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IPT012N08N5ATMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道MOS管, Vds=80 V, 300 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装
供应商型号: IPT012N08N5ATMA1
供应商: 国内现货
标准整包数: 2000
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPT012N08N5ATMA1

IPT012N08N5ATMA1概述


    产品简介


    IPT012N08N5 是一种OptiMOSTM 5 功率晶体管,其额定电压为80V,适用于高频开关电路和同步整流应用。作为一款N沟道功率MOSFET,它具有出色的栅极电荷和导通电阻(RDS(on))乘积(FOM),非常适合用于需要高能效的应用场景。

    技术参数


    - 最大额定值:
    - 连续漏极电流 (ID): 最大值为400A (VGS=10V, TC=25°C)
    - 单脉冲漏极电流 (ID,pulse): 最大值为1600A (TC=25°C)
    - 击穿电压 (VDS): 80V
    - 雪崩能量 (EAS): 817mJ (ID=150A, RGS=25Ω)
    - 栅源电压 (VGS): -20V 至 +20V
    - 最大功率耗散 (Ptot): 375W (TC=25°C)
    - 热特性:
    - 热阻 (RthJC): 0.2-0.4K/W
    - PCB安装时的热阻 (RthJA): 62K/W (最小封装)
    - PCB安装时带6cm²铜散热区的热阻 (RthJA): 40K/W
    - 静态特性:
    - 漏极-源极击穿电压 (V(BR)DSS): 80V
    - 栅阈值电压 (VGS(th)): 2.2-3.8V
    - 漏极-源极导通电阻 (RDS(on)): 最大值1.7mΩ (VGS=6V, ID=75A)
    - 动态特性:
    - 输入电容 (Ciss): 13000-17000pF
    - 输出电容 (Coss): 2000-2600pF
    - 反向转移电容 (Crss): 86-150pF
    - 开关时间 (td(on), tr, td(off), tf): 在VDD=40V, VGS=10V, ID=100A下的具体时间请参考数据手册中的图表

    产品特点和优势


    - 高频应用表现优异: IPT012N08N5 特别适合于高频开关和同步整流应用,具有非常低的导通电阻。
    - 优秀的栅极电荷性能: 通过优化栅极电荷设计,能够有效降低开关损耗。
    - 低导通电阻: 1.2mΩ的最大导通电阻,保证了高效的电流传输能力。
    - 耐压能力强: 击穿电压达到80V,适合高压应用环境。
    - 符合环保要求: 无铅镀层,符合RoHS标准,不含卤素。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    IPT012N08N5 广泛应用于电源转换、直流到交流逆变器以及电机驱动等应用中。例如,在一个典型的电源转换电路中,IPT012N08N5 可以显著提高系统的转换效率。
    使用建议
    - 热管理: 在高功率应用中,确保良好的热管理至关重要。建议使用带有散热片的电路板或专门设计的散热装置。
    - 电路布局: 要避免长走线和不必要的感应回路,以减少EMI干扰。
    - 保护措施: 使用适当的栅极电阻和其他保护器件,如瞬态电压抑制器(TVS),以防止电压尖峰对器件造成损坏。

    兼容性和支持


    IPT012N08N5 与多种电路拓扑结构兼容,包括但不限于半桥和全桥配置。Infineon Technologies 提供详细的技术支持和文档资源,帮助用户更好地理解和应用该产品。用户可以通过Infineon官方网站获取最新的产品信息和技术资料。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 开关过程中器件过热
    - 解决方案: 优化散热设计,确保足够的空气流通,并考虑使用额外的散热器。
    - 问题: 电路出现不稳定现象
    - 解决方案: 检查电路设计和布局,确保所有连接和组件都正确无误。必要时,增加栅极电阻以降低开关速度。
    - 问题: 高频操作时出现电磁干扰
    - 解决方案: 采用更短的走线长度和适当的设计来减少寄生电感和电容,以减小EMI。

    总结和推荐


    IPT012N08N5 以其低导通电阻、高可靠性以及广泛的温度适应范围,在高频开关和同步整流应用中表现出色。其出色的性能使其成为电源管理和其他需要高效功率转换的应用的理想选择。如果你正在寻找一款能够在高频率环境下提供可靠和高效性能的MOSFET,IPT012N08N5 将是一个值得考虑的选择。强烈推荐给需要高性能电源管理解决方案的工程师们。

IPT012N08N5ATMA1参数

参数
Id-连续漏极电流 300A
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V@ 280µA
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 223nC@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 80V
最大功率耗散 375W(Tc)
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 1.2mΩ@ 150A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 17nF@40V
长*宽*高 9.9mm*10.38mm*2.3mm
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IPT012N08N5ATMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPT012N08N5ATMA1数据手册

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IPT012N08N5ATMA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2000+ ¥ 7.2
4000+ ¥ 7.08
6000+ ¥ 6.9
10000+ ¥ 6.78
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