处理中...

首页  >  产品百科  >  IPP055N03LGXKSA1

IPP055N03LGXKSA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管 OptiMOS3系列, Vds=30 V, 50 A, TO-220封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: UA-IPP055N03LGXKSA1
供应商: 海外现货
标准整包数: 50
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPP055N03LGXKSA1

IPP055N03LGXKSA1概述

    IPP055N03L G 和 IPB055N03L G 技术手册

    产品简介


    IPP055N03L G 和 IPB055N03L G 是由 Infineon Technologies 生产的高性能 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这两款产品属于 OptiMOS™3 Power-Transistor 系列,主要用于开关电源(SMPS)、直流-直流转换器(DC/DC 转换器)等电源管理应用中。它们具有快速开关能力、低导通电阻(RDS(on))和高可靠性,适用于各种严苛的工作环境。

    技术参数


    - 连续漏极电流 (ID):最大为 50A,不同栅源电压 (VGS) 和温度条件下的额定值不同。
    - 脉冲漏极电流 (ID,pulse):最大为 350A,持续时间需根据手册详细定义。
    - 雪崩电流 (IAS):最大为 50A,单一脉冲情况。
    - 雪崩能量 (EAS):单一脉冲时,最大为 60mJ。
    - 耐压 (V(BR)DSS):在 VGS=0V 和 ID=1mA 条件下,最高为 30V。
    - 零栅源电压漏极电流 (IDSS):在 VDS=30V 下,最大为 100µA。
    - 关态漏极电流 (IDSS):在 VDS=30V 下,最大为 100µA。
    - 栅源漏电 (IGSS):最大为 100nA。
    - 导通电阻 (RDS(on)):在 VGS=4.5V 和 10V 下,最大分别为 7.8mΩ 和 5.5mΩ。
    - 热阻 (RthJC):最大为 2.2K/W。
    - 封装形式:PG-TO220-3-1 和 PG-TO263-3。
    - 工作温度范围:-55°C 至 175°C。

    产品特点和优势


    IPP055N03L G 和 IPB055N03L G 的主要特点是:
    - 快速开关:适用于高频应用。
    - 低导通电阻 (RDS(on)):减少损耗,提高效率。
    - 优化技术:针对 DC/DC 转换器进行了优化设计。
    - 安全认证:通过了 JEDEC 认证,适用于目标应用。
    - 无铅无卤:环保材料,符合 RoHS 标准。
    这些特性使其在市场上具有很强的竞争优势,特别是在需要高效、低损耗和高可靠性的应用中。

    应用案例和使用建议


    - 开关电源:这类 MOSFET 在开关电源中能够快速切换,减少开关损耗。
    - 直流-直流转换器:适合用于各种电源管理应用,如电信、计算机和其他电子设备。
    - 逆变器:可以用于太阳能逆变器等逆变电路。
    使用建议:
    - 为了确保最佳性能,建议在选择驱动器时匹配 MOSFET 的栅极电阻和驱动电压。
    - 在高温环境下使用时,要特别注意散热措施,以保持正常工作温度范围内的性能。

    兼容性和支持


    IPP055N03L G 和 IPB055N03L G 与市场上常见的 PCB 尺寸兼容,可以直接安装在标准的 TO-220 和 TO-263 封装插座上。Infineon Technologies 提供全面的技术支持和售后服务,包括详细的安装指南和技术文档。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何选择合适的驱动器?
    - 解决方案:选择驱动器时,需确保其输出电流能够满足 MOSFET 需求,并且与栅极电阻匹配。
    2. 问题:在高温环境下工作时,性能会受到影响吗?
    - 解决方案:可以使用散热器或其他冷却措施来保持 MOSFET 在工作温度范围内。
    3. 问题:如何处理栅源电压超出额定值的情况?
    - 解决方案:避免超过规定的栅源电压范围,以免损坏 MOSFET。

    总结和推荐


    IPP055N03L G 和 IPB055N03L G 是市场上非常优秀的 MOSFET,具有出色的快速开关能力和低导通电阻。这些特性使得它们非常适合应用于需要高效率和高可靠性的场合。Infineon Technologies 提供全面的支持和详细的文档,进一步提升了其市场竞争力。
    总体而言,我们强烈推荐 IPP055N03L G 和 IPB055N03L G 作为电源管理和开关应用的理想选择。

IPP055N03LGXKSA1参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.2nF@15V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Id-连续漏极电流 50A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V@ 250µA
配置 独立式
最大功率耗散 68W(Tc)
栅极电荷 31nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 5.5mΩ@ 30A,10V
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
长*宽*高 10mm*4.4mm*15.65mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 新设计不推荐
包装方式 管装

IPP055N03LGXKSA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPP055N03LGXKSA1数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPP055N03LGXKSA1 IPP055N03LGXKSA1数据手册

IPP055N03LGXKSA1封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
500+ $ 0.4788 ¥ 4.0119
1150+ $ 0.4638 ¥ 3.8862
2950+ $ 0.4425 ¥ 3.7082
库存: 772
起订量: 500 增量: 50
交货地:
最小起订量为:500
合计: ¥ 2005.95
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336