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IPW90R120C3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 417W 20V 3.5V 270nC@ 10V 1个N沟道 900V 120mΩ@ 10V 36A 6.8nF@ 100V 通孔安装 15.9mm*5.3mm*20.95mm
供应商型号: IPW90R120C3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 240
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPW90R120C3

IPW90R120C3概述

    IPW90R120C3 CoolMOS™ Power Transistor 技术手册

    产品简介


    IPW90R120C3 是一种由Infineon Technologies制造的CoolMOS™功率晶体管,属于高压MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)系列。它主要用于开关电源、消费电子及工业应用中的开关操作。这款MOSFET凭借其优异的热性能和高效率,广泛应用于Quasi Resonant Flyback/Forward拓扑结构和其他高频开关电源设计。

    技术参数


    以下是IPW90R120C3的主要技术参数:
    - 连续漏极电流:26 A (T C=25 °C),最高可达36 A (T C=100 °C)
    - 脉冲漏极电流:23 A
    - 雪崩能量(单脉冲):1940 mJ
    - 雪崩能量(重复脉冲):96 mJ
    - 最大栅源电压:20 V
    - 总功耗:2.9 W (T C=25 °C)
    - 工作温度范围:-55°C 至 150°C
    - 封装形式:PG-TO247
    - 热阻抗:R thJC = 0.3 K/W
    - 漏源击穿电压:900 V
    - 零栅压漏极电流:10 μA (T J=25 °C)

    产品特点和优势


    IPW90R120C3具有以下显著特点和优势:
    - 极低的R ON × Qg(导通电阻与栅极电荷乘积)
    - 超高的dv/dt容限
    - 高峰值电流能力
    - 符合J-STD20和JESD22标准
    - 无铅镀层,符合RoHS标准
    - 业界领先的R DS,on (ON)电阻,在TO247封装中表现优异
    - 极低的栅极电荷

    应用案例和使用建议


    IPW90R120C3适用于多种应用场景,例如:
    - 准谐振Flyback/Forward拓扑结构:提供高效稳定的电源转换
    - PC Silverbox和消费电子:满足这些领域对电源转换效率和稳定性要求高的需求
    - 工业SMPS(开关电源):提供可靠的功率控制和管理
    在使用过程中,建议如下:
    - 确保电路设计中包含适当的散热措施,以防止过热现象。
    - 在高频应用中,特别注意选择合适的驱动电路以降低EMI干扰。
    - 针对不同的应用环境,适当调整栅极驱动信号,以保证最佳的性能和可靠性。

    兼容性和支持


    IPW90R120C3与同类的电子元器件及设备高度兼容,确保无缝集成。Infineon Technologies提供了详尽的技术文档和全面的支持服务,确保客户可以轻松获取所需的信息和技术支持。

    常见问题与解决方案


    以下是一些可能遇到的问题及其解决方案:
    - 问题: 漏极电流过大导致热失控。
    - 解决方案: 设计中需加入有效的散热装置,如散热片或水冷系统。

    - 问题: 电路出现不稳定现象。
    - 解决方案: 检查驱动电路和负载匹配情况,确保所有连接正确无误。

    总结和推荐


    IPW90R120C3凭借其卓越的性能和广泛的应用范围,在高压MOSFET市场上具有显著的竞争优势。其出色的热性能和高效率使其成为许多高端应用的理想选择。总的来说,我们强烈推荐IPW90R120C3用于需要高可靠性和高性能的电力转换和控制系统中。
    如有任何疑问或需要进一步的技术支持,请联系Infineon Technologies官方客服。

IPW90R120C3参数

参数
Id-连续漏极电流 36A
栅极电荷 270nC@ 10V
配置 独立式
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 6.8nF@ 100V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 900V
Rds(On)-漏源导通电阻 120mΩ@ 10V
通道数量 1
最大功率耗散 417W
长*宽*高 15.9mm*5.3mm*20.95mm
安装方式 通孔安装
包装方式 管装

IPW90R120C3厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPW90R120C3数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPW90R120C3 IPW90R120C3数据手册

IPW90R120C3封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
240+ ¥ 56.5
480+ ¥ 53.336
960+ ¥ 52.432
1920+ ¥ 51.528
库存: 480
起订量: 240 增量: 240
交货地:
最小起订量为:240
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