兼容性,适用于大多数现代电子系统。
    - 该型号产品可与多种电源管理和电机控制模块配套使用,确保系统的高效运行。
    支持和服务:
    - 由国际整流器公司提供专业技术支持。
    - 用户可通过制造商官网获取最新的产品文档和技术资料。
    - 提供售后支持,确保客户能够得到及时的技术帮助和产品维护。

    常见问题与解决方案


    常见问题:
    - 问题1:在高温环境下,设备过热并自动关闭。
    - 解决方案:增加散热装置或改善散热设计,确保设备能在允许的工作温度范围内运行。

    - 问题2:启动时出现异常行为,如无法正常关断。
    - 解决方案:检查驱动电路的设计,确保门极驱动信号正确无误,且满足VGS阈值要求。

    总结和推荐


    综合评估:
    - F530S作为一款高性能的场效应晶体管,具备出色的热性能和电气特性,是各种高可靠性电子系统设计的理想选择。
    - 产品不仅能够满足一般应用需求,还特别适合于高频、高可靠性的工业控制系统。
    推荐:
    - 推荐在需要高频率开关性能和紧凑封装的应用中使用F530S。此外,考虑到其广泛的适用性和可靠的性能表现,我们强烈推荐给各类电子设备的开发者和工程师。

IRFZ44NSTRLPBF参数

参数
Id-连续漏极电流 49A
Rds(On)-漏源导通电阻 17.5mΩ@ 25A,10V
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 55V
最大功率耗散 3.8W(Ta),94W(Tc)
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 63nC@ 10 V
配置 独立式
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.47nF@25V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
FET类型 1个N沟道
10.67mm(Max)
9.65mm(Max)
5.08mm(Max)
通用封装 D2PAK
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IRFZ44NSTRLPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRFZ44NSTRLPBF数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF数据手册

IRFZ44NSTRLPBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 4.6951
10+ ¥ 4.3192
50+ ¥ 4.0604
100+ ¥ 3.5956
500+ ¥ 3.3806
1000+ ¥ 3.2639
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