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BSC014NE2LSIATMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道MOS管, Vds=25 V, 100 A, PG-TDSON-8-7封装, 表面贴装
供应商型号: 2480708
供应商: 海外现货
标准整包数: 5
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) BSC014NE2LSIATMA1

BSC014NE2LSIATMA1概述

    BSC014NE2LSI MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    BSC014NE2LSI 是一种OptiMOSTM系列的功率MOSFET,额定电压为25V。这种MOSFET主要用于高效率的降压转换器(Buck Converter),具有非常低的导通电阻(RDS(on)),非常适合需要高性能的电力转换应用。主要特点包括单片集成的肖特基二极管、耐雪崩能力、以及严格的JEDEC标准认证。

    技术参数


    - 最大额定值:最大连续漏极电流ID为179A(当VGS=10V且TC=25°C时);最大脉冲漏极电流ID,pulse为716A(当TC=25°C时);最大栅源电压VGS为±20V;最大功耗Ptot为74W(当TC=25°C时);工作温度范围Tj,Tstg为-55至150°C。
    - 热特性:热阻RthJC底部为1.7K/W,顶部为20K/W;当设备安装在带有6cm²铜散热区域的FR4电路板上时,热阻RthJA为50K/W。
    - 电气特性:最大漏源击穿电压V(BR)DSS为25V;导通电阻RDS(on)最大为1.4mΩ(当VGS=4.5V时);反向恢复电荷Qrr最大为5nC(当VR=15V时)。

    产品特点和优势


    - 高度集成:集成了肖特基二极管,简化了电路设计。
    - 超低导通电阻:RDS(on)的最大值仅为1.4mΩ,保证了高效率。
    - 耐用性:经过100%雪崩测试,确保在极端条件下的稳定运行。
    - 兼容性:符合无铅(Pb-free)封装,RoHS和无卤素标准。

    应用案例和使用建议


    - 应用场景:BSC014NE2LSI适用于各种高效率的降压转换器,例如电源适配器、服务器电源、汽车电子等。由于其低RDS(on),适合应用于对效率要求极高的场合。
    - 使用建议:为了充分发挥其性能,建议在VGS=4.5V的条件下使用,以达到最低的RDS(on)值。此外,应确保电路布局合理,以便有效散热。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该MOSFET与市场上大多数控制器和其他电子元件兼容。建议参考制造商提供的应用笔记和设计指南,以确保最佳的系统性能。
    - 支持:Infineon Technologies提供了全面的技术支持,包括详细的规格书、应用指南和故障排除文档。如有任何问题,可通过技术支持热线或官方网站获得帮助。

    常见问题与解决方案


    - Q: 如何正确设置栅极电压以避免过热?
    - A: 确保VGS不超过20V,同时监控温度以避免超过额定的工作温度范围。如果可能,使用外部冷却机制来降低热阻。
    - Q: 在高频开关应用中,如何减少损耗?
    - A: 选择合适的栅极电阻(RG)以优化开关时间。对于高频应用,建议使用低电容值的外置栅极电阻器以减少寄生电容效应。
    - Q: 在高温环境下,如何维持最佳性能?
    - A: 在设计阶段考虑增加散热措施,如使用更大的散热片或主动冷却系统。同时,避免长时间在高温下运行,定期检查并更换可能出现热损伤的元件。

    总结和推荐


    BSC014NE2LSI MOSFET凭借其低RDS(on)、高效率、耐雪崩和环保特性,在各种电力转换应用中表现出色。特别是对于追求高效、稳定工作的工业和消费电子产品,这款MOSFET是一个理想的选择。强烈推荐此产品给那些对性能和可靠性有严格要求的应用。

BSC014NE2LSIATMA1参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 1.4mΩ@ 30A,10V
最大功率耗散 2.5W(Ta),74W(Tc)
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 39nC@ 10 V
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 25V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA
Id-连续漏极电流 33A,100A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.7nF@12V
通道数量 1
长*宽*高 5.9mm*5.15mm*1.27mm
通用封装 SON
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

BSC014NE2LSIATMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

BSC014NE2LSIATMA1数据手册

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BSC014NE2LSIATMA1封装设计

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3000+ ¥ 5.1613
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