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IPC218N04N3X1SA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 4V@ 200µA 1个N沟道 40V 50mΩ@ 2A,10V 2A 贴片安装
供应商型号: UA-IPC218N04N3X1SA1
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPC218N04N3X1SA1

IPC218N04N3X1SA1概述

    IPC218N04N3 Power MOSFET芯片技术手册

    产品简介


    IPC218N04N3 是一款OptiMOS³系列的N沟道增强型MOSFET芯片,适用于动态特性的验证。这款产品由英飞凌科技(Infineon Technologies AG)生产,具有较高的耐压能力和低导通电阻,适用于多种电力转换和控制应用。主要用于动态特性的验证,例如应用于汽车电子、电源管理、电机驱动等领域。

    技术参数


    以下是从技术手册中提取的技术参数:
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源击穿电压 | - | 40 | - | V |
    | 门阈值电压 | 2 | 4 | - | V |
    | 零门电压漏极电流 | - | 0.1 | 2 | µA |
    | 门源漏电流 | - | 2 | 200 | nA |
    | 漏源导通电阻 | - | 0.92 | 503 | mΩ |
    | 反向二极管正向导通电压 | - | 0.86 | 1.1 | V |
    | 内部门电阻 | - | 1.5 | - | Ω |
    | 单脉冲雪崩能量 | - | - | 525 | mJ |
    其他关键性能参数还包括:
    - 漏源击穿电压: 40 V
    - 典型裸片RDS(on): 0.92 mΩ (当VGS=10V时)
    - 芯片尺寸: 5.9 x 3.7 mm²
    - 厚度: 175 µm

    产品特点和优势


    IPC218N04N3具备以下特点和优势:
    1. 高可靠性: 符合MIL-STD 883C静电放电敏感设备标准。
    2. 低导通电阻: 典型RDS(on)仅为0.92 mΩ(当VGS=10V时),确保高效的电力传输。
    3. 耐高温: 能够承受高达40V的漏源击穿电压。
    4. 优越的热稳定性: 采用先进的背侧金属化系统(NiV系统)和前侧金属化系统(AlCu系统)。
    5. 优良的封装: 使用氮化物和聚酰亚胺复合层进行钝化处理,提高产品的可靠性和寿命。

    应用案例和使用建议


    IPC218N04N3 主要用于动态特性验证的应用场景,如汽车电子、电源管理和电机驱动等。建议在以下方面进行优化:
    1. 散热设计: 由于导通电阻较低,可能产生较大的功耗,因此需要考虑良好的散热设计以避免过热问题。
    2. 电路保护: 在设计时加入过流保护和过温保护措施,以防止意外损坏。
    3. 环境适应性: 虽然产品设计适应宽温度范围,但在极端环境下仍需注意其性能和可靠性。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 与标准的PG-TO263-7封装兼容。
    - 支持: 英飞凌提供了详细的技术文档和技术支持,用户可以通过官方渠道获取进一步的信息和支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 如何确定RDS(on)的实际值?
    - 解决方案: 查阅完整的技术手册,或联系英飞凌的技术支持团队获取详细数据。

    2. 问题: 如何避免静电放电损坏?
    - 解决方案: 确保在处理和安装过程中遵循静电放电预防措施,并使用适当的ESD保护设备。

    总结和推荐


    IPC218N04N3 是一款高性能的N沟道增强型MOSFET芯片,具有高耐压能力、低导通电阻和优良的热稳定性。其独特的技术特点使其在电力转换和控制应用中表现出色,适合于汽车电子、电源管理和电机驱动等领域。强烈推荐在需要高效电力传输和可靠性的场合使用。
    以上是根据技术手册《IPC218N04N3 Final Data Sheet Rev. 2.6》提取并整理的内容。希望对您有所帮助。

IPC218N04N3X1SA1参数

参数
Id-连续漏极电流 2A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 200µA
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 50mΩ@ 2A,10V
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IPC218N04N3X1SA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPC218N04N3X1SA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPC218N04N3X1SA1 IPC218N04N3X1SA1数据手册

IPC218N04N3X1SA1封装设计

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