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IKW15N120BH6

产品分类: 场效应管(MOSFET)
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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IKW15N120BH6

IKW15N120BH6概述


    产品简介


    IKW15N120BH6 是一款由英飞凌科技开发的第六代高效率软开关系列器件。它采用了先进的TRENCHSTOP™ IGBT6技术,集成了一颗快速恢复的软反并联二极管。这种IGBT适合用于硬开关拓扑和共振拓扑,因其具有正温度系数的VCEsat,使得多芯片并联变得容易。此外,它还具备低电磁干扰(EMI)、低栅极电荷(Qg)和非常高的最高结温(175°C)等特点。IKW15N120BH6适用于工业电源(如UPS)、充电器、能源存储、三电平太阳能逆变器和焊接等领域。

    技术参数


    - 额定电压: 1200V
    - 集电极电流: 最大连续值为15A,脉冲值可达60A
    - 结温范围: -40°C 至 +175°C
    - 最大结温: 175°C
    - 热阻抗: 结至外壳热阻:IGBT 0.74 K/W,二极管 2.40 K/W;结至环境热阻:40 K/W
    - 静态特性: 集电极-发射极饱和电压(VCEsat),Tvj=25°C时典型值为1.90V,Tvj=175°C时典型值为2.35V
    - 动态特性: 输入电容(Cies),输出电容(Coes),反向传输电容(Cres)
    - 开关特性: 开通延迟时间(td(on))典型值为18ns,关断延迟时间(td(off))典型值为240ns
    - 峰值反向恢复电流: 8.3A
    - 反向恢复时间: 340ns
    - 栅极电荷: 典型值为92.0nC

    产品特点和优势


    IKW15N120BH6 的主要优势在于其高效率和低电磁干扰(EMI)。其正温度系数使得多芯片并联变得更加容易。高频率下的快速恢复能力和低损耗使其在硬开关拓扑中表现出色。另外,该器件的低栅极电荷(Qg)有助于降低开关损耗。由于其广泛的应用领域,这款IGBT在市场上具有较强的竞争力。

    应用案例和使用建议


    IKW15N120BH6 可以应用于多个工业领域,如UPS、充电器、能源存储系统和太阳能逆变器。在这些应用中,可以通过合理的布局和散热设计来充分利用其高性能。对于高频应用,选择合适的栅极电阻可以帮助减少开关损耗。例如,在焊接应用中,可以调整驱动电路以确保IGBT能够在高频下可靠工作。

    兼容性和支持


    IKW15N120BH6 采用标准的PG-TO247-3封装,这使得它能够与其他大多数采用相同封装的IGBT产品兼容。同时,英飞凌提供全面的产品线和仿真模型支持,包括PSpice模型,便于客户进行系统级仿真。此外,英飞凌还提供详尽的技术文档和支持服务,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 在高温环境下使用时,IGBT可能过热。
    - 解决方案: 通过良好的散热设计(如增加散热片或使用散热器)来控制IGBT的温度。

    - 问题: 在使用过程中发现器件存在轻微的短路现象。
    - 解决方案: 检查驱动电路是否有误,并确认输入电压和电流在允许范围内。

    总结和推荐


    IKW15N120BH6 是一款性能优异的高效率软开关IGBT,特别适合于需要高频工作的工业应用。它的低EMI和高可靠性使得它成为众多领域的理想选择。鉴于其在各个方面的优越表现,我们强烈推荐该产品在相关应用中使用。

IKW15N120BH6参数

参数
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 -
最大功率耗散 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 -
FET类型 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通用封装 TO-247-3
包装方式 管装

IKW15N120BH6厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IKW15N120BH6数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IKW15N120BH6 IKW15N120BH6数据手册

IKW15N120BH6封装设计

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