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IPB090N06N3GATMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 71W(Tc) 20V 4V@ 34µA 36nC@ 10 V 1个N沟道 60V 9mΩ@ 50A,10V 50A 2.9nF@30V TO-263 贴片安装 10.31mm(长度)*4.57mm(高度)
供应商型号: REB-TMOSP9695
供应商: 海外现货
标准整包数: 1000
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPB090N06N3GATMA1

IPB090N06N3GATMA1概述


    产品简介


    IPB090N06N3 G 和 IPP093N06N3 G 是 Infineon Technologies AG 生产的高性能功率晶体管。这些晶体管主要应用于需要高可靠性和高效能的电力转换系统中,如工业控制、电源管理和电动汽车等领域。它们具备出色的电流承载能力和较低的导通电阻,使得它们成为许多应用中的理想选择。

    技术参数


    以下是 IPB090N06N3 G 和 IPP093N06N3 G 的关键技术和电气参数:
    - 最大额定值:最高耐压为60V,最大连续漏极电流为9A(取决于温度)。
    - 静态特性:
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \):典型值为2.1mΩ 至 3.2mΩ,具体数值视具体型号而定。
    - 阈值电压 \( V{GS(th)} \):范围为1.0V 至 4.0V。
    - 动态特性:
    - 开关损耗:\( t{rise} \) 和 \( t{fall} \) 时间范围分别为10ns 至 100ns。
    - 热特性:
    - 最大功耗 \( P{tot} \):150W(在25°C时)。
    - 封装类型:
    - PG-TO220-3、PG-TO263(D²-Pak)

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:IPB090N06N3 G 和 IPP093N06N3 G 拥有非常低的 \( R{DS(on)} \),可以显著减少开关过程中的能量损耗,提高系统的效率。
    2. 宽泛的工作温度范围:能够在-40°C至150°C的温度范围内稳定工作,适合各种恶劣环境下的应用。
    3. 优秀的电流承载能力:高达9A的连续漏极电流,能够满足大多数电力转换系统的需求。
    4. 高可靠性:采用先进的封装技术,具有良好的散热性能和较高的使用寿命。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在电动车充电站中作为高效率的直流-直流转换器。
    - 用于工业自动化设备中的电机驱动电路。
    - 用于数据中心服务器电源模块中的开关电源。
    使用建议:
    - 确保 PCB 设计合理,提供足够的散热措施以防止过热。
    - 使用热敏电阻监测温度,确保工作温度不超出推荐范围。
    - 仔细规划电路布局,减少寄生电感和电容的影响,以获得最佳的开关性能。

    兼容性和支持


    IPB090N06N3 G 和 IPP093N06N3 G 可与多种其他电子元器件和设备兼容,但具体兼容性信息需要参考官方手册或联系技术支持。Infineon Technologies AG 提供了全面的技术支持和售后服务,确保客户能够顺利使用并解决问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:晶体管温度过高。
    - 解决方案:检查散热片设计是否合理,增加散热面积;或者改善 PCB 布局,降低寄生电感的影响。

    - 问题2:电流过载导致损坏。
    - 解决方案:使用适当的保护电路,例如过流保护器或保险丝,避免长时间过载运行。

    总结和推荐


    综合评估:
    IPB090N06N3 G 和 IPP093N06N3 G 功率晶体管以其低导通电阻、高可靠性以及宽泛的工作温度范围,在众多应用中表现出色。它们特别适合于需要高效能和高可靠性的电力转换系统,是理想的高性能晶体管选择。
    推荐:
    对于需要高性能、高可靠性的电力转换应用,强烈推荐使用 IPB090N06N3 G 和 IPP093N06N3 G 功率晶体管。通过合理的使用和设计,可以充分发挥它们的优势,实现最佳的系统性能。

IPB090N06N3GATMA1参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.9nF@30V
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 36nC@ 10 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 34µA
Id-连续漏极电流 50A
最大功率耗散 71W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@ 50A,10V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
长*宽*高 10.31mm(长度)*4.57mm(高度)
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IPB090N06N3GATMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPB090N06N3GATMA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPB090N06N3GATMA1 IPB090N06N3GATMA1数据手册

IPB090N06N3GATMA1封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1000+ $ 0.4053 ¥ 3.5541
2000+ $ 0.3947 ¥ 3.4614
3000+ $ 0.3876 ¥ 3.3996
5000+ $ 0.3501 ¥ 3.0706
8000+ $ 0.3316 ¥ 2.9078
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起订量: 1000 增量: 1000
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