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IRFB7440PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道MOS管, Vds=40 V, 120 A, TO-220封装, 通孔安装
供应商型号: 26M-IRFB7440PBF
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRFB7440PBF

IRFB7440PBF概述

    HEXFET Power MOSFET IRFB7440PbF 技术手册概述

    1. 产品简介


    HEXFET Power MOSFET IRFB7440PbF 是一款适用于多种电机驱动和电源转换应用的高性能功率场效应晶体管(MOSFET)。这种类型的电子元器件主要功能是作为开关元件,用于控制电路中的电流流动。它广泛应用于如下领域:
    - 刷式直流电机驱动
    - 无刷直流电机驱动
    - 电池供电电路
    - 半桥和全桥拓扑结构
    - 同步整流
    - 谐振模式电源
    - OR-ing 和冗余电源开关
    - DC/DC 和 AC/DC 转换器
    - DC/AC 逆变器

    2. 技术参数


    以下是该产品的关键技术规格、性能参数、电气特性和工作环境的相关信息:
    - 电压参数
    - VDSS:最大耐受电压为 40V。
    - V(BR)DSS:最大击穿电压为 40V,温度系数为 0.035V/°C。
    - 电阻参数
    - RDS(on):静态漏源导通电阻典型值为 2.0mΩ,最大值为 2.5mΩ。
    - 电流参数
    - ID:连续漏极电流最大值为 172A(@TC = 25°C)。
    - ID (Package Limited):由于封装限制,最大漏极电流为 120A。
    - 功耗参数
    - PD:最大功率耗散为 387W(@TC = 25°C)。

    - 栅极电阻
    - RG:内部栅极电阻典型值为 2.6Ω。
    - 热阻参数
    - RθJC:结到壳热阻为 1.05°C/W。
    - RθCS:壳到散热片热阻为 0.50°C/W。
    - RθJA:结到环境热阻为 62°C/W。

    3. 产品特点和优势


    HEXFET Power MOSFET IRFB7440PbF 的优势包括:
    - 改善了栅极、雪崩和动态 dv/dt 的坚固性。
    - 完全表征了电容和雪崩安全操作区域(SOA)。
    - 增强了体二极管的 dv/dt 和 di/dt 能力。
    - 符合无铅标准(Lead-Free)和 RoHS 规范(Halogen-Free)。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例
    - 在电机驱动(如刷式电机和无刷电机)中的应用。
    - 在电池供电系统中的应用。
    - 在同步整流和DC/DC转换器中的应用。
    - 在谐振模式电源中的应用。
    - 使用建议
    - 使用时应注意温度限制,确保在安全操作区域内使用。
    - 对于大电流应用,建议选择适合的大电流封装。

    5. 兼容性和支持


    HEXFET Power MOSFET IRFB7440PbF 与同类产品及设备兼容性良好,且得到了来自 Infineon Technologies 的全方位支持。如果遇到问题,可以联系 Infineon 的技术支持团队获取帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 设备过热问题。
    - 解决方案: 确保安装在适当的散热片上,并确保良好的空气流通。
    - 问题2: 高频工作下的信号完整性问题。
    - 解决方案: 适当选择并配置门极驱动电路以减少高频噪声。
    - 问题3: 设备失效问题。
    - 解决方案: 检查应用环境是否满足该产品的工作条件,避免超出绝对最大额定值。

    7. 总结和推荐


    HEXFET Power MOSFET IRFB7440PbF 是一款在高温和高电流条件下表现出色的产品,具有优良的鲁棒性和可靠性。该产品不仅适用于多种电机驱动应用,还适用于电源转换和其他电力电子系统。尽管在某些情况下可能面临温度限制和封装限制,但只要正确安装和使用,其优越的性能表现使其成为许多应用的理想选择。我们强烈推荐此款产品用于需要高可靠性和高性能的电力应用场合。

IRFB7440PBF参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.73nF@25V
Id-连续漏极电流 120A
最大功率耗散 143W(Tc)
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 40V
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.9V@ 100µA
栅极电荷 135nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 2.5mΩ@ 100A,10V
FET类型 1个N沟道
10.67mm(Max)
4.83mm(Max)
9.02mm(Max)
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装,管装

IRFB7440PBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRFB7440PBF数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRFB7440PBF IRFB7440PBF数据手册

IRFB7440PBF封装设计

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