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IRF3711ZLPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 79W(Tc) 20V 2.45V@ 250µA 24nC@ 4.5 V 1个N沟道 20V 6mΩ@ 15A,10V 92A 2.15nF@10V TO-262 通孔安装 10.2mm*4.5mm*9.45mm
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRF3711ZLPBF

IRF3711ZLPBF参数

参数
栅极电荷 24nC@ 4.5 V
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.45V@ 250µA
Rds(On)-漏源导通电阻 6mΩ@ 15A,10V
Vds-漏源极击穿电压 20V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 79W(Tc)
Id-连续漏极电流 92A
配置 独立式
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.15nF@10V
长*宽*高 10.2mm*4.5mm*9.45mm
通用封装 TO-262
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 管装

IRF3711ZLPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRF3711ZLPBF数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRF3711ZLPBF IRF3711ZLPBF数据手册

IRF3711ZLPBF封装设计

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