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IKW15N120BH6XKSA1

产品分类: IGBT单管
产品描述: 英飞凌 IGBT, 最大 1200 V, 最大 30 A
供应商型号: IKW15N120BH6XKSA1
供应商: 海外现货
标准整包数: 10
INFINEON TECHNOLOGIES IGBT单管 IKW15N120BH6XKSA1

IKW15N120BH6XKSA1概述

    IKW15N120BH6 技术手册概述

    1. 产品简介


    产品类型: 本产品是第六代高速软开关系列的典型代表,由采用TRENCHSTOP™ IGBT6技术的1200V IGBT芯片和一个软快恢复二极管组成。
    主要功能:
    - 高效适用于硬开关和共振拓扑
    - 由于具有正温度系数的VCE饱和电压,方便并联使用
    - 具有低电磁干扰和低门极电荷
    - 快速软恢复二极管
    应用领域:
    - 工业UPS
    - 充电器
    - 能源存储系统
    - 三电平太阳能串式逆变器
    - 焊接设备

    2. 技术参数


    - 最大额定值:
    - 集电极-发射极电压(VCE): 1200V
    - 直流集电极电流(IC): 15A(Tc=25°C时为30A)
    - 最大结温(Tvjmax): 175°C
    - 脉冲集电极电流(ICpuls): 60A
    - 二极管前向电流(IF): 15A(Tc=25°C时为7.5A)
    - 二极管脉冲电流(IFpuls): 60A
    - 门极-发射极电压(VGE): ±20V(瞬态为±25V)
    - 短路承受时间(tSC): 3µs
    - 最大耗散功率:200W(Tc=25°C),100W(Tc=100°C)
    - 工作结温范围:-40°C到+175°C
    - 存储温度范围:-55°C到+150°C
    - 焊接温度:260°C(1.6mm焊锡带)
    - 安装扭矩:0.6Nm
    - 热阻抗:
    - IGBT结到外壳的热阻(Rth(j-c)): 0.74 K/W
    - 二极管结到外壳的热阻(Rth(j-c)): 2.40 K/W
    - 结到环境的热阻(Rth(j-a)): 40 K/W
    - 电气特性:
    - 集电极-发射极饱和电压(VCEsat): 在Tvj=25°C时为1.9V
    - 二极管正向电压(VF): 在Tvj=25°C时为2.0V
    - 二极管反向恢复时间(trr): 340ns
    - 二极管峰值反向恢复电流(Irrm): 8.3A
    - 门极电荷(QG): 92nC
    - 输入电容(Cies): 860pF
    - 输出电容(Coes): 60pF
    - 反向转移电容(Cres): 40pF

    3. 产品特点和优势


    - 高效率: 适用于硬开关和共振拓扑结构,降低能耗。
    - 易并联使用: 正温度系数使得多个器件可以并联使用,而不会导致运行不稳定。
    - 低电磁干扰(EMI): 有助于减少干扰,提高系统的整体稳定性和可靠性。
    - 快速软恢复二极管: 有效降低了关断时的能量损失,从而延长了器件的使用寿命。
    - 高可靠性: 满足工业标准要求,并通过相关测试认证(JEDEC47/20/22)。
    - 环保: Pb-free无铅镀层,RoHS合规。

    4. 应用案例和使用建议


    - 工业UPS: 在不间断电源系统中,这款器件可以帮助提高效率和可靠性,尤其是在需要频繁切换的情况下。
    - 充电器: 用于电力存储系统,如电动汽车充电站,能够有效减少能量损耗。
    - 太阳能逆变器: 适合用于三电平太阳能串式逆变器,可以实现高效转换,同时减少电磁干扰。
    - 焊接设备: 用于高温焊接操作,该器件能够在极端环境下稳定工作。
    使用建议:
    - 散热管理: 由于器件的功耗较高,在使用时要确保良好的散热设计。
    - 并联使用: 当并联使用时,应注意正温度系数的影响,避免电流分布不均。
    - 短路保护: 在短路情况下,需要有合适的保护措施来确保安全。

    5. 兼容性和支持


    - 该产品采用PG-TO247-3封装,易于与其他电子元器件和设备集成。
    - 厂商提供全面的技术文档和支持服务,包括PSpice模型下载和测试电路参考图。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 如何处理高结温?
    - A: 确保有效的散热机制,选择合适的冷却方式,如使用散热片和风扇。
    - Q: 如何防止过高的电流?
    - A: 使用适当的保护电路,如限流电阻或保险丝,以防止电流过大。
    - Q: 如何减少电磁干扰(EMI)?
    - A: 优化电路布局,使用屏蔽材料,增加去耦电容,减小PCB上的走线长度。

    7. 总结和推荐


    - 综合评估: 该产品在高效率、低功耗和快速软恢复方面表现出色,尤其适合于工业UPS、充电器、能源存储系统和太阳能逆变器等应用场景。
    - 推荐意见: 强烈推荐使用IKW15N120BH6,其在上述应用场景中展现出卓越的性能,特别是在高可靠性和高效能方面。
    通过以上详细的技术手册内容分析,IKW15N120BH6在多个关键指标上都具备优异的表现,是非常值得推荐的产品。

IKW15N120BH6XKSA1参数

参数
VCEO-集电极-发射极最大电压 2.3V@ 15V,15A
最大集电极发射极饱和电压 1.9V
配置 独立式
集电极电流 30A
最大功率耗散 200W
通用封装 TO-247-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IKW15N120BH6XKSA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IKW15N120BH6XKSA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES IGBT单管 INFINEON TECHNOLOGIES IKW15N120BH6XKSA1 IKW15N120BH6XKSA1数据手册

IKW15N120BH6XKSA1封装设计

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