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IRFP7537PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管 StrongIRFET系列, Vds=60 V, 172 A, TO-247封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: IRFP7537PBF
供应商: 国内现货
标准整包数: 400
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRFP7537PBF

IRFP7537PBF概述

    # IRFP7537PbF HEXFET® Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    IRFP7537PbF 是一款由International Rectifier公司生产的StrongIRFET™系列增强型功率MOSFET,属于HEXFET®技术产品线。该器件专为高压大电流应用设计,具有优异的性能表现和高可靠性。IRFP7537PbF 的核心优势在于其低导通电阻(RDS(on))和高可靠性,使其成为各种电力转换应用的理想选择。它的典型应用领域包括:有刷电机驱动、无刷直流电机驱动、电池供电电路、半桥及全桥拓扑结构、同步整流、谐振模式电源、冗余电源开关、DC/DC 和 AC/DC 转换器、以及DC/AC逆变器等。

    技术参数


    以下是IRFP7537PbF的关键技术规格:
    - 工作电压范围:漏源击穿电压 VDSS = 60V
    - 漏源导通电阻:典型值 RDS(on) = 2.75mΩ(@ VGS = 10V),最大值 RDS(on) = 3.30mΩ
    - 连续漏极电流:ID = 172A(@ TC = 25°C),ID = 121A(@ TC = 100°C)
    - 最大耗散功率:PD = 230W(@ TC = 25°C),线性降额因子 = 1.5W/°C
    - 热阻:RθJC = 0.66°C/W(典型值),RθJA = 40°C/W(最大值)
    - 封装类型:TO-247(标准包装管装25个)
    动态特性
    - 门电荷 Qg:典型值 Qg = 142nC,最大值 Qg = 210nC
    - 上升时间 tr:典型值 tr = 105ns(@ ID = 100A)
    - 下降时间 tf:典型值 tf = 84ns(@ VGS = 10V)
    静态特性
    - 门限电压 VGS(th):典型值 VGS(th) = 2.1V~3.7V(@ ID = 150µA)
    - 漏源漏电流 IDSS:典型值 IDSS = 1.0µA(@ VDS = 60V,VGS = 0V)
    其他特性
    - 封装标记:包含年份、周次及“Lead-Free”标志
    - 符合标准:RoHS合规,符合工业级标准(JESD47F)

    产品特点和优势


    IRFP7537PbF 的显著特点如下:
    1. 卓越的坚固性:具备改进的门驱动能力、雪崩能力以及动态dV/dt耐受性。
    2. 全面表征的电容特性:包括输入电容、输出电容及反向传输电容等。
    3. 强健的体二极管性能:具备高的dv/dt和di/dt承受能力。
    4. 环保设计:采用无铅设计,符合RoHS要求。
    这些特性使IRFP7537PbF在高效能和高可靠性方面处于行业领先地位,适用于苛刻的电力系统应用场景。

    应用案例和使用建议


    典型应用
    - 电机驱动:IRFP7537PbF在电机驱动电路中提供高效的功率控制,特别适合需要高开关频率和低损耗的场景。
    - 电源管理:广泛应用于DC/DC转换器、AC/DC整流器及逆变器中。
    - 电池管理系统:支持高效率的电池充放电过程。
    使用建议
    1. 散热管理:由于较高的耗散功率,建议在设计时合理规划散热路径以确保最佳性能。
    2. 门极驱动:为避免瞬态过压,应使用合适的栅极电阻和滤波电容。
    3. 过载保护:需配置过流和过温保护电路,避免器件损坏。

    兼容性和支持


    IRFP7537PbF 与大多数标准电源模块和控制器兼容,支持广泛的电源管理解决方案。International Rectifier 提供详尽的技术支持,包括设计指南和可靠性测试报告,可在官网免费下载。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致发热严重 | 使用更大的散热器并优化门极电阻设置。 |
    | 漏电流过高影响系统稳定 | 确保正确的安装环境,并检查连接点的接触质量。 |
    | 启动时浪涌电流过大 | 配置软启动电路以限制初始冲击电流。 |

    总结和推荐


    IRFP7537PbF HEXFET® Power MOSFET 是一款高性能、高可靠性的电子元器件,在电机驱动、电源管理和电池管理等领域表现出色。其卓越的耐用性和紧凑的设计使其成为工业和消费电子市场的理想选择。我们强烈推荐在对功率密度和效率要求较高的应用中使用这款产品。如果您正在寻找一款兼具性能和可靠性的MOSFET,IRFP7537PbF绝对是您的最佳选择。

IRFP7537PBF参数

参数
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.7V@ 150µA
Id-连续漏极电流 172A
Vds-漏源极击穿电压 60V
Rds(On)-漏源导通电阻 3.3mΩ@ 100A,10V
最大功率耗散 230W(Tc)
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 7.02nF@25V
栅极电荷 210nC@ 10 V
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 20V
15.87mm(Max)
5.31mm(Max)
24.99mm(Max)
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装,管装

IRFP7537PBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRFP7537PBF数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRFP7537PBF IRFP7537PBF数据手册

IRFP7537PBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3200+ ¥ 6.84
6400+ ¥ 6.726
9600+ ¥ 6.555
16000+ ¥ 6.441
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