处理中...

首页  >  产品百科  >  IPC218N06N3

IPC218N06N3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 4V 60V 100mΩ@ 10V
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPC218N06N3

IPC218N06N3概述

    MOSFET 技术手册:OptiMOS™3 Power MOS Transistor Chip IPC218N06N3

    产品简介


    OptiMOS™3 功率 MOSFET 芯片 IPC218N06N3 是一款 N 沟道增强型场效应晶体管(MOSFET)。该芯片广泛应用于动态特性测试、工业及多市场领域。产品采用裸晶片形式,可选择焊接或胶粘的方式进行键合,具备耐静电放电的特性,并拥有独特的 NiV 系统背侧金属化工艺和 AlCu 系统前侧金属化工艺。

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | V(BR)DSS(漏源击穿电压) | 60 | V |
    | RDS(on)(导通电阻) | 1.71 | mΩ |
    | 裸晶尺寸 | 5.9 x 3.7 | mm² |
    | 裸晶厚度 | 205 | µm |
    | 测试条件(典型值)
    | V(BR)DSS(漏源击穿电压) | 60 | - |
    | VGS(th)(栅极阈值电压) | 2 | 3 | 4 | V |
    | IDSS(零栅极电压漏极电流) | - | 0.1 | 3 | µA |
    | IGSS(栅极源极漏电流) | - | 1 | 100 | nA |
    | RDS(on)(漏源导通电阻) | - | 1.32 | 100 | mΩ |
    | VSD(反向二极管正向导通电压) | - | 0.7 | 1.3 | V |
    | EAS(单脉冲雪崩能量) | - | 500 | - | mJ |

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:典型的裸晶 RDS(on) 值为 1.32 mΩ,显著降低了损耗,提高了效率。
    - 高可靠性:AQL 0.65 的目视检验标准和 MIL-STD 883C 的静电放电敏感性,确保了产品在严苛条件下的稳定运行。
    - 耐高温:具有良好的温度特性,能够在广泛的温度范围内保持高性能。
    - 高能效:优异的热阻特性使其适用于高功率应用,有助于提升系统整体效率。

    应用案例和使用建议


    - 开关电源:IPC218N06N3 可用于各种开关电源设计,特别是高频应用场合,由于其低导通电阻,可以显著减少损耗。
    - 电机驱动:适合用于驱动大功率电机,如电动汽车中的逆变器模块。
    - 使用建议:
    - 选择适当的散热措施以确保最佳性能。
    - 在高温环境下使用时,注意监控温度并采取必要措施避免过热。

    兼容性和支持


    - 兼容性:芯片采用标准的焊盘布局,易于集成到多种封装类型中。
    - 支持:Infineon Technologies AG 提供详尽的技术文档和支持服务,帮助客户快速上手并解决问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:设备出现过热现象。
    - 解决方法:增加散热片或采用更好的散热材料,确保足够的空气流通。
    2. 问题:电压异常波动。
    - 解决方法:检查电源稳定性,使用稳定的电源供应设备。
    3. 问题:设备频繁失效。
    - 解决方法:确保正确安装和焊接,遵循正确的操作流程,防止静电损坏。

    总结和推荐


    OptiMOS™3 Power MOSFET 芯片 IPC218N06N3 在动态特性和稳定性方面表现出色,其低导通电阻和高可靠性使其成为工业及多市场应用的理想选择。考虑到其卓越的性能和广泛应用领域,我们强烈推荐此产品。无论是电源管理还是电机驱动,IPC218N06N3 都能提供卓越的性能和稳定性。

IPC218N06N3参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 100mΩ@ 10V
配置 -
Id-连续漏极电流 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -

IPC218N06N3厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPC218N06N3数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPC218N06N3 IPC218N06N3数据手册

IPC218N06N3封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
库存: 0
起订量: 0 增量: 0
交货地:
最小起订量为:0
合计: $ 0
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504