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IGW40N60H3FKSA1

产品分类: IGBT单管
产品描述: 306W 1.95V 600V 80A TO-247 通孔安装 15.9mm*5.03mm*20.95mm
供应商型号: IGW40N60H3FKSA1
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES IGBT单管 IGW40N60H3FKSA1

IGW40N60H3FKSA1概述


    产品简介


    IGW40N60H3 高速开关系列第三代
    IGW40N60H3 是一款采用 Trench 和 Fieldstop 技术的高速 IGBT(绝缘栅双极型晶体管),专为高频率开关应用设计。这类 IGBT 主要用于不间断电源、焊接转换器和高频转换器等领域。由于其独特的 TRENCHSTOPTM 技术,这款 IGBT 能够提供低导通压降(VCEsat)和低电磁干扰(EMI),同时具备快速软恢复反并联二极管,使它在电力控制应用中表现出色。

    技术参数


    基本参数
    - 集电极-发射极电压(VCE):600V
    - 漏电流(IC):40A(Tvj=25°C),80.0A(脉冲)
    - 导通压降(VCEsat):1.95V(Tvj=25°C)
    极限参数
    - 最大结温(Tvjmax):175°C
    - 峰值集电极电流(ICpuls):160.0A
    - 驱动电压(VGE):±20V
    - 最大功耗(Ptot):306.0W(Tc=25°C),153.0W(Tc=100°C)
    热阻抗
    - 结-壳热阻(Rth(j-c)):0.49K/W
    - 结-环境热阻(Rth(j-a)):40K/W

    产品特点和优势


    特点
    - 使用 TRENCHSTOPTM 技术,能显著降低 VCEsat 和 EMI。
    - 具备非常柔软且快速恢复的反并联二极管,提高整体效率。
    - 支持高达 175°C 的最高结温,保证在极端环境下的稳定运行。
    - 符合 JEDEC 标准,环保无铅镀层,符合 RoHS 规范。
    优势
    - 高速开关特性使其适用于需要高频切换的应用场景,如高频转换器。
    - 硬件结构和特性使其在可靠性方面表现优异,尤其在焊接转换器等工业设备中。
    - 环保设计,满足严格的环保标准,降低环境污染风险。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 不间断电源:作为电力控制系统的核心组件,确保电源在断电时能够持续供电。
    - 焊接转换器:提供稳定高效的电源转换,改善焊接质量。
    - 高频转换器:实现高频开关,减少损耗,提升效率。
    使用建议
    - 选择合适的驱动电压:为了确保 IGBT 正常工作,建议使用推荐的驱动电压范围,避免电压过高或过低。
    - 合理布局散热系统:考虑 IGBT 在高温下工作时产生的热量,通过合理的散热设计来确保设备长期稳定运行。
    - 注意瞬态保护:在关键操作中,如短路情况,需要特别注意瞬态保护措施,防止过载损坏设备。

    兼容性和支持


    兼容性
    - IGW40N60H3 可以与其他标准 TO247 封装的器件兼容,例如常见的 IGBT 和 MOSFET。
    - 该产品广泛应用于工业自动化、电力控制等领域,可以无缝集成到现有的电路板设计中。
    支持
    - Infineon 提供详细的文档和技术支持,包括设计指南和应用实例。
    - 用户可以通过官方网站获得进一步的技术支持和售后服务。

    常见问题与解决方案


    问题 1:如何选择合适的驱动电压?
    解决方案:建议使用推荐的驱动电压范围,一般在 ±20V 之间,过高或过低的驱动电压会导致 IGBT 损坏或无法正常工作。
    问题 2:如何有效管理热量?
    解决方案:在高功率应用中,建议使用有效的散热方案,如加装散热片或风扇,以降低结温,提高器件寿命。
    问题 3:在短路情况下如何保护 IGBT?
    解决方案:使用瞬态电压抑制器(TVS)或瞬态保护二极管,以及合理的电路设计,可以在短路情况下有效保护 IGBT,避免因过载而损坏。

    总结和推荐



    总结


    IGW40N60H3 高速开关系列第三代 IGBT 展现出卓越的性能和可靠性。其 TRENCHSTOPTM 技术使得导通压降非常低,适合高频开关应用。此外,其坚固的设计和广泛的应用范围,使其成为各种工业电力控制设备的理想选择。
    推荐
    鉴于其出色的性能和稳定性,强烈推荐将 IGW40N60H3 用于需要高频切换和高效能的工业电力控制应用。通过合理的安装和使用建议,用户可以充分发挥这款 IGBT 的潜力,确保设备的长期可靠运行。

IGW40N60H3FKSA1参数

参数
最大功率耗散 306W
VCEO-集电极-发射极最大电压 600V
最大集电极发射极饱和电压 1.95V
配置 -
集电极电流 80A
长*宽*高 15.9mm*5.03mm*20.95mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IGW40N60H3FKSA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IGW40N60H3FKSA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES IGBT单管 INFINEON TECHNOLOGIES IGW40N60H3FKSA1 IGW40N60H3FKSA1数据手册

IGW40N60H3FKSA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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30+ ¥ 21.1949
120+ ¥ 19.4285
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起订量: 17 增量: 0
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