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IPD80R2K4P7ATMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管 800V CoolMOS™ P7系列, Vds=800 V, 2.5 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: 2771321
供应商: 海外现货
标准整包数: 5
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPD80R2K4P7ATMA1

IPD80R2K4P7ATMA1概述

    800V CoolMOS™ P7 Power Device IPD80R2K4P7 技术手册

    产品简介


    IPD80R2K4P7 是由 Infineon Technologies 推出的一款 800V CoolMOS™ P7 系列功率 MOSFET,属于先进的超结技术器件。它结合了行业领先的性能表现和易用性,是硬开关和软开关拓扑的理想选择。这款器件适用于 LED 照明、低功耗充电器和适配器、音频、辅助电源及工业电源等领域的应用。同时,它也适合用于消费类应用中的 PFC 阶段和太阳能应用。
    主要功能
    - 高耐压等级:800V
    - 低导通电阻:RDS(on) ≤ 2.4Ω(典型值)
    - 集成 Zener 二极管的 ESD 保护
    应用领域
    - LED 照明设备
    - 低功耗充电器和适配器
    - 音频处理系统
    - 辅助电源模块
    - 工业级电源解决方案

    技术参数


    以下为 IPD80R2K4P7 的关键性能参数:
    | 参数名称 | 单位 | 典型值 | 最大值 |
    ||
    | 栅源电压 (VGS) | V | ±20 | ±30 |
    | 漏极电流 (ID) | A | 2.5 | 1.7 |
    | 漏极脉冲电流 (ID,pulse) | A | - | 5.3 |
    | 导通电阻 (RDS(on)) | Ω | 2.4 | 5.3 |
    | 输入电容 (Ciss) | pF | - | 150 |
    | 输出电容 (Coss) | pF | - | 3.8 |
    工作条件
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 储存温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 最大耗散功率:22W (TC=25°C)

    产品特点和优势


    1. 高性能:RDS(on) 和 Eoss 的乘积(FOM)优于同类产品,降低系统损耗。
    2. 易于驱动和并联:低阈值电压(VGS(th))3V 且波动小(±0.5V),便于设计集成。
    3. 高可靠性:集成 Zener 二极管的 ESD 保护机制显著提高生产良率,减少失效风险。
    4. 成本效益:相比传统器件,能够实现更高的功率密度设计,减少 BOM 成本,简化组装流程。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    - 在 LED 照明应用中,可用于高效 DC/DC 转换电路中,满足高功率密度要求。
    - 在音频放大器中,可提供低损耗和快速开关响应,优化音质表现。
    使用建议
    - 并联时推荐使用扼流线圈或独立的推挽结构以避免瞬态干扰。
    - 注意散热设计,尤其是 SMD 版本,需确保 PCB 铜面积覆盖达 6 cm²,以满足热阻要求(RthJA=35-45°C/W)。

    兼容性和支持


    兼容性
    - 可与现有主流封装设备兼容,例如 TO252-3 封装。
    - 提供全面的设计工具支持,如 Infineon 官方网页(www.infineon.com)提供设计资源下载。
    支持服务
    - Infineon 提供详尽的技术文档和在线支持,如有疑问可联系 erratum@infineon.com。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关过程中出现过温现象 | 加强散热设计,增加铜箔面积至 6 cm² |
    | ESD 损坏频繁发生 | 启用集成的 Zener 二极管保护 |
    | 导通电阻过高 | 确保 VGS 驱动电压大于 10V |

    总结和推荐


    综合评估
    IPD80R2K4P7 凭借其卓越的性能指标、稳定的电气特性及便捷的使用方式,成为现代电源设计的理想选择。它在 LED 照明、消费电子、工业电源等领域展现了强大的市场竞争力。
    推荐使用
    - 强烈推荐用于高效率、低成本需求的应用场合。
    - 对于需要高功率密度、快速开关特性的设计,尤为适用。
    通过合理选型和正确使用,IPD80R2K4P7 将帮助工程师打造高性能且可靠的电子系统解决方案。

IPD80R2K4P7ATMA1参数

参数
通道数量 1
Id-连续漏极电流 2.5A
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@ 40µA
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 7.5nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 2.4Ω@ 800mA,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 150pF@500V
最大功率耗散 22W(Tc)
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 800V
长*宽*高 6.6mm(长度)*6.1mm(宽度)
通用封装 DPAK-3
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IPD80R2K4P7ATMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPD80R2K4P7ATMA1数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPD80R2K4P7ATMA1 IPD80R2K4P7ATMA1数据手册

IPD80R2K4P7ATMA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 3.8616
50+ ¥ 3.713
100+ ¥ 3.3269
500+ ¥ 3.2675
1000+ ¥ 3.2675
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