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IAUC100N10S5L040ATMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道MOS管, Vds=20 V, 100 A, SuperSO8 5 x 6封装, 表面贴装, 8引脚
供应商型号: 3577308
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IAUC100N10S5L040ATMA1

IAUC100N10S5L040ATMA1概述


    产品简介


    IAUC100N10S5L040 是一款基于 OptiMOSTM-5 技术的高性能 N 沟道增强型功率晶体管。该产品专为逻辑电平控制设计,具备多种先进的特性,如汽车电子应用认证(AEC-Q101),以及适合自动光学检测(AOI)。IAUC100N10S5L040 广泛应用于开关电源、逆变器、电机驱动和车载电子系统等领域。

    技术参数


    以下是 IAUC100N10S5L040 的主要技术规格:
    | 参数 | 符号 | 条件 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    | :: | :: | :: | :: | :: | :: | :: |
    | 连续漏极电流 | ID | TC=25°C, VGS=10V | A | 100 | 100 | 100 |
    | 脉冲漏极电流 | ID,pulse | TC=25°C | A | - | - | 400 |
    | 击穿电压 | V(BR)DSS | VGS=0V, ID=1mA | V | - | 100 | - |
    | 栅源电压 | VGS | - | V | - | ±20 | - |
    | 功率耗散 | Ptot | TC=25°C, TJ=175°C | W | - | 167 | - |
    | 工作温度范围 | Tj, Tstg | - | °C | -55 | - | 175 |
    其他关键参数包括:
    - 导通电阻:RDS(on) ≤ 4.3 mΩ @ VGS=4.5V, ID=50A
    - 输入电容:Ciss ≤ 5200 pF
    - 输出电容:Coss ≤ 860 pF
    - 反向转移电容:Crss ≤ 42 pF

    产品特点和优势


    IAUC100N10S5L040 的独特功能和优势使其在多种应用中表现出色:
    - 高可靠性:AEC 认证保证了其在汽车电子等严苛环境下的稳定性和可靠性。
    - 快速响应:低导通电阻(RDS(on))确保了高效率和快速开关特性。
    - 高温适应性:MSL1 等级至 260°C 峰值回流温度,适合极端工作环境。
    - 抗浪涌能力:通过单脉冲雪崩能量测试(EAS),确保了出色的过载保护能力。
    - 逻辑电平驱动:兼容逻辑电平输入,便于集成到现有系统中。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    IAUC100N10S5L040 可广泛应用于开关电源、逆变器和电机驱动系统中。例如,在电动车的逆变器系统中,该晶体管可以实现高效的能量转换和控制,提高系统的整体效率和可靠性。
    使用建议
    - 在使用时,确保漏极电流不超过规定的最大值,以避免因过热导致的损坏。
    - 使用适当冷却措施,以保持结温在安全范围内。
    - 对于高频应用,考虑其动态特性(如输入、输出和反向转移电容)的影响,合理选择驱动电路。

    兼容性和支持


    IAUC100N10S5L040 采用 PG-TDSON-8 封装,具有良好的引脚兼容性。制造商 Infineon Technologies 提供详尽的技术文档和支持服务,确保用户能够充分利用该产品的性能。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |
    | :: | :: |
    | 漏极电流超出规定范围 | 检查驱动电路,确保其符合器件的最大电流限制。 |
    | 散热不良导致结温过高 | 使用合适的散热片或散热器,并确保良好的气流。 |
    | 开关速度不足 | 优化驱动电路,减少栅极电阻,提高开关频率。 |

    总结和推荐


    IAUC100N10S5L040 是一款高性能的 N 沟道增强型功率晶体管,具备卓越的电气特性和可靠的工作环境适应性。它在开关电源、逆变器和电机驱动系统中展现出显著的优势。鉴于其广泛的适用性和优良的性能,强烈推荐用于需要高效能和高可靠性的应用场合。
    对于更多技术细节和专业咨询,欢迎联系 Infineon Technologies 官方获取更多信息。

IAUC100N10S5L040ATMA1参数

参数
Id-连续漏极电流 100A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 90µA
栅极电荷 78nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 100V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 5.2nF@50V
Rds(On)-漏源导通电阻 4mΩ@ 50A,10V
最大功率耗散 167W(Tc)
通用封装 TDSON-8
安装方式 贴片安装
包装方式 卷带包装

IAUC100N10S5L040ATMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

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IAUC100N10S5L040ATMA1封装设计

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