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IRF1010NSTRRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 180W(Tc) 20V 4V@ 250µA 120nC@ 10 V 1个N沟道 55V 11mΩ@ 43A,10V 85A 3.21nF@25V D2PAK 贴片安装 6.5mm*6.22mm*2.3mm
供应商型号: UA-IRF1010NSTRRPBF
供应商: 海外现货
标准整包数: 800
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRF1010NSTRRPBF

IRF1010NSTRRPBF概述

    IRF1010NSPbF 和 IRF1010NLPbF 技术手册概述

    产品简介


    IRF1010NSPbF 和 IRF1010NLPbF 是由 International Rectifier 生产的先进 HEXFET 功率 MOSFET,属于 N 沟道类型的功率场效应晶体管。这些 MOSFET 具有超低的导通电阻(RDS(on)),仅为 11mΩ,能够提供高达 85A 的连续漏极电流(ID)。它们适用于高电流应用,并且能够在广泛的温度范围内稳定工作,具有出色的动态 dv/dt 额定值和 175°C 的工作温度范围。该产品广泛应用于电力电子、电机驱动器、开关电源等领域。

    技术参数


    - 漏源电压(VDSS): 55V
    - 导通电阻(RDS(on)): 11mΩ
    - 连续漏极电流(ID): 85A @ TC = 25°C
    - 最大脉冲漏极电流(IDM): 290A
    - 功率耗散(PD): 180W @ TC = 25°C
    - 热阻(RθJA): 40°C/W(PCB 安装)
    - 门极至源极电压(VGS): ±20V
    - 栅极充电量(Qg): 120nC
    - 输入电容(Ciss): 3210pF @ VGS = 0V
    - 输出电容(Coss): 690pF @ VDS = 25V
    - 反向传输电容(Crss): 140pF @ É = 1.0MHz

    产品特点和优势


    - 先进的处理技术:利用先进的加工技术实现极低的导通电阻,从而提供高效能和可靠的解决方案。
    - 超低导通电阻:11mΩ的RDS(on)提供了极高的效率。
    - 快速开关能力:拥有优异的开关速度和坚固耐用的设计,适合多种应用场景。
    - 高可靠性:具备全面的雪崩额定值和175°C的工作温度范围,保证长时间稳定运行。
    - 环保材料:采用无铅设计,符合环保要求。

    应用案例和使用建议


    这些 MOSFET 可用于多种电力电子系统,例如开关电源、直流-直流转换器、电机驱动器和逆变器等。它们特别适合需要大电流和高速开关的应用场合。在实际应用中,需要注意以下几点以确保最佳性能:
    - 散热管理:在高功率应用中,确保良好的散热措施,避免过热导致的损坏。
    - 合适的驱动电路:选择合适的门极驱动电路,以充分利用其快速开关的特性。
    - 负载匹配:确保负载与MOSFET的特性匹配,以避免过载或过热。

    兼容性和支持


    IRF1010NSPbF 和 IRF1010NLPbF 均采用D2Pak封装,这是一种表面贴装功率封装,具有强大的功率能力和最低的导通电阻。对于通过孔版本(IRF1010NL),可用于低轮廓应用。此外,制造商提供了详细的安装指南和技术支持,确保用户可以顺利进行应用开发和故障排除。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 在高温环境下工作时,MOSFET 导通电阻增加。
    - 解决方案: 确保适当的散热措施,如使用散热片或散热器。
    - 问题: 开关过程中出现过压现象。
    - 解决方案: 使用外部箝位电路,例如瞬态电压抑制器(TVS)二极管,以防止过压。
    - 问题: 门极驱动信号不稳定。
    - 解决方案: 使用稳定可靠的门极驱动器,并保持门极走线的短且直,减少干扰。

    总结和推荐


    IRF1010NSPbF 和 IRF1010NLPbF 作为先进的 HEXFET 功率 MOSFET,在电力电子和开关电源等高电流应用领域表现出色。其出色的导通电阻、快速开关能力和宽泛的工作温度范围使其成为众多工业应用的理想选择。总体而言,我们强烈推荐这些产品用于需要高效率和可靠性的应用场合。国际整流器公司提供的详细技术文档和支持也使得这些产品更加易用和可信赖。

IRF1010NSTRRPBF参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 55V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.21nF@25V
最大功率耗散 180W(Tc)
Id-连续漏极电流 85A
栅极电荷 120nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 11mΩ@ 43A,10V
配置 独立式
长*宽*高 6.5mm*6.22mm*2.3mm
通用封装 D2PAK
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

IRF1010NSTRRPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRF1010NSTRRPBF数据手册

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IRF1010NSTRRPBF封装设计

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