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IPB042N10N3GATMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道MOS管, Vds=100 V, 137 A, PG-TO252-3封装, 表面贴装
供应商型号: IPB042N10N3GATMA1
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1000
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPB042N10N3GATMA1

IPB042N10N3GATMA1概述


    产品简介


    IPB042N10N3G N-Channel MOSFET
    IPB042N10N3G 是一款来自 Infineon Technologies 的 OptiMOS™3 系列 100V N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款产品以其卓越的性能和高可靠性而著称,特别适用于高频开关和同步整流应用。它采用了 Pb-free 铅板,符合 RoHS 标准,并且不含卤素,这使得它在环保方面表现优异。此外,该产品通过了 JESD222 标准认证,确保了其在特定应用中的适用性。

    技术参数


    - 基本参数
    - 最大漏源电压 \( V{DS} \): 100V
    - 最大栅极-源极电压 \( V{GS} \): ±20V
    - 工作温度范围: -55°C 至 +175°C
    - 功耗 \( P{tot} \): 214W (TA=25°C)
    - 静态特性
    - 最大导通电阻 \( R{DS(on)} \): 4.2 mΩ (典型值)
    - 栅极阈值电压 \( V{GS(th)} \): 2.7 V 至 3.5 V
    - 栅极电荷 \( Qg \): 88 nC 至 117 nC (典型值)
    - 动态特性
    - 输入电容 \( C{iss} \): 6320 pF 至 8410 pF (典型值)
    - 输出电容 \( C{oss} \): 1210 pF 至 1610 pF (典型值)
    - 反向传输电容 \( C{rss} \): 41 pF (最大值)
    - 安全操作区
    - 最大脉冲漏电流 \( I{D,pulse} \): 548 A
    - 雪崩能量 \( E{AS} \): 340 mJ

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻 \( R{DS(on)} \):典型值仅为 4.2 mΩ,适合需要低功耗的应用。
    2. 高可靠性:最高工作温度可达 175°C,适应恶劣的工作环境。
    3. 环保材料:采用 Pb-free 铅板,符合 RoHS 和无卤素标准。
    4. 优秀的 FOM (Figure of Merit):在保证低导通电阻的同时,保持较低的栅极电荷,适用于高频开关。
    5. 兼容多种标准:符合 JESD222 和其他相关标准,确保广泛应用的兼容性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 高频开关:适用于电源转换器、逆变器等高频应用。
    - 同步整流:在 DC-DC 转换器中作为同步整流管使用,提高系统效率。
    使用建议
    - 散热管理:由于功耗较高,建议在 PCB 上增加散热片或风扇来加强散热,特别是在高温环境下。
    - 驱动电路设计:为降低开关损耗,建议使用具有低内阻的栅极驱动器,以减少栅极驱动电压波动。

    兼容性和支持


    兼容性
    - IPB042N10N3G MOSFET 兼容多种 PCB 封装,便于集成到现有系统中。
    - 支持多种电气接口标准,如 JESD222。
    支持
    - Infineon 提供详尽的技术文档和应用指南,确保客户能够快速上手。
    - 技术支持团队提供全天候技术支持服务,解答客户的疑问。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:MOSFET 过热导致失效。
    - 解决方案:增加散热措施,确保散热良好。如使用散热片或加装散热风扇。

    2. 问题:MOSFET 在高频应用中表现出不稳定的开关特性。
    - 解决方案:检查驱动器的输出波形,确保驱动电压稳定。如果需要,可使用外部补偿电路。
    3. 问题:过压损坏 MOSFET。
    - 解决方案:安装瞬态电压抑制二极管(TVS)以保护 MOSFET,防止电压尖峰损害。

    总结和推荐


    综上所述,IPB042N10N3G MOSFET 具有出色的性能和可靠性,适用于高频开关和同步整流应用。它的低导通电阻和高可靠性使其在各种工业应用中表现优异。对于需要高效能、高可靠性的系统而言,这款 MOSFET 是理想的选择。因此,我强烈推荐此产品。

IPB042N10N3GATMA1参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@ 150µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 8.41nF@50V
Id-连续漏极电流 100A
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 214W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 100V
Rds(On)-漏源导通电阻 4.2mΩ@ 50A,10V
栅极电荷 117nC@ 10 V
配置 独立式
长*宽*高 10mm*9.25mm*4.5mm
通用封装 D2PAK
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IPB042N10N3GATMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPB042N10N3GATMA1数据手册

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IPB042N10N3GATMA1封装设计

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