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IPD50R3K0CEBTMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 18W(Tc) 20V 3.5V@ 30µA 4.3nC@ 10 V 1个N沟道 500V 3Ω@ 400mA,13V 1.7A 84pF@100V 贴片安装
供应商型号: Q-IPD50R3K0CEBTMA1
供应商: 期货订购
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPD50R3K0CEBTMA1

IPD50R3K0CEBTMA1概述

    500V CoolMOS™ CE Power Transistor IPD50R3K0CE, IPU50R3K0CE

    1. 产品简介


    500V CoolMOS™ CE Power Transistor(功率晶体管)是Infineon Technologies公司开发的一种高电压电力MOSFET技术,采用超级结(SJ)原理设计。CoolMOS™ CE平台旨在通过优化价格性能比,满足消费类和照明市场的成本敏感型应用需求,同时仍能保持最高的效率标准。该系列转导器提供了快速切换的超结MOSFET的所有优点,同时还保证了易于使用且在市场上具有最佳的成本效益比。

    2. 技术参数


    - 最高额定值
    - 最大连续漏极电流 \(I{D}\): 2.6 A
    - 最大脉冲漏极电流 \(I{D,pulse}\): 4.1 A
    - 击穿电压 \(V{(BR)DSS}\): 500 V
    - 高频耐压 \(dv/dt\): 50 V/ns
    - 最高温度: -55°C 到 150°C
    - 热特性
    - 热阻 \(R{thJC}\): 4.85 °C/W
    - 最大功率损耗 \(P{tot}\): 26 W(非FullPAK,最大25°C)
    - 电特性
    - 漏源导通电阻 \(R{DS(on)}\): 3 Ω(典型值为2.7 Ω)
    - 输入电容 \(C{iss}\): 84 pF
    - 输出电容 \(C{oss}\): 7 pF
    - 输出电容相关能量 \(C{o(er)}\): 6 pF
    - 输出电容相关时间 \(C{o(tr)}\): 19 pF
    - 动态特性
    - 开启延迟时间 \(t{d(on)}\): 7.3 ns
    - 关闭延迟时间 \(t{d(off)}\): 23 ns
    - 栅极充电特性
    - 栅源电荷 \(Q{gs}\): 0.5 nC
    - 栅漏电荷 \(Q{gd}\): 2.6 nC
    - 栅极总电荷 \(Q{g}\): 4.3 nC
    - 反向二极管特性
    - 反向恢复时间 \(t{rr}\): 99 ns
    - 反向恢复电荷 \(Q{rr}\): 0.3 μC
    - 峰值反向恢复电流 \(I{rrm}\): 4.2 A

    3. 产品特点和优势


    - 低损耗:由于非常低的FOM \(R{dson} Q{g}\) 和 \(E{oss}\),这种MOSFET展现出极低的损耗。
    - 高抗浪涌能力:能够承受较大的瞬态电压和电流。
    - 易于使用:具有良好的栅极驱动特性,无需复杂的外部电路即可实现稳定工作。
    - 无铅电镀:符合环保要求。
    - 通过标准级认证:适用于消费类和照明市场的各种应用场景。

    4. 应用案例和使用建议


    - PFC阶段:用于功率因数校正。
    - 硬开关PWM阶段:用于硬开关模式的电源变换。
    - 谐振开关阶段:适用于需要高频谐振的场合,例如笔记本适配器和电视电源。
    使用建议:
    - 在并联MOSFET时,推荐使用扼流圈或独立的全桥拓扑结构。
    - 确保散热良好,避免过温导致的损坏。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:支持标准级应用,如消费类电子和照明系统。
    - 支持和维护:提供官方技术支持和维修服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:如何防止栅极过电压?
    - 解决方案:使用合适的栅极驱动器,并增加栅极电阻来限制电流。

    - 问题2:如何提高散热效果?
    - 解决方案:确保安装在具有良好散热条件的PCB上,并采用适当的热管理措施。

    7. 总结和推荐


    该产品凭借其低损耗、高抗浪涌能力和易于使用的特性,在多种应用中表现出色。其适用于多种消费类电子产品和照明系统,尤其适合对成本和性能都有较高要求的应用场景。总体而言,该产品具备较高的性价比,强烈推荐使用。

IPD50R3K0CEBTMA1参数

参数
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 84pF@100V
Vds-漏源极击穿电压 500V
通道数量 -
配置 -
最大功率耗散 18W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 3Ω@ 400mA,13V
Id-连续漏极电流 1.7A
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 4.3nC@ 10 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@ 30µA
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

IPD50R3K0CEBTMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPD50R3K0CEBTMA1数据手册

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IPD50R3K0CEBTMA1封装设计

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