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IGB20N60H3

产品分类: IGBT单管
产品描述: 170W 1.95V 独立式 600V 40A TO-263 贴片安装,黏合安装
供应商型号: 726-IGB20N60H3
供应商: Mouser
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES IGBT单管 IGB20N60H3

IGB20N60H3概述

    # 高速IGBT IGB20N60H3 技术手册

    产品简介


    基本介绍
    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)即绝缘栅双极型晶体管,是一种用于高压、大电流电力转换应用的半导体开关。本文介绍的是IGBT系列产品中的IGB20N60H3型号,属于高速开关系列第三代产品,采用了沟槽栅和场终止技术,适用于多种高功率电力电子设备。
    主要功能
    - 高速开关:具备非常低的关断能量,低饱和电压和低电磁干扰。
    - 高耐温性:最高结温可达175°C,适应恶劣的工作环境。
    - 环保设计:无铅镀层、无卤素封装材料,符合RoHS标准。
    应用领域
    - 不间断电源(UPS)
    - 焊接转换器
    - 高频转换器

    技术参数


    极限参数
    - 集电极-发射极电压:600V(Tvj ≥ 25°C)
    - 直流集电极电流:25°C时为40A,100°C时为20A
    - 脉冲集电极电流:80A
    - 短路耐受时间:VGE = 15.0V, VCC ≤ 400V 时最大值为1000次,每次之间间隔≥1.0s,短路时间≤5µs
    - 最大功耗:25°C时为170W,100°C时为85W
    - 结温范围:-40...+175°C
    - 存储温度范围:-55...+150°C
    热阻参数
    - IGBT结至壳体热阻:0.88 K/W
    - 最小散热面积下的结至环境热阻:65 K/W
    - 在PCB上安装6cm²铜散热器时的结至环境热阻:40 K/W
    电气特性
    - 集电极-发射极击穿电压:600V(VGE=0V, IC=2.00mA)
    - 集电极-发射极饱和电压:25°C时典型值为1.95V,125°C时典型值为2.30V,175°C时典型值为2.50V
    - 门极-发射极阈值电压:4.1~5.7V(IC=0.29mA, VCE=VGE)
    动态特性
    - 输入电容:1100 pF
    - 输出电容:70 pF
    - 反向传输电容:32 pF
    - 门极电荷:120.0 nC
    开关特性
    - 开通过程延时:16ns(Tvj=25°C)
    - 关断过程延时:194ns(Tvj=25°C)
    - 总开关损耗:25°C时为0.69 mJ,175°C时为0.96 mJ

    产品特点和优势


    独特功能
    - TRENCHSTOPTM技术:具备非常低的关断能量、低饱和电压和低电磁干扰,适用于高频率的电力电子转换器。
    - 高耐温性:最高结温可达175°C,适用于高温环境。
    - 环保材料:无铅镀层、无卤素封装材料,符合RoHS标准,确保环境友好。
    市场竞争力
    - 低损耗:IGBT采用先进的TRENCHSTOPTM技术,显著降低了开关过程中的损耗,提高了能效。
    - 高可靠性:具有出色的耐温性和短路耐受能力,增强了系统的稳定性和可靠性。
    - 环保材料:使用环保材料,满足日益严格的环保要求。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 不间断电源(UPS):在UPS系统中,IGB20N60H3可以实现高效稳定的电压调节,确保电力供应连续稳定。
    - 焊接转换器:用于高频焊接机,降低焊接过程中的热损,提高焊接效率和质量。
    - 高频转换器:在需要高频率开关的应用中,如电机驱动和电源转换器中,IGB20N60H3能够提供卓越的开关性能。
    使用建议
    - 散热管理:在使用IGB20N60H3时,应保证良好的散热条件,可选用较大的散热片或增加散热风扇以提高热交换效率。
    - 外部驱动电路设计:合理设计外部驱动电路,减小门极电阻,以减少开关延迟时间和开关损耗。
    - 选择合适的栅极驱动电压:根据实际应用选择合适的栅极驱动电压,以确保IGBT工作在最佳状态。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IGB20N60H3与其他同系列IGBT产品在物理尺寸和电气特性上具有较好的兼容性,方便替换。
    - 技术支持:Infineon Technologies提供了全面的技术支持服务,包括技术文档下载、应用指南和在线技术支持等。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    - 问:如何避免过热损坏?
    - 答:确保良好的散热条件,使用适当的散热器和散热策略,例如添加散热风扇。

    - 问:IGBT开关过程中出现较高损耗怎么办?
    - 答:优化外部驱动电路,减小门极电阻,从而减小开关损耗。
    - 问:如何判断IGBT是否发生短路?
    - 答:使用万用表测量集电极和发射极之间的电压和电流,如果发现电压异常或者电流异常增大,可能是发生了短路。

    总结和推荐


    综合评估
    IGB20N60H3是Infineon公司推出的一款高性能IGBT产品,它采用了先进的TRENCHSTOPTM技术,拥有低损耗、低电磁干扰、高耐温性等优点,广泛应用于各种高功率电力电子设备中。此外,它的环保材料和广泛的兼容性使其在市场上具备较强的竞争力。
    推荐
    基于其出色的性能和市场表现,强烈推荐在高功率电力电子应用中使用IGB20N60H3。

IGB20N60H3参数

参数
最大集电极发射极饱和电压 1.95V
配置 独立式
集电极电流 40A
最大功率耗散 170W
VCEO-集电极-发射极最大电压 600V
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装,黏合安装
包装方式 卷带包装

IGB20N60H3厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IGB20N60H3数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES IGBT单管 INFINEON TECHNOLOGIES IGB20N60H3 IGB20N60H3数据手册

IGB20N60H3封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 2.599 ¥ 21.9616
10+ $ 1.656 ¥ 13.9932
100+ $ 1.1556 ¥ 9.7648
500+ $ 0.9331 ¥ 7.8849
1000+ $ 0.8608 ¥ 7.2734
2000+ $ 0.755 ¥ 6.3793
5000+ $ 0.7445 ¥ 6.2906
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