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BCR135SE6327

产品分类: 三极管(BJT)
产品描述: 250W 50V 100mA SOT-363-6 贴片安装,黏合安装 2mm*1.25mm*900μm
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标准整包数: 0
INFINEON TECHNOLOGIES 三极管(BJT) BCR135SE6327

BCR135SE6327概述

    BCR135 NPN Silicon Digital Transistor

    产品简介


    BCR135是一款NPN硅数字晶体管,主要用于开关电路、逆变器和接口电路等领域。该晶体管内置偏置电阻(R1=10 kΩ,R2=47 kΩ),特别适用于需要精确控制的应用场景。BCR135S型号还配备了两个内部隔离且匹配良好的晶体管,集成在一个多芯片封装内,适合高精度要求的应用。

    技术参数


    - 电气特性:
    - 最大集电极-发射极电压(VCEO):50 V
    - 集电极-基极电压(VCBO):50 V
    - 输入正向电压(Vi(fwd)):40 V
    - 输入反向电压(Vi(rev)):6 V
    - 最大集电极电流(IC):100 mA
    - 总功耗(Ptot):
    - BCR135: ≤ 200 mW
    - BCR135S: ≤ 250 mW
    - BCR135W: ≤ 250 mW
    - 工作结温(Tj):150 ℃
    - 存储温度(Tstg):-65 ... 150 ℃
    - 热阻(RthJS):
    - BCR135: ≤ 240 K/W
    - BCR135S: ≤ 140 K/W
    - BCR135W: ≤ 105 K/W
    - 电气特性(典型值):
    - 集电极-发射极击穿电压(V(BR)CEO):50 V
    - 集电极-基极击穿电压(V(BR)CBO):50 V
    - 集电极-基极截止电流(ICBO):100 nA
    - 发射极-基极截止电流(IEBO):167 μA
    - 直流电流增益(hFE):70
    - 集电极-发射极饱和电压(VCEsat):0.3 V
    - 输入关断电压(Vi(off)):0.5 - 1 V
    - 输入导通电压(Vi(on)):0.5 - 1.4 V
    - 输入电阻(R1):7 - 13 kΩ
    - 交流特性:
    - 转换频率(fT):150 MHz
    - 集电极-基极电容(Ccb):3 pF

    产品特点和优势


    BCR135系列具有以下特点和优势:
    - 内置偏置电阻:简化电路设计,减少外部元件数量。
    - 双隔离晶体管:BCR135S型号提供更好的电气隔离性能。
    - 高温耐受性:最高可承受150 ℃的工作温度。
    - 高可靠性:符合AEC-Q101标准,保证在严苛环境下的长期稳定运行。
    - Pb-free:符合RoHS标准,环保无铅。

    应用案例和使用建议


    BCR135适用于多种应用场合,如:
    - 开关电路:例如用于直流电机控制。
    - 逆变器:如小型光伏逆变器系统。
    - 接口电路:如作为逻辑电路的驱动器。
    使用建议:
    - 在选择合适封装时,考虑安装空间和散热需求。
    - 确保电源电压不超过最大额定值以避免损坏。
    - 使用合适的PCB布局,确保良好的热管理。

    兼容性和支持


    BCR135系列晶体管可与多种不同的电路板和设备兼容。Infineon提供了详细的技术文档和应用指南,以便用户在设计和调试过程中获得支持。此外,制造商还提供了一系列的技术支持服务,包括故障排除、定制化设计咨询等。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:过热导致晶体管损坏
    - 解决方案:确保晶体管安装在适当的散热器上,遵守最大功率消耗限制。

    2. 问题:不正确的偏置设置导致性能下降
    - 解决方案:检查并调整偏置电阻的阻值,确保符合手册中的建议值。

    3. 问题:输入信号电压超出规定范围
    - 解决方案:使用电压钳位器件保护输入端,确保输入信号在允许范围内。

    总结和推荐


    BCR135系列NPN硅数字晶体管凭借其内置偏置电阻、高可靠性和良好的电气性能,在众多应用场合中表现出色。无论是开关电路还是逆变器应用,BCR135都能提供优异的性能表现。总体而言,BCR135是一款值得推荐的产品,特别适合对电路设计要求较高的应用场景。

BCR135SE6327参数

参数
集电极电流 100mA
配置
最大功率耗散 250W
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
晶体管类型 -
最大集电极发射极饱和电压 0.3@ 0.5mA @ 10mA
VCBO-最大集电极基极电压 -
集电极截止电流 -
VEBO-最大发射极基极电压 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
长*宽*高 2mm*1.25mm*900μm
通用封装 SOT-363-6
安装方式 贴片安装,黏合安装
包装方式 卷带包装

BCR135SE6327厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

BCR135SE6327数据手册

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BCR135SE6327封装设计

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