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IPB180N06S4H1ATMA2

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N沟道MOSFET管, 180 A, PG-TO263-7-3封装
供应商型号: IPB180N06S4H1ATMA2
供应商: 国内现货
标准整包数: 2
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPB180N06S4H1ATMA2

IPB180N06S4H1ATMA2概述

    IPB180N06S4-H1 OptiMOS®-T2 Power Transistor 技术手册

    1. 产品简介


    IPB180N06S4-H1 是一款由 Infineon Technologies AG 生产的 N沟道增强型场效应晶体管(N-channel Enhancement Mode MOSFET)。该产品采用 OptiMOS®-T2 技术,适用于各种高功率转换和驱动应用。其主要功能包括出色的开关性能和超低的导通电阻,非常适合于电源管理、电机控制和其他电力电子系统。

    2. 技术参数


    - 最大连续漏极电流:ID=180A (TC=25°C, VGS=10V),或ID=180A (TC=100°C, VGS=10V)
    - 脉冲漏极电流:ID,pulse=720A
    - 雪崩耐量:EAS=700mJ (ID=90A),IAS=180A
    - 功率耗散:Ptot=250W (TC=25°C)
    - 工作和存储温度范围:Tj, Tstg=-55...+175°C
    - 静态特性:
    - 栅源击穿电压:V(BR)DSS=60V (VG=0V, ID=1mA)
    - 栅阈电压:VGS(th)=2.0~4.0V (VD=VG, ID=200μA)
    - 零栅电压漏极电流:IDSS≤1μA (VD=60V, VG=0V, TJ=25°C)
    - 栅泄漏电流:IGSS≤100nA (VG=20V, VD=0V)
    - 导通电阻:RDS(on)≤1.7mΩ (VG=10V, ID=100A)

    - 动态特性:
    - 输入电容:CISS=16840~21900pF
    - 输出电容:COSS=4120~5360pF
    - 反向传输电容:CRSS=160~320pF
    - 开关时间:td(on)=30ns,tr,td(off)=60ns,tf

    - 门极充电特性:
    - 门至源电荷:Qgs=84~110nC
    - 门至漏电荷:Qgd=22.5~45nC
    - 总门电荷:Qg=208~270nC

    3. 产品特点和优势


    - 汽车级认证:该产品通过了AEC Q101认证,确保在汽车电子中的可靠性和稳定性。
    - 卓越的耐热性能:MSL1到260°C的峰值回流焊温度等级,确保在高温环境下工作的稳定性和可靠性。
    - 绿色产品:符合RoHS标准,环保友好。
    - 高可靠性:100%的雪崩测试,保证产品在极端条件下的耐用性。
    - 低导通电阻:RDS(on) ≤1.7mΩ,提供了出色的能效表现。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:适用于电动车辆(EV)、混合动力车辆(HEV)以及工业电机驱动等高压高功率转换场景。
    - 使用建议:
    - 在设计电路时需注意散热,特别是大功率应用中需要额外的冷却措施,如散热片或水冷。
    - 使用适当的门极电阻来优化开关速度和降低电磁干扰。
    - 确保电路设计能够适应高电流冲击和瞬态电压波动。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:与大多数通用电路板兼容,可用于各种工业控制系统和汽车电子系统。
    - 支持和维护:Infineon Technologies提供详尽的技术文档和支持服务,以确保客户能够在产品生命周期内获得全面的技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:启动时电路过载
    - 解决方案:检查电路设计和负载条件,确保电路设计合理,并适当限制启动电流。
    - 问题2:工作时温度过高
    - 解决方案:增加散热措施,如安装散热片或使用散热器,并选择合适的门极电阻以优化散热。
    - 问题3:出现异常的电压波动
    - 解决方案:使用LC滤波器来抑制电压波动,并检查门极驱动电路是否正常。

    7. 总结和推荐


    总体而言,IPB180N06S4-H1是一款高度可靠且具有卓越性能的N沟道增强型场效应晶体管。其卓越的耐热性能、低导通电阻以及对高电流的承受能力使其成为电源管理和电机控制应用的理想选择。强烈推荐在高功率转换和驱动应用中使用该产品。

IPB180N06S4H1ATMA2参数

参数
栅极电荷 270nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 200µA
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 1.7mΩ@ 100A,10V
Id-连续漏极电流 180A
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 21.9nF@25V
最大功率耗散 250W(Tc)
Vgs-栅源极电压 20V
长*宽*高 10mm*9.25mm*4.4mm
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

IPB180N06S4H1ATMA2厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPB180N06S4H1ATMA2数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPB180N06S4H1ATMA2 IPB180N06S4H1ATMA2数据手册

IPB180N06S4H1ATMA2封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2+ ¥ 30.1546
50+ ¥ 27.0614
100+ ¥ 22.2621
250+ ¥ 21.8091
500+ ¥ 18.9564
1000+ ¥ 14.0609
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