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IMYH200R024M1HXKSA1

产品分类: 碳化硅场效应管
产品描述: 137nC@ 18 V 576W(Tc) 33mΩ@ 40A,18V 89A 2KV 5.5V@24mA 1个N沟道 通孔安装
供应商型号: 4335360
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 碳化硅场效应管 IMYH200R024M1HXKSA1

IMYH200R024M1HXKSA1概述

    CoolSiC™ 2000 V SiC Trench MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    CoolSiC™ 2000 V SiC Trench MOSFET 是一种采用碳化硅(SiC)材料制造的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),具备卓越的热性能。这款产品适用于高压、高温环境下的高功率应用,如光伏优化器、电动汽车充电系统及太阳能逆变器。

    技术参数


    - 电压规格
    - 击穿电压:VDSS = 2000 V @ 25°C
    - 持续直流漏电流:IDCC = 89 A @ Tc = 25°C
    - 最大峰值漏电流:IDM = 189 A
    - 体二极管的最大反向漏电流:IDSS = 400 μA @ VDS = 2000 V, VGS = 0 V
    - 电阻规格
    - 导通电阻:RDS(on) = 24 mΩ @ VGS = 18 V, 25°C
    - 功耗
    - 在25°C下最大功率损耗:Ptot = 576 W
    - 在100°C下最大功率损耗:Ptot = 288 W
    - 工作温度范围
    - 储存温度范围:-55°C 至 150°C
    - 结温范围:-55°C 至 175°C
    - 电容和时间常数
    - 输入电容:Ciss = 4850 pF
    - 输出电容:Coss = 161 pF
    - 反向转移电容:Crss = 11 pF
    - 其他特性
    - 高频动态性能:截止频率:RG,int = 6 Ω @ f = 100 kHz
    - 节点间电阻:RDS(on) = 24 mΩ @ ID = 40 A, VGS = 18 V

    产品特点和优势


    - 低开关损耗:CoolSiC™ 2000 V SiC Trench MOSFET 的开关损耗非常低,能够显著提升系统效率。
    - 优良的体二极管:其内置体二极管具有优异的反向恢复性能,适用于硬换相应用。
    - 高可靠性:通过工业级测试认证(JEDEC47/20/22),具有出色的稳定性和耐用性。
    - 高性能热管理:采用先进的 XT 互连技术,实现了行业领先的热性能表现。

    应用案例和使用建议


    - 光伏优化器:在光伏优化器的应用中,CoolSiC™ 2000 V SiC Trench MOSFET 可以有效提高系统效率,减少损耗,提高系统稳定性。
    - 太阳能逆变器:用于太阳能逆变器时,它能承受高电压和高电流,确保系统的可靠运行。
    - 电动汽车充电系统:由于其出色的散热能力和低损耗,它非常适合应用于高压电动汽车充电系统中。

    兼容性和支持


    - 兼容性:CoolSiC™ 2000 V SiC Trench MOSFET 具有标准化封装(PG-TO247-4-PLUS-NT14),易于与其他标准组件集成。
    - 支持服务:Infineon 提供详尽的技术文档和应用指南(例如 AN2018-09 和 AN2019-05),帮助客户优化设计并解决可能出现的问题。

    常见问题与解决方案


    - 如何正确选择栅源电压?
    - 应遵循应用注释 AN2018-09 中的建议,以确保长期可靠运行。
    - 开关损耗过高怎么办?
    - 降低驱动电阻以加快开关速度,从而降低开关损耗。
    - 如何提高散热性能?
    - 确保良好的热管理系统,并合理布置散热片。

    总结和推荐


    CoolSiC™ 2000 V SiC Trench MOSFET 是一款高度可靠且性能卓越的电子元件,适用于高压和高功率应用。其低开关损耗、优秀的体二极管和高可靠性使其在市场上具备较强的竞争力。无论是用于光伏优化器、太阳能逆变器还是电动汽车充电系统,其强大的性能都将显著提升系统的整体性能和可靠性。因此,我们强烈推荐此款产品用于相关领域的应用。

IMYH200R024M1HXKSA1参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 2KV
Rds(On)-漏源导通电阻 33mΩ@ 40A,18V
栅极电荷 137nC@ 18 V
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 89A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5.5V@24mA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
击穿电压 -
Idss-饱和漏极电流 -
最大功率耗散 576W(Tc)
最大功率 -
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IMYH200R024M1HXKSA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IMYH200R024M1HXKSA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 碳化硅场效应管 INFINEON TECHNOLOGIES IMYH200R024M1HXKSA1 IMYH200R024M1HXKSA1数据手册

IMYH200R024M1HXKSA1封装设计

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