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BCR119SH6327XTSA1

产品分类: 三极管(BJT)
产品描述: 300mV@ 500µA,10mA 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA SOT-363-6 贴片安装
供应商型号: UA-BCR119SH6327XTSA1
供应商: 海外现货
标准整包数: 3000
INFINEON TECHNOLOGIES 三极管(BJT) BCR119SH6327XTSA1

BCR119SH6327XTSA1概述

    BCR119 NPN Silicon Digital Transistor

    1. 产品简介


    BCR119是一款NPN硅基数字晶体管,主要用于开关电路、逆变器和接口电路等应用。它内置一个电阻(R1=4.7 kΩ),并且有多种型号可供选择,如BCR119S和BCR119W等。BCR119S型号提供了两个内部隔离的且匹配良好的晶体管,而BCR119W则适用于特定的应用需求。该产品符合RoHS标准,无铅,已通过AEC-Q101认证。

    2. 技术参数


    - 最大额定值
    - 集电极-发射极电压:VCEO = 50 V
    - 集电极-基极电压:VCBO = 50 V
    - 输入正向电压:Vi(fwd) = 30 V
    - 输入反向电压:Vi(rev) = 5 V
    - 直流集电极电流:IE = 100 mA
    - 最大总功耗:
    - BCR119/TS: ≤ 102°C时为200 mW
    - BCR119F/TS: ≤ 128°C时为250 mW
    - BCR119S/TS: ≤ 115°C时为250 mW
    - BCR119W/TS: ≤ 124°C时为250 mW
    - 结温:Tj = 150 °C
    - 存储温度范围:Tstg = -65 ... 150 °C
    - 热阻抗
    - 结至焊接点热阻:
    - BCR119: ≤ 240 K/W
    - BCR119F: ≤ 90 K/W
    - BCR119S: ≤ 140 K/W
    - BCR119W: ≤ 105 K/W
    - 电气特性
    - 集电极-发射极击穿电压:V(BR)CEO = 50 V
    - 集电极-基极击穿电压:V(BR)CBO = 50 V
    - 集电极-基极截止电流:ICBO = -100 nA
    - 发射极-基极截止电流:IEBO = -100 nA
    - 直流电流增益:hFE = 120 - 630
    - 集电极-发射极饱和电压:VCEsat = 0.3 V
    - 输入关断电压:Vi(off) = 0.4 - 0.8 V
    - 输入导通电压:Vi(on) = 0.5 - 1.1 V
    - 输入电阻:R1 = 4.7 kΩ
    - 转换频率:fT = 150 MHz
    - 集电极-基极电容:Ccb = 3 pF

    3. 产品特点和优势


    - 内置电阻:BCR119系列晶体管内置一个4.7 kΩ的电阻,可以减少外部电路设计的复杂度。
    - 双隔离晶体管:BCR119S型号提供两个内部隔离的匹配良好的晶体管,非常适合需要高精度匹配的应用。
    - 兼容多种封装:支持SOT23、TSFP-3、SOT363和SOT323等多种封装形式,方便在不同的应用场景中灵活选择。
    - 高可靠性:符合RoHS标准,无铅,通过AEC-Q101认证,确保产品具有长期可靠的性能。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:BCR119广泛应用于开关电路、逆变器和接口电路等领域。例如,在汽车电子系统中,BCR119可作为驱动器晶体管用于各种传感器信号的处理和传输。
    - 使用建议:由于BCR119具有内置电阻,因此在使用时应注意避免过载情况,确保总功耗不超过额定值。此外,由于封装形式多样,建议根据具体应用场景选择最合适的封装形式以提高可靠性和散热效果。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:BCR119系列产品与其他电子元器件具有良好的兼容性,可广泛应用于各种电路设计中。
    - 支持和维护:Infineon Technologies AG为BCR119系列晶体管提供全面的技术支持和维护服务。如有任何技术问题,用户可以通过联系最近的Infineon办公室获取帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:晶体管过热。
    - 解决方案:检查电路设计是否合理,确保总功耗不超过额定值。如果仍然过热,考虑更换为热阻抗更低的封装形式或改善散热条件。

    - 问题2:晶体管无法正常工作。
    - 解决方案:首先检查连接是否正确,然后确认输入电压是否符合要求。如果问题依然存在,建议联系技术支持部门寻求帮助。

    7. 总结和推荐


    总体来看,BCR119 NPN硅基数字晶体管是一款高性能、多功能的晶体管产品。其内置电阻、多封装选项和良好的电气特性使其成为各种应用的理想选择。同时,Infineon Technologies AG提供的全面技术支持也为用户使用和维护该产品提供了有力保障。因此,我们强烈推荐使用BCR119晶体管来提升电子系统的性能和可靠性。

BCR119SH6327XTSA1参数

参数
集电极截止电流 -
最大集电极发射极饱和电压 0.3@ 500µA,10mA
最大功率耗散 -
配置 -
VEBO-最大发射极基极电压 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
VCBO-最大集电极基极电压 -
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 300mV@ 500µA,10mA
晶体管类型 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
集电极电流 100mA
通用封装 SOT-363-6
安装方式 贴片安装
零件状态 新设计不推荐
包装方式 散装,卷带包装

BCR119SH6327XTSA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

BCR119SH6327XTSA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 三极管(BJT) INFINEON TECHNOLOGIES BCR119SH6327XTSA1 BCR119SH6327XTSA1数据手册

BCR119SH6327XTSA1封装设计

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