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IPT111N20NFD

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 375W 20V 4V 65nC@ 10V 200V 11.1mΩ@ 10V 5.3nF@ 100V HSOF-8
供应商型号: IPT111N20NFD
供应商: 国内现货
标准整包数: 2000
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPT111N20NFD

IPT111N20NFD概述

    IPT111N20NFD 电子元器件产品技术手册

    1. 产品简介


    IPT111N20NFD 是一种采用PG-HSOF-8封装的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有出色的性能和可靠性。这款MOSFET专为硬开关应用而优化,具有非常低的导通电阻(RDS(on))和耐高温能力(最高可达175°C)。由于其卓越的电气特性和鲁棒性,该器件广泛应用于电源转换器、电机驱动器、逆变器和其他高功率密度应用领域。

    2. 技术参数


    - 电压参数
    - 最大漏源电压:VDS = 200 V
    - 漏极连续电流:ID = 96 A(TC=25°C),TC=100°C时降额至76 A
    - 脉冲漏极电流:ID,pulse = 384 A(TC=25°C)
    - 静态电气特性
    - 导通电阻:RDS(on) ≤ 11.1 mΩ(VGS=10 V,ID=96 A)
    - 输入电容:Ciss = 5300~7000 pF(VGS=0 V,VDS=100 V,f=1 MHz)
    - 输出电容:Coss = 400~530 pF(VGS=0 V,VDS=100 V,f=1 MHz)
    - 反向转移电容:Crss = 6~9.4 pF(VGS=0 V,VDS=100 V,f=1 MHz)
    - 动态电气特性
    - 开关电荷:Qsw = 17 nC(VDD=100 V,ID=96 A,VGS=0~10 V)
    - 总栅极电荷:Qg = 65~87 nC(VDD=100 V,ID=96 A,VGS=0~10 V)
    - 热特性
    - 热阻:RthJC = 0.4 K/W
    - RthJA(最小尺寸):62 K/W
    - RthJA(6 cm²冷却面积):40 K/W

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:RDS(on) ≤ 11.1 mΩ,提供出色的能效和功率损耗控制。
    - 高速开关特性:快速反向恢复时间trr和低栅极电荷使得器件适用于高频应用。
    - 高温稳定性:能够在高达175°C的工作温度下稳定运行,保证系统的可靠性和耐用性。
    - 绿色环保:符合RoHS标准,无铅,无卤素设计,满足环保要求。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例: IPT111N20NFD 广泛应用于多种电力系统,如电源适配器、LED驱动电路、汽车电子系统和工业控制系统。例如,在一个典型的电源适配器应用中,IPT111N20NFD 可以作为主开关管来实现高效转换。
    使用建议:
    - 热管理:由于器件的RthJC较低,需要确保良好的散热设计,特别是在高温环境下。
    - 电压应力保护:在使用过程中,需注意不要超过最大允许的VDS电压,以防止损坏。
    - 驱动电路设计:合理设置栅极电阻以优化开关时间和减少功率损耗。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:IPT111N20NFD 与市面上常见的高频电源管理芯片兼容,可以轻松集成到现有的系统中。
    - 支持:Infineon Technologies 提供详尽的技术文档和支持服务,帮助用户解决使用中的问题。如有疑问,可联系 Infineon 客户支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:如何正确计算并选择合适的散热片?
    - 解决方案:根据器件的热阻值(RthJA)和预计的工作温度范围,选择适当的散热片尺寸和材质,确保热阻不超过计算值。

    - 问题:如何确定合适的栅极电阻?
    - 解决方案:栅极电阻的选择需根据具体的应用需求,一般推荐使用2.8~4.2Ω的范围。过高的栅极电阻会增加开关损耗,而过低的电阻则可能导致驱动电路过载。

    7. 总结和推荐


    综合评估: IPT111N20NFD MOSFET凭借其低导通电阻、高可靠性及优异的电气特性,非常适合于各种高效率电力电子应用。结合其卓越的高温性能和环保特性,使其在市场上具备很强的竞争优势。
    推荐: 我们强烈推荐IPT111N20NFD给需要高性能MOSFET的设计师和工程师。无论是用于高密度电源转换还是工业控制应用,它都能提供出色的性能表现。

IPT111N20NFD参数

参数
配置 -
最大功率耗散 375W
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 5.3nF@ 100V
FET类型 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V
Id-连续漏极电流 -
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 65nC@ 10V
Rds(On)-漏源导通电阻 11.1mΩ@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 200V
通道数量 -
通用封装 HSOF-8
应用等级 工业级
包装方式 卷带包装

IPT111N20NFD厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPT111N20NFD数据手册

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IPT111N20NFD封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2000+ ¥ 37.5
6000+ ¥ 36
10000+ ¥ 35.4
20000+ ¥ 34.5
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