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IRF540N

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 130W 20V 4V 71nC(Max) @ 10V 2个N沟道 100V 44mΩ@ 10V 33A 1.96nF@ 25V TO-220
供应商型号: MIK-IRF540N
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRF540N

IRF540N概述

    IRF540N HEXFET® Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    IRF540N 是一种高性能的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),由International Rectifier公司开发。该产品广泛应用于电源管理和驱动控制等领域,由于其高效率和可靠性,被广泛用于工业应用中。IRF540N 的封装形式为TO-220AB,具有优良的散热性能和低热阻特性。

    技术参数


    以下是IRF540N的主要技术规格和性能参数:
    - 最大漏源电压 (VDSS):100V
    - 最大连续漏电流 (ID):33A @ 25°C
    - 最大脉冲漏电流 (IDM):110A
    - 静态漏源导通电阻 (RDS(on)): 44mΩ @ 10V栅源电压,16A漏电流
    - 结到外壳热阻 (RθJC):1.15°C/W
    - 外壳到散热片热阻 (RθCS):0.50°C/W
    - 结到环境热阻 (RθJA):62°C/W
    - 最大功率耗散 (PD):130W @ 25°C
    - 最大门极到源极电压 (VGS):±20V
    - 开关时间:
    - 开启延迟时间 (td(on)):11ns
    - 上升时间 (tr):35ns
    - 关闭延迟时间 (td(off)):39ns
    - 下降时间 (tf):35ns
    - 总门极电荷 (Qg):71nC
    - 输入电容 (Ciss):1960pF @ 0V
    - 输出电容 (Coss):250pF @ 25V
    - 反向转移电容 (Crss):40pF @ 1MHz

    产品特点和优势


    IRF540N具备以下显著特点和优势:
    - 先进的处理技术:IRF540N采用先进的工艺技术,实现了每单位硅面积极低的导通电阻。
    - 超低导通电阻:RDS(on)仅为44mΩ,保证了更高的工作效率。
    - 快速开关速度:快速的开关特性使其适用于高频应用场合。
    - 高工作温度:可以在-55°C至+175°C的宽温度范围内稳定工作。
    - 全雪崩等级:可以承受反复的雪崩电流,确保高可靠性和稳定性。

    应用案例和使用建议


    IRF540N适合应用于多种高压电源转换和电机驱动电路中,例如:
    - 直流-直流转换器:利用其低导通电阻和快速开关特性,实现高效的电源转换。
    - 马达驱动:可作为电机驱动器的高效开关元件。
    - 逆变器系统:适用于光伏逆变器和其他类型的逆变器系统,提供高效能和可靠性。
    使用建议:
    - 在使用时要注意其最大额定参数,确保工作在安全范围内。
    - 为了进一步提高效率,可以采取优化的布局设计以减少寄生电感和电容的影响。
    - 在高速开关操作时,考虑选择适当的门极电阻来限制dv/dt并保护门极。

    兼容性和支持


    IRF540N 与市面上主流的电源管理IC和控制系统具有良好的兼容性,且提供了广泛的用户文档和支持服务,包括详细的电气特性、测试电路图及常见问题解答等。如有任何技术疑问,可通过制造商的网站获取技术支持。

    常见问题与解决方案


    以下是一些常见的问题及其解决方案:
    - 问题1:IRF540N过热问题
    - 解决方案:确保良好的散热设计,使用合适的散热片或风扇,同时注意避免长时间超过最大功耗运行。
    - 问题2:导通电阻过高
    - 解决方案:检查VGS是否达到最低阈值电压(通常为2V以上),并确认VDS处于安全的工作范围。
    - 问题3:频繁出现雪崩失效
    - 解决方案:检查电路是否满足最大雪崩能量的要求,并考虑增加外部缓冲电路以防止雪崩事件的发生。

    总结和推荐


    综上所述,IRF540N HEXFET® Power MOSFET凭借其出色的性能和可靠的设计,在高压应用场合中表现出色。其低导通电阻、快速开关速度和高可靠性使得它在各种工业级应用中成为理想的选择。因此,强烈推荐在高压电力管理和驱动控制等领域中采用IRF540N。

IRF540N参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V
栅极电荷 71nC(Max) @ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.96nF@ 25V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 44mΩ@ 10V
Id-连续漏极电流 33A
Vds-漏源极击穿电压 100V
配置 -
FET类型 2个N沟道
最大功率耗散 130W
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220
包装方式 管装

IRF540N厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRF540N数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRF540N IRF540N数据手册

IRF540N封装设计

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