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IPI320N20N3GAKSA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 136W(Tc) 20V 4V@ 90µA 29nC@ 10 V 1个N沟道 200V 32mΩ@ 34A,10V 34A 2.35nF@100V I2PAK 通孔安装
供应商型号: CY-IPI320N20N3GAKSA1
供应商: Avnet
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPI320N20N3GAKSA1

IPI320N20N3GAKSA1概述

    IPB320N20N3 G IPP320N20N3 G IPI320N20N3 G 电子元器件技术手册

    1. 产品简介


    IPB320N20N3 G IPP320N20N3 G IPI320N20N3 G 是Infineon Technologies AG公司生产的OptiMOSTM3系列电源晶体管。这是一款N沟道增强型晶体管,适用于高频率开关和同步整流应用。它具有非常低的导通电阻(R DS(on))和优良的栅极电荷与R DS(on)乘积(FOM),适合需要高效能、高可靠性电力转换的应用场景。

    2. 技术参数


    - 主要技术规格
    - 漏源击穿电压(V (BR)DSS):200 V
    - 栅源阈值电压(V GS(th)):2.34 V
    - 漏源导通电阻(R DS(on)):28~32 mΩ
    - 连续漏电流(I D):34 A
    - 脉冲漏电流(I D,pulse):136 A
    - 反向恢复时间(t rr):110 ns
    - 栅源漏电电流(I GSS):1~100 nA
    - 门限电容(C iss):1770~2350 pF
    - 支持的电气特性
    - 支持宽范围工作温度(-55 °C 至 175 °C)
    - 高频操作能力(可达1 MHz)
    - 采用无铅镀层,符合RoHS标准
    - 无卤素,符合IEC61249-2-21标准
    - 工作环境
    - 工作温度范围:-55 °C 至 175 °C
    - 存储温度范围:-55 °C 至 175 °C
    - IEC气候类别:55/175/56

    3. 产品特点和优势


    - 卓越的FOM值:优化了栅极电荷与导通电阻的乘积,适合高频应用。
    - 非常低的导通电阻:R DS(on)在不同条件下的值介于28~32 mΩ之间,提供出色的导通效率。
    - 高可靠性:通过JEDEC标准认证,可在高达175 °C的环境下稳定运行。
    - 环保设计:无铅镀层,符合RoHS和无卤素标准。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 用于电源管理电路中的开关器件,如DC-DC转换器和电池充电器。
    - 在逆变器和电机驱动器中作为关键部件,提高系统效率和稳定性。
    - 使用建议:
    - 为确保长期稳定运行,建议将晶体管安装在具有良好散热条件的PCB上。
    - 在使用过程中注意保持适当的栅源电压范围(±20 V),避免过压损坏。
    - 在高频应用中,考虑到寄生电容的影响,建议适当增加外部去耦电容以提高系统的稳定性和抗干扰能力。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该晶体管提供了多种封装形式(PG-TO263-3, PG-TO220-3, PG-TO262-3),可以方便地与不同的PCB进行集成。
    - 技术支持:用户可以通过Infineon Technologies官方网站获取详细的技术文档和使用指南,还可以联系当地技术支持团队获得更专业的帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:漏源击穿电压(V (BR)DSS)低于预期。
    - 解决方案:检查焊接质量和连接线路,确保所有引脚连接正确且牢固。

    - 问题2:工作时发热严重。
    - 解决方案:改善散热条件,确保有足够的空气流通和热沉。

    - 问题3:栅源电压波动较大。
    - 解决方案:增加合适的去耦电容,以减少电压波动并提高系统的稳定性。

    7. 总结和推荐


    总体而言,IPB320N20N3 G IPP320N20N3 G IPI320N20N3 G 是一款高性能、高可靠性的N沟道电源晶体管。其优越的电气特性和广泛的工作温度范围使其在众多电力电子应用中表现出色。我们强烈推荐这一产品,尤其是对系统效率和可靠性有较高要求的应用场合。

IPI320N20N3GAKSA1参数

参数
Id-连续漏极电流 34A
Rds(On)-漏源导通电阻 32mΩ@ 34A,10V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 136W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 200V
栅极电荷 29nC@ 10 V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 90µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.35nF@100V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
通用封装 I2PAK
安装方式 通孔安装
零件状态 最后售卖
包装方式 散装,管装

IPI320N20N3GAKSA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPI320N20N3GAKSA1数据手册

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IPI320N20N3GAKSA1封装设计

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100+ $ 1.5074 ¥ 12.9716
300+ $ 1.4936 ¥ 12.8548
500+ $ 1.4798 ¥ 12.7379
1000+ $ 1.4383 ¥ 12.1536
5000+ $ 1.4383 ¥ 12.1536
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