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IRF7607TRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 1.8W(Ta) 12V 1.2V@ 250µA 22nC@ 5 V 1个N沟道 20V 30mΩ@ 6.5A,4.5V 6.5A 1.31nF@15V MICRO-8 贴片安装 3mm*3mm*1.11mm
供应商型号: IRF7607TRPBF
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRF7607TRPBF

IRF7607TRPBF概述


    产品简介


    HEXFET Power MOSFET(型号:IRF7607PbF)
    这款由国际整流器公司(International Rectifier)开发的HEXFET Power MOSFET,采用了先进的沟槽工艺技术,旨在实现极低的单位硅面积导通电阻(on-resistance),特别适用于各种广泛应用场景。这是一款N-沟道MOSFET,采用了Micro8™微型封装,该封装的脚距仅为标准SO-8的一半。此外,该产品还具有超低导通电阻、极低外形(<1.1mm)及无铅特性。

    技术参数


    以下是IRF7607PbF的主要技术参数:
    - 最大漏源电压 \( V{DSS} \): 20V
    - 漏电流 \( ID \)(\( V{GS} = 4.5V \),\( TA = 25^\circ C \)): 6.5A
    - 漏电流 \( ID \)(\( V{GS} = 4.5V \),\( TA = 70^\circ C \)): 5.2A
    - 最大脉冲漏电流 \( I{DM} \): 50A
    - 功率耗散 \( PD \)(\( TA = 25^\circ C \)): 1.8W
    - 功率耗散 \( PD \)(\( TA = 70^\circ C \)): 1.2W
    - 极线性降额系数: 0.014 W/°C
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ± 12V
    - 结温及存储温度范围 \( T{J}, T{STG} \): -55°C 到 +150°C
    - 静态漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \): 0.030Ω(\( V{GS} = 4.5V, ID = 6.5A \))
    - 额外信息如栅源正向泄漏、栅源反向泄漏、总栅电荷、输入电容等详见相关图表。

    产品特点和优势


    IRF7607PbF的优势在于:
    1. 超低导通电阻: 实现高效的能量转换和更低的功耗。
    2. 微型封装: Micro8™封装,尺寸小且低轮廓,适合空间受限的应用环境。
    3. 高可靠性: 先进的处理技术与坚固的设计确保了长时间稳定运行。
    4. 低温度敏感性: 导通电阻随温度变化较小,保证在不同环境下的性能一致性。

    应用案例和使用建议


    IRF7607PbF可广泛应用于:
    - 电池管理系统
    - 电机驱动器
    - 开关电源
    使用建议:
    1. 在高功率转换应用中,考虑采用外部散热片以提升散热效率。
    2. 通过合理布置电路板走线,减少寄生电感,提高开关速度和减少损耗。

    兼容性和支持


    该产品兼容性良好,可以与其他标准的SO-8封装产品互换使用。制造商提供详细的技术支持和售后服务,用户可以通过官方网站获取更多的资源和技术文档。

    常见问题与解决方案


    - 问题一:如何选择合适的栅源电压?
    - 解决方案:确保所选栅源电压 \( V{GS} \) 能满足设备的最大和最小导通要求。
    - 问题二:为何选择这个型号而不是其他型号?
    - 解决方案:根据具体应用需求,比较各型号的技术参数和成本效益,选择最适合的型号。
    - 问题三:如何评估产品寿命?
    - 解决方案:参考厂家提供的温度耐受性数据和热阻抗参数,确保在合理的工作条件下使用。

    总结和推荐


    总结:
    IRF7607PbF作为一款高效能、紧凑型的N-沟道MOSFET,凭借其超低导通电阻、高可靠性及易于集成的特点,在多种电力管理和控制场合展现出卓越的性能。
    推荐:
    考虑到其高效能和良好的市场表现,强烈推荐此产品用于需要高效率和空间节约的应用环境中。

IRF7607TRPBF参数

参数
Id-连续漏极电流 6.5A
配置 独立式
最大功率耗散 1.8W(Ta)
栅极电荷 22nC@ 5 V
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 30mΩ@ 6.5A,4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.2V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.31nF@15V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 12V
Vds-漏源极击穿电压 20V
长*宽*高 3mm*3mm*1.11mm
通用封装 MICRO-8
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 散装,卷带包装

IRF7607TRPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRF7607TRPBF数据手册

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IRF7607TRPBF封装设计

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