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IRF8301MTRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 2.8W(Ta),89W(Tc) 20V 2.35V@ 150µA 77nC@ 4.5 V 1个N沟道 30V 1.5mΩ@ 32A,10V 34A,192A 6.14nF@15V WDSON-5 直接安装,贴片安装 6.35mm*5.05mm*700μm
供应商型号: IRF8301MTRPBF
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRF8301MTRPBF

IRF8301MTRPBF概述


    产品简介


    产品名称: IRF8301MPbF DirectFET Power MOSFET
    产品类型: DirectFET封装的功率MOSFET
    主要功能:
    - 采用HEXFET®功率MOSFET硅技术
    - 具有非常低的导通电阻(RDS(on))
    - 支持双面散热以提高热传递效率
    - 适合高电流开关或高速切换的应用
    应用领域:
    - 功率工具
    - 高效电源管理
    - 工业自动化
    - 汽车电子

    技术参数


    - 最大电压(VDS): 30V
    - 最大栅极电压(VGS): ±20V
    - 静态导通电阻(RDS(on)):
    - 1.3mΩ @ 10V
    - 1.9mΩ @ 4.5V
    - 最大连续漏极电流(ID):
    - TA = 25°C:192A
    - TA = 70°C:34A
    - 最大脉冲漏极电流(IDM): 25A
    - 最大单脉冲雪崩能量(EAS): 250mJ
    - 热阻(RθJA):
    - 12.5°C/W(双面冷却)
    - 20°C/W(单面冷却)
    - 典型栅极电荷(Qg): 51-77nC
    - 其他电气特性:
    - 最大结温(TJ):-40°C到+150°C
    - 脉冲峰值焊接温度:270°C
    - 峰值结温(Tc):89°C

    产品特点和优势


    - 超低导通电阻(RDS(on)): 最低可达1.3mΩ,适合需要高效能的高电流应用。
    - 低轮廓设计:<0.7mm: 减小了产品体积,适合空间受限的设计。
    - 双面散热兼容: 改善了热传递效率,相比传统设计提高了80%。
    - 低栅极电荷和低关断延迟时间: 减少了开关损耗,增强了系统效率。
    - 兼容现有的表面贴装技术: 便于生产和集成到现有电路板上。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在高功率工具如电动螺丝刀和电动剪切机中用于控制电机驱动。
    - 在高效电源管理应用中用于直流-直流转换器。
    使用建议:
    - 在选择合适的驱动电阻(RG)时,建议使用1.0Ω到3.0Ω之间的值,以减少开关损耗。
    - 确保良好的散热设计,特别是在高电流操作条件下,避免过热问题。

    兼容性和支持


    - 兼容性: IRF8301MPbF DirectFET可以直接放置在现有的SO-8或PQFN 5x6mm封装的布局上,并兼容多种表面贴装工艺。
    - 制造商支持:
    - 提供详细的安装指南和技术支持文档。
    - 可访问制造商网站(http://www.irf.com/whoto-call/)获取进一步的帮助和支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 开关过程中的高频振荡现象。
    - 解决方案: 使用低感值电容器和合适的栅极电阻(RG),同时确保良好的接地和走线设计。
    - 问题2: 设备过热。
    - 解决方案: 确保良好的散热设计,增加散热片或使用散热器,并保持适当的空气流通。
    - 问题3: 导通电阻异常升高。
    - 解决方案: 检查接线和连接点是否有接触不良的情况,确保正确配置驱动信号和栅极电压。

    总结和推荐


    IRF8301MPbF DirectFET是一款高性能的功率MOSFET,特别适用于高电流、高速开关的应用场景。其超低的导通电阻和优化的散热设计使得它成为众多应用的理想选择。通过有效的热管理和正确的安装方法,可以最大限度地发挥其性能优势。综上所述,我强烈推荐这款产品给需要高效能和紧凑设计的应用场景。

IRF8301MTRPBF参数

参数
最大功率耗散 2.8W(Ta),89W(Tc)
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 6.14nF@15V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 34A,192A
Rds(On)-漏源导通电阻 1.5mΩ@ 32A,10V
栅极电荷 77nC@ 4.5 V
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.35V@ 150µA
长*宽*高 6.35mm*5.05mm*700μm
通用封装 WDSON-5
安装方式 直接安装,贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

IRF8301MTRPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRF8301MTRPBF数据手册

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IRF8301MTRPBF封装设计

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100+ ¥ 14.3635
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