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IPD135N08N3GATMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道MOS管 OptiMOS(TM)3系列, Vds=80 V, 45 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: UA-IPD135N08N3GATMA1
供应商: 海外现货
标准整包数: 2500
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPD135N08N3GATMA1

IPD135N08N3GATMA1概述

    # IPD135N08N3 G OptiMOS™3 Power Transistor 技术手册

    产品简介


    IPD135N08N3 G 是一款由Infineon Technologies生产的OptiMOS™3系列功率晶体管。这种N沟道晶体管专为高频开关设计,适用于DC/DC转换器,具有低导通电阻和高效率的特点。该产品采用无铅电镀和符合RoHS标准的材料制造,确保了环保及健康安全。此外,该产品已通过JEDEC认证,并且不含卤素,符合IEC61249-2-21标准。

    技术参数


    以下是该产品的关键技术和性能参数:
    - 最大连续漏极电流:45A(环境温度25°C时),39A(环境温度100°C时)
    - 脉冲漏极电流:180A
    - 雪崩能量(单脉冲):50mJ
    - 栅源电压:±20V
    - 总功耗:79W(环境温度25°C时)
    - 工作和存储温度范围:-55°C至175°C
    - 热阻:结壳热阻1.9K/W,结-环境热阻最小值为40K/W(带6cm²铜面积的PCB)
    - 反向恢复时间:50ns
    - 栅电荷总值:19至25nC

    产品特点和优势


    - 高频开关能力:适用于高频率的开关电路。
    - 优化技术:专为DC/DC转换器设计,提供了卓越的栅电荷与导通电阻乘积(FOM)。
    - 环保材料:无铅电镀,符合RoHS和Halogen-Free标准。
    - 可靠性:100%雪崩测试,保证产品的稳定性和耐用性。

    应用案例和使用建议


    IPD135N08N3 G 可广泛应用于DC/DC转换器、电池管理、汽车电子等领域。在设计过程中,需要考虑以下几个要点以确保最佳性能:
    - 散热设计:为了防止过热,应考虑适当的散热措施,如加装散热片或选择合适的安装位置。
    - 驱动电路设计:根据实际工作条件调整栅极驱动电阻,以达到最佳开关速度和降低损耗。
    - 电路布局:注意PCB布局的设计,尽量缩短高压回路,减少寄生电感和电容的影响。

    兼容性和支持


    IPD135N08N3 G 可与其他标准N沟道功率晶体管互换使用。Infineon Technologies提供全面的技术支持和维护服务,包括在线文档、设计指南和技术咨询服务。对于有特殊需求的应用,可联系Infineon Technologies获取更多定制化支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:产品出现异常发热
    - 解决办法:检查电路设计和散热措施,确保符合产品的工作温度范围和散热要求。
    - 问题2:产品无法正常开启
    - 解决办法:确认栅极驱动电压是否正确,调整栅极驱动电阻。
    - 问题3:电路噪声过大
    - 解决办法:优化PCB布局,缩短高压回路,减少寄生电感和电容的影响。

    总结和推荐


    IPD135N08N3 G是一款高效、可靠的功率晶体管,非常适合用于高频开关应用和DC/DC转换器。其低导通电阻和优化的栅电荷特性使得它在市场上具备较强的竞争力。总体来说,推荐使用该产品,特别是在需要高效率和可靠性的场合。同时,Infineon Technologies提供的优质技术支持和服务,也为用户的实际应用提供了有力保障。

IPD135N08N3GATMA1参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 80V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.73nF@40V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 79W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@ 33µA
Id-连续漏极电流 45A
配置 独立式
栅极电荷 25nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 13.5mΩ@ 45A,10V
长*宽*高 6.5mm(长度)*6.22mm(宽度)
通用封装 DPAK
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IPD135N08N3GATMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPD135N08N3GATMA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPD135N08N3GATMA1 IPD135N08N3GATMA1数据手册

IPD135N08N3GATMA1封装设计

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