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BCR 112 E6327

产品分类: 三极管(BJT)
产品描述: 200mW 50V 100mA SOT-23 贴片安装 2.9mm*1.3mm*1mm
供应商型号: 726-BCR112E6327
供应商: Mouser
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 三极管(BJT) BCR 112 E6327

BCR 112 E6327概述

    BCR112 NPN Silicon Digital Transistor 技术手册

    1. 产品简介


    BCR112是一款由Infineon Technologies制造的NPN硅数字晶体管。它主要用于开关电路、反相器、接口电路及驱动电路。晶体管内置偏置电阻(R1=4.7kΩ, R2=4.7kΩ),符合无铅(RoHS合规)封装标准,并通过了AEC-Q101认证。这意味着BCR112适用于高可靠性要求的应用场合。

    2. 技术参数


    - 最大额定值:
    - 集电极-发射极电压 (VCEO): 50V
    - 集电极-基极电压 (VCBO): 50V
    - 输入正向电压 (Vi(fwd)): 30V
    - 输入反向电压 (Vi(rev)): 10V
    - 集电极电流 (IC): 100mA
    - 总功率耗散 (Ptot):
    - BCR112: 在TS ≤ 102°C时为200mW
    - BCR112W: 在TS ≤ 124°C时为250mW
    - 结温 (Tj): 150°C
    - 存储温度 (Tstg): -65°C 至 150°C
    - 热阻:
    - 结至焊接点热阻 (RthJS):
    - BCR112: ≤ 240 K/W
    - BCR112W: ≤ 105 K/W
    - 直流特性:
    - 集电极-发射极击穿电压 (V(BR)CEO): 50V
    - 集电极-基极击穿电压 (V(BR)CBO): 50V
    - 集电极-基极截止电流 (ICBO): 最大100nA
    - 发射极-基极截止电流 (IEBO): 最大1.61mA
    - 直流电流增益 (hFE): 最小20
    - 集电极-发射极饱和电压 (VCEsat): 最大0.3V
    - 输入关断电压 (Vi(off)): 0.8V 至 1.5V
    - 输入导通电压 (Vi(on)): 1V 至 2.5V
    - 输入电阻 (R1): 3.2kΩ 至 6.2kΩ
    - 电阻比 (R1/R2): 0.9 至 1.1
    - 交流特性:
    - 转换频率 (fT): 140MHz
    - 集电极-基极电容 (Ccb): 3pF

    3. 产品特点和优势


    BCR112的主要特点是其内置偏置电阻,这使得在设计电路时无需额外添加外部电阻,简化了设计过程。此外,该晶体管具备较高的击穿电压和较低的饱和电压,使其能够在高电压环境中稳定运行。这些特性使BCR112在开关电源、电机驱动、汽车电子等领域具有广泛的应用前景。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 开关电源:BCR112可以用于电源开关电路中,实现快速切换功能。
    - 汽车电子:由于其高可靠性,BCR112非常适合用于汽车电子控制单元(ECU)中。
    使用建议:
    - 在使用过程中,应确保集电极电流不超过100mA,以避免损坏。
    - 设计电路时,需考虑散热问题,特别是在高电流环境下运行时。

    5. 兼容性和支持


    BCR112支持SOT23和SOT323两种封装形式,满足不同应用场景的需求。Infineon Technologies提供详尽的技术支持和文档资源,以帮助用户更好地理解和使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:晶体管过热导致烧毁。
    - 解决方案:检查电路设计,确保总功率耗散不超出允许范围,必要时增加散热措施。
    - 问题2:开关速度慢。
    - 解决方案:检查输入电压是否足够高,确保达到饱和状态;也可以尝试更换更高频率的晶体管。

    7. 总结和推荐


    BCR112是一款功能强大且可靠的NPN硅数字晶体管,适合多种应用场合。其内置偏置电阻和高可靠性使其在市场上具有很强的竞争力。总体而言,BCR112是一个值得推荐的产品,尤其适合需要高性能和可靠性的应用场景。

BCR 112 E6327参数

参数
VCBO-最大集电极基极电压 -
最大集电极发射极饱和电压 0.3@ 0.5mA @ 10mA
最大功率耗散 200mW
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
VEBO-最大发射极基极电压 -
配置 独立式
晶体管类型 -
集电极截止电流 -
集电极电流 100mA
长*宽*高 2.9mm*1.3mm*1mm
通用封装 SOT-23
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
包装方式 卷带包装

BCR 112 E6327厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

BCR 112 E6327数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 三极管(BJT) INFINEON TECHNOLOGIES BCR 112 E6327 BCR 112 E6327数据手册

BCR 112 E6327封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 0.299 ¥ 2.5266
10+ $ 0.2139 ¥ 1.8075
100+ $ 0.1346 ¥ 1.1369
1000+ $ 0.0572 ¥ 0.4833
3000+ $ 0.0486 ¥ 0.4107
9000+ $ 0.0378 ¥ 0.3194
24000+ $ 0.0356 ¥ 0.3012
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