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BSP296L6433HTMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 1.79W(Ta) 20V 1.8V@ 400µA 17.2nC@ 10 V 1个N沟道 100V 700mΩ@ 1.1A,10V 364pF@25V SOT 贴片安装 6.5mm*3.5mm*1.6mm
供应商型号: CY-BSP296L6433HTMA1
供应商: Avnet
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) BSP296L6433HTMA1

BSP296L6433HTMA1概述

    SIPMOS® 小信号晶体管技术手册

    产品简介


    SIPMOS® 是一款 N 沟道增强型逻辑电平小信号晶体管。它具备低阈值电压(VGS(th) = 0.8...2.0V),适合于逻辑电路及低电压应用场合。主要应用于计算机、通信设备、汽车电子、消费电子以及工业控制等领域。

    技术参数


    - 电气特性
    - 最大额定值
    - 栅源电压:± 20V
    - 栅极泄漏电流:100nA @ VGS = 20V, VDS = 0V
    - 零栅源电压漏电流:最大100nA @ VDS = 60V, VGS = 0V, TJ = 25°C
    - 漏极-源极击穿电压:100V @ VGS = 0V, ID = 0.25mA, TJ = 25°C
    - 工作温度范围:-55°C 到 +150°C
    - 最大连续漏极电流:1A @ TA = 42°C
    - 脉冲漏极电流:4A @ TA = 25°C
    - 最大功率耗散:1.8W @ TA = 25°C
    - 热阻抗:芯片到环境空气:≤70K/W;结点至焊点:≤10K/W
    - 电容:输入电容:300pF 至 400pF @ VGS = 0V, VDS = 25V, f = 1MHz
    - 反向转移电容:30pF 至 45pF @ VGS = 0V, VDS = 25V, f = 1MHz
    - 静态特性
    - 栅源阈值电压:0.8V 至 2.0V
    - 漏极-源极导通电阻:0.55Ω 至 1.4Ω @ VGS = 4.5V, ID = 1A
    - 转移特性:漏极电流与栅源电压的关系
    - 传导特性:输出电容与漏极电压的关系
    - 动态特性
    - 开关时间:开启延迟时间:8ns 至 12ns @ VDD = 30V, VGS = 10V, ID = 0.29A, RGS = 50Ω
    - 关闭延迟时间:120ns 至 160ns @ VDD = 30V, VGS = 10V, ID = 0.29A, RGS = 50Ω

    产品特点和优势


    SIPMOS® 晶体管具备高集成度、低功耗、高可靠性等特点。其零栅源电压下的漏电流很小,使得功耗更低。此外,其低阈值电压使它能够很好地配合逻辑电路运行,特别适用于需要精确控制的小信号应用。

    应用案例和使用建议


    1. 计算机和服务器
    - 在计算机和服务器中,SIPMOS® 可以作为开关元件用于电源管理和控制。
    - 建议:确保散热设计足够良好,特别是在高负载条件下。
    2. 通信设备
    - SIPMOS® 可用于通信设备中的信号处理和切换。
    - 建议:考虑工作温度变化对性能的影响,确保设计符合相应的温湿度条件。
    3. 汽车电子
    - 在汽车电子中,它可以作为传感器接口的一部分。
    - 建议:考虑高温和振动对器件性能的影响,确保长期稳定可靠。

    兼容性和支持


    SIPMOS® 支持 SOT-223 封装,与其他常见的封装标准兼容。制造商提供了详尽的技术支持文档和在线资源,确保用户能够顺利集成到现有系统中。

    常见问题与解决方案


    - Q: 漏极电流不稳定?
    - A: 检查栅源电压是否在规定范围内,检查电路板是否有短路。
    - Q: 功率耗散过高?
    - A: 检查散热片是否正确安装,确保电路设计合理。
    - Q: 器件过热?
    - A: 检查电路是否过载,确保工作环境温度不超过器件的最大允许值。

    总结和推荐


    SIPMOS® 小信号晶体管是一款高性能的逻辑电平器件,具有低功耗、高可靠性等特点,适合于多种应用场合。其独特的设计使其在小信号处理和逻辑控制方面表现出色,是现代电子设备的理想选择。如果您正在寻找一款可靠且高效的晶体管产品,强烈推荐使用 SIPMOS®。

BSP296L6433HTMA1参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 364pF@25V
栅极电荷 17.2nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
最大功率耗散 1.79W(Ta)
Id-连续漏极电流 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 100V
Rds(On)-漏源导通电阻 700mΩ@ 1.1A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V@ 400µA
长*宽*高 6.5mm*3.5mm*1.6mm
通用封装 SOT
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 散装,卷带包装

BSP296L6433HTMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

BSP296L6433HTMA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES BSP296L6433HTMA1 BSP296L6433HTMA1数据手册

BSP296L6433HTMA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
500+ $ 0.2163 ¥ 1.8617
1000+ $ 0.2102 ¥ 1.7763
5000+ $ 0.2102 ¥ 1.7763
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起订量: 538 增量: 1
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