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IPG20N06S2L35ATMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 65W 20V 2V@ 27µA 23nC@ 10V 2个N沟道 55V 35mΩ@ 15A,10V 20A 790pF@25V 贴片安装 5.15mm*5.9mm*1mm
供应商型号: 2443440
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPG20N06S2L35ATMA1

IPG20N06S2L35ATMA1概述


    产品简介


    IPG20N06S2L-35 是一款由Infineon Technologies生产的OptiMOS® 功率晶体管。作为一款双N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管(N-channel Logic-Level Enhanced Mode MOSFET),IPG20N06S2L-35具备卓越的性能和可靠性。它符合AEC Q101标准,适用于汽车和其他需要高可靠性的应用领域。此外,它具有绿色环保(RoHS合规)和无卤素材料的特点,能够在高达260°C的峰值回流温度下保持良好的性能。这款产品广泛应用于电源转换、电机驱动等领域。

    技术参数


    - 基本参数:
    - 产品类型:双N沟道逻辑电平增强模式MOSFET
    - 工作电压:最高55V
    - 最大连续漏极电流:20A(单通道)
    - 最大脉冲漏极电流:80A(单通道)
    - 热阻:RthJC ≤ 2.3 K/W
    - 额定功率:65W(单通道)

    - 电气特性:
    - 漏源击穿电压:V(BR)DSS = 55V
    - 门限电压范围:VGS(th) = 1.2~2.0V
    - 漏源导通电阻:RDS(on) = 35mΩ (VGS=4.5V, ID=10A)

    - 工作环境:
    - 运行温度范围:-55°C至+175°C
    - 储存温度范围:-55°C至+175°C

    产品特点和优势


    IPG20N06S2L-35 的独特之处在于它的高可靠性、低损耗和宽广的工作温度范围。它通过AEC Q101认证,适合于苛刻的工作环境。此外,其热阻极低(RthJC ≤ 2.3 K/W),可以在较高温度下正常运行,从而提高了系统的整体效率和稳定性。由于采用先进的制造工艺,其最大连续漏极电流可达20A,这使得它在需要大电流的应用场合表现出色。

    应用案例和使用建议


    IPG20N06S2L-35 广泛应用于电动汽车(EV)、混合动力汽车(HEV)、工业自动化、电机驱动系统以及电源转换电路中。在这些应用中,它能提供优异的开关性能和低损耗。
    使用建议:
    - 在高温环境下工作时,确保散热良好以避免过热。
    - 在设计PCB布局时,应考虑降低寄生电感和电容的影响。
    - 为保证可靠性,建议选择合适的门极驱动电路来控制栅极电压。

    兼容性和支持


    IPG20N06S2L-35 可以与大多数标准电路板组件兼容。Infineon Technologies提供了详尽的技术文档和在线支持资源,包括安装指南、应用笔记及技术支持服务。用户可以通过Infineon的官方网站获取这些资料,并获得及时的技术支持。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 检查门极电阻值是否合适,调整门极电容 |
    | 温度过高 | 改善散热措施,如增加散热片或改善通风条件 |
    | 漏电流过大 | 确保工作电压和电流在规定范围内 |

    总结和推荐


    总体而言,IPG20N06S2L-35 是一款高效、可靠的MOSFET,非常适合在各种工业应用中使用。其高耐温性和优良的电气性能使其成为电源管理领域的理想选择。无论是用于电动汽车还是其他高压应用场合,它都能提供出色的性能表现。因此,我强烈推荐使用此产品。

IPG20N06S2L35ATMA1参数

参数
最大功率耗散 65W
Rds(On)-漏源导通电阻 35mΩ@ 15A,10V
栅极电荷 23nC@ 10V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 2个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 27µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 790pF@25V
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 55V
Id-连续漏极电流 20A
长*宽*高 5.15mm*5.9mm*1mm
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

IPG20N06S2L35ATMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPG20N06S2L35ATMA1数据手册

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IPG20N06S2L35ATMA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 6.1491
10+ ¥ 4.6584
100+ ¥ 4.1739
500+ ¥ 4.0994
1000+ ¥ 4.0249
5000+ ¥ 4.0249
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